晶片级芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶片级芯片封装结构，包括一晶片与衬底的键合片，晶片与衬底之间通过支撑层和粘结层进行连接，晶片背面上形成有与导电焊垫位置相对的第一开口，预定切割道两侧的相邻两第一开口之间形成有切除了上部的第二凸部；第二凸部上正对预定切割道的位置处形成有第二开口，第二开口的底部进入支撑层；第一开口内依次铺设有绝缘层、金属布线层和线路保护层，金属布线层通过一连通导电焊垫与第一开口的第三开口将晶片的电性引导至晶片的背面，线路保护层填入第二开口内。本实用新型专利技术支撑层与线路保护层直接相连，将导电焊垫及介质层包覆在内，避免了液体沿介质层侧壁进入导电焊垫，且能够增加布线空间、提升产品的封装良率及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种晶片级芯片封装结构。
技术介绍
现有的通常包括如下步骤:首先，在晶片表面蚀刻出多个凹槽11及多个第一开口 3，如图1所示，其中，中间的第一开口 3为预定切割道位置；接着，如图2所示，在所述第一开口的表面形成一层绝缘层(通常为高分子材料或二氧化硅)；然后，自第一开口底部的绝缘层上向晶片正面延伸形成第三开口 7，如图3所示；接着，在绝缘层上依次沉积一层金属布线层和线路保护层，如图4和图5所示。这种工艺方法及其结构有效地减少了切割过程中切割道位置处的晶片厚度，解决了由于切割道较厚造成切割崩边，进而影响产品的可靠性的问题。但这种工艺方法及其结构同时存在以下问题:1、由于凹槽11的开口过大，在布线过程中，线路的铺设范围受限。2、位于切割道位置的材料种类过多，可能会出现分层或切割等问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提出一种晶片级芯片封装结构，此封装结构克服了当前封装结构的不足，能够增加布线空间、提升产品的封装良率及可靠性。本技术的技术方案是这样实现的:—种晶片级芯片封装结构，包括一晶片与衬底的键合片，所述晶片与衬底之间通过支撑层和粘结层进行连接，所述晶片包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；相邻芯片单元的若干导电焊垫位于所述预定切割道的两侧，其特征在于:所述晶片背面上形成有与所述导电焊垫位置相对的第一开口，预定切割道两侧的相邻两第一开口之间形成有切除了上部的第二凸部；所述第二凸部上正对预定切割道的位置处形成有第二开口，所述第二开口的底部进入所述支撑层；所述第一开口内依次铺设有绝缘层、金属布线层和线路保护层，所述金属布线层通过一连通所述导电焊垫与所述第一开口的第三开口将晶片的电性引导至所述晶片的背面，所述线路保护层填入所述第二开口内。本技术的有益效果是:本技术提供一种晶片级芯片封装结构，首先，在与晶片的导电焊垫相对应的位置处蚀刻出第一开口，将预定切割道两侧的相邻两个第一开口之间的晶片部分称为凸部；接着，将凸部的上部水平切除一部分；在剩余凸部的中间位置处(预定切割道位置)形成第二开口，第二开口底部位于支撑层上；最后，依次铺设绝缘层、金属布线层及线路保护层，并切割成单颗晶片级芯片封装结构。该封装工艺形成的晶片级芯片封装结构中，支撑层与线路保护层直接相连，将导电焊垫及介质层包覆在内部，避免了液体或水汽沿介质层侧壁进入导电焊垫，进而将导电焊垫腐蚀的现象，减少了可靠性失效的风险，提高了产品的可靠性。同时，该封装工艺形成的晶片级芯片封装结构，在切割过程中，只需切割线路保护层、支撑层及衬底层。因此，减少了切割制程中出现断刀、崩边等问题。【附图说明】图1为现有中，在晶片表面蚀刻出多个凹槽及多个第一开口的结构不意图；图2为现有中，在第一开口的表面形成绝缘层的结构示意图；图3为现有中，自第一开口底部的绝缘层上向晶片正面延伸形成第三开口的结构示意图；图4为现有中，在绝缘层及第三开口内形成金属布线层的结构示意图；图5为现有中，在金属布线层上形成线路保护层的结构示意图；图6为本技术提供的键合片的结构示意图；图7为图6中结构在晶片背面形成第一开口及第一凸部后的封装结构示意图；图8为图7中结构移除部分第一凸部形成第二凸部后的封装结构示意图；图9为图8中结构在第二凸部上形成第二开口后的封装结构示意图；图10为图9中结构在晶片表面铺设绝缘层后的封装结构示意图；图11为图10中结构在第一开口底部的绝缘层上形成向晶片正面延伸的第三开口后的封装结构示意图；图12为图11中结构在绝缘层上及第三开口内沉积一层金属布线层的封装结构示意图；图13为图12中结构在绝缘层和金属布线层上形成线路保护层后的封装结构示意图。结合附图，作以下说明:1-粘结层2-支撑层3-第一开口4-第一凸部5-第二凸部6-第二开口7-第三开口8-绝缘层9-金属布线层10-线路保护层11-凹槽100-晶片101-导电焊垫102-介质层103-元件区200-衬底【具体实施方式】为了能够更清楚地理解本技术的
