内层板制作方法技术

技术编号:12745514 阅读:98 留言:0更新日期:2016-01-21 13:33
本发明专利技术涉及内层板制作方法,包括以下步骤:S1、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化;S2、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀;S3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层油墨,再送入烘板机内烘烤,取出后冷却至室温;S4、曝光:将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,取出基板,静置;S5、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,得到所需电路图形;S6、蚀刻:蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130~140g/L,氯离子为170~180g/L,对线路板进行蚀刻;S7、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,最终得到有线路图形的线路板。本发明专利技术的优点在于:通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整,可将一次良率由90%提升至98%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及线路板的生产
,特别是。
技术介绍
内层板生产是制作印制电路板的关键,它的步骤主要包括前处理、涂布、曝光、蚀亥IJ、退膜等,现有的内层板的处理所得到的内层板良率为90%左右,对于生产印制电路板的厂家来说,90%的良率已经达到了瓶颈状态,很难再将内层板的生产良率进一步提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种可提升内层板良率的,通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整,可将一次良率由90%提升至98%。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:,包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度在1.4?1.6m/min之间; 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.0?1.4 μ m/pass ; 53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10?12μm的油墨,再送入烘板机内,在72?78°C的温度环境下烘烤9?llmin,取出后冷却至室温; 54、曝光:将曝光能力调至6?7格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光10?15min,取出基板,静置15?30min ; 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.0?4.4m/min,显影的温度26?32°C,显影上下压力按;1.0?2.0kg/cm2进行控制,水洗压力:1.0?2.0kg/cm2,得到所需电路图形; 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45?55°C,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130?140g/L,氯离子为170?180g/L,对线路板进行蚀刻; 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为1.8?2.2m/min,最终得到有线路图形的线路板。所述步骤SI中,咬蚀药水为中粗化安定剂。所述的步骤S5中,显影药水浓度按1.0%进行控制,按显影点55%进行调节速度。本专利技术具有以下优点: 1、通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整,可将一次良率由90%提升至98%。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术做进一步的描述,但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。【实施例1】: ,包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度为1.4m/min ; 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.4 μ m/pass ; 53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为1ym的油墨,再送入烘板机内,在72°C的温度环境下烘烤llmin,取出后冷却至室温; 54、曝光:将曝光能力调至7格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光15min,取出基板,静置30min ; 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.4m/min,显影的温度32°C,显影上下压力按1.0kg/cm2进行控制,水洗压力为1.0kg/cm2,得到所需电路图形; 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45°C,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130g/L,氯离子为170g/L,对线路板进行蚀刻; 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为1.8m/min,最终得到有线路图形的线路板。所述步骤SI中,咬蚀药水为中粗化安定剂。所述的步骤S5中,显影药水浓度按1.0%进行控制,按显影点55%进行调节速度。【实施例2】: ,包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度为1.5m/min ; 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.2 μ m/pass ; S 3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为11 μ m的油墨,再送入烘板机内,在75°C的温度环境下烘烤lOmin,取出后冷却至室温; 54、曝光:将曝光能力调至7格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光13min,取出基板,静置23min ; 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.2m/min,显影的温度29°C,显影上下压力按1.5kg/cm2进行控制,水洗压力:1.5kg/cm2,得到所需电路图形; 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为50°C,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为135g/L,氯离子为175g/L,对线路板进行蚀刻; 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为2.0m/min,最终得到有线路图形的线路板。所述步骤SI中,咬蚀药水为中粗化安定剂。所述的步骤S5中,显影药水浓度按1.0%进行控制,按显影点55%进行调节速度。【实施例3】: ,包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度为1.46m/min ; 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.3 μ m/pass ; S 3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为11 μ m的油墨,再送入烘板机内,在76°C的温度环境下烘烤10.5min,取出后冷却至室温; S4、曝光:将曝光能力调至6格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光12min,取出基板,静置20min ; 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.3m/min,显影的温度30°C,显影上下压力按1.4kg/cm2进行控制,水洗压力:1.6kg/cm2,得到所需电路图形; 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为48°C,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为136g/L,氯离子为178g/L,对线路板进行蚀刻; 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为1.9m/min,最终得到有线路图形的线路板。所述步骤SI中,咬蚀药水为中粗化安定剂。所述的步骤S5中,显影药水浓度按1.0%进行控制,按显影点55%进行调节速度。【实施例4】: ,包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度为1.6m/min ; 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.0 μ m/pass ; 53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10?12μm的油墨,再送入烘板机内,在78°C的温度环境下烘烤9min,取出后冷却至室温; 54、曝光:将曝光能力调至6格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光lOmin,取出基板,静置15min ; 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.0m/min,显影的温度26°C,显影上下压力按2.0kg/cm2进行控制,水洗压力:2.0kg/cm2,得到所需电路图形; 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45?55°C,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为140g/L,氯离子为180g/L,对线路板进行蚀刻; 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为2.2m/min,最终得到有线路图形的线路板。所述步骤SI中,咬蚀药水为中粗化安定剂。所述的步骤S5中,显影药水浓度按1.0%进行控制,按显影点55%进行调节速度。【主权项】1.,其特征在于:包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度在1.4?1.6m/min之间; 52、咬本文档来自技高网...

【技术保护点】
内层板制作方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、前处理:将基板采用磨板机磨板,然后过中粗化,速度在1.4~1.6m/min之间;S2、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀,咬蚀速率为1.0~1.4μm/pass;S3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10~12μm的油墨,再送入烘板机内,在72~78℃的温度环境下烘烤9~11min,取出后冷却至室温;S4、曝光:将曝光能力调至6~7格,将步骤S3得到的基板放入该曝光机内,进行曝光,曝光10~15min,取出基板,静置15~30min;S5、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去,其中,显影速度:4.0~4.4m/min,显影的温度26~32℃,显影上下压力按;1.0~2.0kg/cm2进行控制,水洗压力:1.0~2.0kg/cm2,得到所需电路图形;S6、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45~55℃,蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130~140g/L,氯离子为170~180g/L,对线路板进行蚀刻;S7、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜,退膜速度为1.8~2.2m/min,最终得到有线路图形的线路板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘庆辉
申请(专利权)人:四川普瑞森电子有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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