本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。与现有技术相比，本实用新型专利技术不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电池
，更具体的是涉及一种太阳能电池。
技术介绍
现有的太阳能电池(如图1，图2所示)，包括Ag背电极P、A1背场2'、P型硅3'、N+层4'、减反膜5'、Ag正电极6'，A1背场2'、P型硅3'、N+层4'和减反膜5'依次层叠设置，为了提高太阳电池的效率，人们在电池的正面制作了减反射膜5'，Ag正电极6'由Ag主栅线61'和Ag副栅线62'组成:用Ag制作电极一方面价格比较昂贵，其占太阳能电池成本的10%以上；另一方面Ag的储存量有限，不利于太阳能电池行业的长远发展；此外，Ag正电极6'的存在会遮掉一部分太阳光子，使得实际到达p-n的光子数量大大下降，会降低太阳能电池的转换效率。因此，如何开发一种新的正面电极，使其不但可以解决Ag价格高和储量有限的问题，还可以提升电池转换效率，成为各大研究机构和太阳能电池厂研究的热点。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供一种大大降低Ag的消耗量和降低硅片反射率的太阳能电池。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种太阳能电池，包括Ag背电极、A1背场、P型娃、N+层和Ag主栅线，A1背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在A1背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。作为上述方案的改进，所述碳纳米管阵列由若干个碳纳米管组成。作为上述方案的改进，所述碳纳米管的长度为50-100nm，管外径为30_50nm，管内径为 5-lOnm。作为上述方案的改进，所述透明导电薄膜为In203:Sn(IT0)或者Sb:Sn02(AT0)或者 ZnOo作为上述方案的改进，所述透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为92-98 %，电阻率为 1 X 10 7-5 X 10 7 Ω.cm。作为上述方案的改进，所述Ag主栅线根数为2-5根。与现有技术相比，本技术不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。【附图说明】图1为现有技术的太阳能电池结构示意图；图2为现有技术的太阳能电池的俯视图；图3为本技术的一种太阳能电池的结构示意图；图4为本技术的一种太阳能电池的俯视图。【具体实施方式】如图3和图4所示，本技术的一种太阳能电池，包括Ag背电极1、A1背场2、P型娃3、N+层4和Ag主栅线7，A1背场2、P型娃3和N+层4依次层叠式设置，Ag背电极1印刷在A1背场2下表面，太阳能电池还包括碳纳米管阵列5和透明导电薄膜6，碳纳米管阵列5与N+层4相接触，透明导电薄膜6层叠在N+层4上侧并覆盖碳纳米管阵列5，Ag主栅线7印刷在透明导电薄膜6上。与现有技术相比，本技术不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列5、透明导电薄膜6和Ag主栅线7形成复合正面电极，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。碳纳米管阵列5由多个碳纳米管组成，碳纳米管的长度为50_100nm，管外径为30-50nm，管内径为5-10nm，这种结构具有优异的陷光效果。透明导电薄膜6可以由In203:Sn(IT0)制成，或者由Sb:Sn02(AT0)制成，或者由ZnO制成；透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为92-98 %，电阻率为1X10 7-5Χ10 7Ω.cm οAg主栅线7根数为2-5根，Ag主栅线7主要是为了收集电流，方便太阳能电池组件焊接。以上所述的仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种太阳能电池，包括Ag背电极、A1背场、P型娃、N+层和Ag主栅线，A1背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在A1背场下表面，其特征在于:所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管阵列由若干个碳纳米管组成。3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管的长度为50_100nm，管外径为30_50nm，管内径为5-lOnm。4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜为In203:Sn或者Sb:Sn02或者ZnO。5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜厚度为20-50nm，透光率为 92-98 %，电阻率为 1 X 10 7_5 X 10 7 Ω.cm。6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述Ag主栅线根数为2-5根。【专利摘要】本技术公开了一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。与现有技术相比，本技术不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。【IPC分类】H01L31/0224【公开号】CN204991722【申请号】CN201520522364【专利技术人】石强, 秦崇德, 方结彬, 黄玉平, 何达能, 陈刚 【申请人】广东爱康太阳能科技有限公司【公开日】2016年1月20日【申请日】2015年7月18日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，其特征在于：所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石强，秦崇德，方结彬，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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