技术实现思路
，特举以下实施例详细说明，其目的仅在于更好理解本技术的内容而非限制本技术的保护范围。参见图13，本技术涉及一种晶片级芯片封装结构，它包括一晶片100和衬底200的键合片，在本实施例中，所述晶片100可以为影像感测元件、微机电系统元件、运算处理元件等，其材质可以为硅。衬底200可以为玻璃或硅片。所述晶片100的正面包括导电焊垫101，介质层102和元件区103，导电焊垫101通过内部金属电路连接元件区103。所述晶片100与衬底200之间通过支撑层2和粘结层I进行连接，所述支撑层2可以连续也可以不连续。若连续，支撑层2覆盖晶片的元件区103 ;若不连续，支撑层2的间隙为晶片100的元件区103。所述晶片100包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；相邻芯片单元的若干导电焊垫位于所述预定切割道的两侧，所述晶片背面上形成有与所述导电焊垫位置相对的第一开口，预定切割道两侧的相邻两第一开口之间形成有切除了上部的第二凸部5 ;所述第二凸部5上正对预定切割道的位置处形成有第二开口 6，所述第二开口的底部进入所述支撑层；所述第一开口内依次铺设有绝缘层8、金属布线层9和线路保护层10，所述金属布线层通过一连通所述导电焊垫与所述第一开口的第三开口 7将晶片的电性引导至所述晶片的背面，较佳的，导电焊垫与金属布线层通过第三开口的侧壁相连，将电路引出；所述线路保护层填入所述第二开口内。键合片沿预定切割道切割后形成晶片级芯片封装结构，该封装结构中，线路保护层与支撑层直接相连，将导电焊垫包覆于内部，这样便避免了导电焊垫(铝)腐蚀现象，减少了可靠性通不过的风险；提高了产品的可靠性。同时，此封装结构在切割过程中，只需切割线路保护层、支撑层及衬底层。因此减少了切割制程中出现断刀、崩边等问题。作为一种优选实施例，以下介绍本技术晶片级芯片封装结构制作方法，包括如下步骤:步骤一，参见图6，提供一晶片100与衬底200的键合片，所述晶片100及衬底200之间通过支撑层2和粘结层I进行连接，所述晶片包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；步骤二，参见图7，自晶片的背面向正面延伸形成若干第一开口 3，所述第一开口与所述晶片的导电焊垫位置相对；将预定切割道两侧的相邻两第一开口之间的晶片部分称为第一凸部4 ;形成第一开口的具体方法为涂布、曝光、显影，然后进行干法刻蚀，形成第一开口 ；预定切割道两侧的两个相邻第一开口之间的晶片部分形成第一凸部4。步骤三，参见图8，自晶片的背面向正面延伸切除部分第一凸部4，将剩余的晶片部分称为第二凸部5 ;具体可利用机械切割的方式移除部分的第一凸部4，切除部分的纵向长度可以为0-100 μm ；步骤四，参见图9，在第二凸部5正对预定切割道的位置处形成第二开口 6，所述第二开口的底部进入所述支撑层；具体为在晶片的背面进行涂布、曝光、显影、然后通过干法或者湿法刻蚀的方法形成第二开口 6。步骤五，参见图10，在晶片背面上、第一开口内、第二开口内及第二凸部上铺设一层绝缘层8 ；步骤六，参见图11，在第一开口底部的绝缘层上形成暴露对应的导电焊垫侧壁的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片级芯片封装结构，包括一晶片(100)与衬底(200)的键合片，所述晶片(100)与衬底(200)之间通过支撑层(2)和粘结层(1)进行连接，所述晶片包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；相邻芯片单元的若干导电焊垫位于所述预定切割道的两侧，其特征在于：所述晶片背面上形成有与所述导电焊垫位置相对的第一开口，预定切割道两侧的相邻两第一开口之间形成有切除了上部的第二凸部(5)；所述第二凸部(5)上正对预定切割道的位置处形成有第二开口(6)，所述第二开口的底部进入所述支撑层；所述第一开口内依次铺设有绝缘层(8)、金属布线层(9)和线路保护层(10)，所述金属布线层通过一连通所述导电焊垫与所述第一开口的第三开口(7)将晶片的电性引导至所述晶片的背面，所述线路保护层填入所述第二开口内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小花，肖智轶，戴青，钱静娴，翟玲玲，王苗苗，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32