一种非固体电解质全钽电容器制造技术

技术编号:12749894 阅读:135 留言:0更新日期:2016-01-21 17:11
本实用新型专利技术公开了一种非固体电解质全钽电容器,包括钽壳、阳极芯块和位于钽壳与阳极芯块之间固定阳极芯块的三叉垫;在钽壳靠近三叉垫处设置有一圈向钽壳内部凹陷的凹槽,所述凹槽位于三叉垫的底面与顶面之间。本实用新型专利技术巧妙性地在钽壳上设置一圈凹槽,凹槽将三叉垫顶紧,使三叉垫变形并向阳极芯块靠拢,从而消除三叉垫与阳极芯块之间的间隙,使三叉垫、钽外壳和阳极芯块紧密配合,增强了阳极芯块的抗冲击振动能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电容器
,特别涉及一种非固体电解质全钽电容器。技术背景钽电解电容器作为电解电容器中的一个重要分支,广泛应用于通信、军事通讯、海底电缆和高级电子装置、民用电器等方面。现有非固体电解质全钽电容器结构设计中,产品底部的阳极芯块是用一个三叉垫固定,如图1所示为三叉垫结构示意图,三叉垫包括底面11和顶面12,如图2所示,三叉垫1安装于阳极芯块2与钽壳3之间。因为阳极芯块直径与三叉垫内径不是紧密配合,装配后二者间存在较大的间隙,产品只能承受100g加速度的冲击和20g加速度的高频振动,在更大加速度的冲击和振动过程条件下,容易损伤阳极芯块,造成产品失效,但是按GJB733B-2011总规范要求,非固体电解质全钽电容器应承受500g加速度的冲击和80g加速度的高频振动,现有设计结构无法通过标准规定实验条件。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对现有技术非固体电解质全钽电容器抗冲击性能和抗振性能的不足,提供一种符合GJB733B-2011总规范要求的非固体电解质全钽电容器。本技术的上述目的通过以下技术方案予以实现:提供一种非固体电解质全钽电容器,包括钽壳、阳极芯块和位于钽壳与阳极芯块之间固定阳极芯块的三叉垫;在钽壳靠近三叉垫处设置有一圈向钽壳内部凹陷的凹槽,所述凹槽位于三叉垫的底面与顶面之间。优选地,所述凹槽位于所述三叉垫的底面与顶面之间的中间位置。优选地,所述凹槽的深度为0.2-1.3mm。进一步优选的,所压凹槽的深度为0.5~lmm。优选地,所述凹槽的宽度为0.8-1.8mm。进一步优选的,所压凹槽的宽度为1~1.5mm。本技术的有益效果是:本技术所述一种非固体电解质全钽电容器,在现有结构的基础上,巧妙性地在钽壳靠近三叉垫的一侧设置一圈凹槽,所述凹槽将三叉垫顶紧向阳极芯块靠拢,消除三叉垫与阳极芯块之间的间隙,使非固体电解质全钽电容器的三叉垫、钽外壳和阳极芯块紧密配合,增强阳极芯块的抗冲击振动能力,满足非固体电解质全钽电容器承受500g加速度的冲击和80g加速度的高频振动的GJB733B-2011总规范要求,避免在较大冲击振动条件下,损伤阳极芯块,造成产品失效。【附图说明】图1为三叉垫结构示意图。图2为现有非固体电解质全钽电容器纵截面剖视图。图3为本技术所述非固体电解质全钽电容器纵截面剖视图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的实施例进行详细说明,但是本技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。本技术实施例附图仅用于示例性说明,不能理解为对本技术的限制。对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。如图2所示为现有非固体电解质全钽电容器纵截面剖视图,1为三叉垫,2为阳极芯块,3为三叉垫,4为阳极芯块与三叉垫之间的空隙,从图中可以看出三叉垫1与阳极芯2块之间有空隙。本实施例提供一种非固体电解质全钽电容器,如图3所示,也包括钽壳3、阳极芯块2和位于钽壳3与阳极芯块2之间固定阳极芯块2的三叉垫1 ;但在钽壳3靠近三叉垫1处设置有一圈向钽壳3内部凹陷的凹槽5,所述凹槽5位于三叉垫1的底面11与顶面12之间。凹槽5将三叉垫1顶紧,使三叉垫1变形并向阳极芯块2靠拢,从而消除三叉垫1与阳极芯块2之间的间隙,如图3所示,与图2相比,三叉垫发生了变形,消除了间隙4。所述凹槽5位于所述三叉垫1的底面11与顶面12之间的中间位置。所述的凹槽5的深度为0.5~1_。所述的凹槽5的宽度为1~1.5mm。以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的包含范围之内。【主权项】1.一种非固体电解质全钽电容器,包括钽壳、阳极芯块和位于钽壳与阳极芯块之间固定阳极芯块的三叉垫;其特征在于,在钽壳靠近三叉垫处设置有一圈向钽壳内部凹陷的凹槽,所述凹槽位于三叉垫的底面与顶面之间。2.根据权利要求1所述非固体电解质全钽电容器,其特征在于,所述凹槽位于所述三叉垫的底面与顶面之间的中间位置。3.根据权利要求1所述非固体电解质全钽电容器,其特征在于,所述凹槽的深度为0.2?1.3mmο4.根据权利要求1所述非固体电解质全钽电容器,其特征在于,所述凹槽的深度为0.5?Imm05.根据权利要求1所述非固体电解质全钽电容器,其特征在于,所述凹槽的宽度为0.8?1.8mm。6.根据权利要求1所述非固体电解质全钽电容器,其特征在于,所述凹槽的宽度为I?L 5mmο【专利摘要】本技术公开了一种非固体电解质全钽电容器,包括钽壳、阳极芯块和位于钽壳与阳极芯块之间固定阳极芯块的三叉垫;在钽壳靠近三叉垫处设置有一圈向钽壳内部凹陷的凹槽,所述凹槽位于三叉垫的底面与顶面之间。本技术巧妙性地在钽壳上设置一圈凹槽,凹槽将三叉垫顶紧,使三叉垫变形并向阳极芯块靠拢,从而消除三叉垫与阳极芯块之间的间隙,使三叉垫、钽外壳和阳极芯块紧密配合,增强了阳极芯块的抗冲击振动能力。【IPC分类】H01G9/08【公开号】CN204991485【申请号】CN201520648837【专利技术人】袁益, 刘建清 【申请人】株洲日望电子科技股份有限公司【公开日】2016年1月20日【申请日】2015年8月26日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非固体电解质全钽电容器,包括钽壳、阳极芯块和位于钽壳与阳极芯块之间固定阳极芯块的三叉垫;其特征在于,在钽壳靠近三叉垫处设置有一圈向钽壳内部凹陷的凹槽,所述凹槽位于三叉垫的底面与顶面之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁益刘建清
申请(专利权)人:株洲日望电子科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:湖南;43

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