涉及射频放大器的快速接通的电路和设备制造技术

公开一种涉及射频(RF)放大器的快速接通的电路、方法和设备。在一些实施例中，RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器。在一些实施例中，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大器路径。在一些实施例中，所述放大器电路包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2014年7月14日提交的、名称为“CIRCUITSANDMETHODSRELATEDTOFASTTURN-ONOFRADIO-FREQUENCYAMPLIFIERS(涉及射频放大器的快速接通的电路和设备)”的美国临时申请No.62/024,087的优先权，由此其所公开的内容全部通过引用明确合并于此。
本公开涉及一种能够快速接通的射频放大器。
技术介绍
许多电子设备需要将输入射频(RF)信号放大为放大的输出RF信号。放大的输出RF信号可以通过使用RF放大器实现。
技术实现思路
根据一些实现方式，本公开涉及一种射频(RF)放大器电路，其包括被实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。在一些实施例中，所述RF放大器电路的放大路径进一步包括在所述开关和所述放大器之间实现的隔直电容。在一些实施例中，所述RF放大器电路的所述开关和放大器中的每一个包括具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET开关和FET放大器中的每一个是绝缘体上的硅(SOI)器件。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET开关被配置成处于接通状态，以当将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许所述RF信号在所述源极和所述漏极之间通过。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET放大器被配置成在其栅极处接收来自FET开关和隔直电容的RF信号以及通过其源极或漏极输出所述放大的RF信号。在一些实施例中，所述放大的RF信号通过FET放大器的漏极输出。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET放大器被配置成接通，以在将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许放大所述RF信号。在一些实施例中，施加到所述开关的信号包括施加到所述RF放大器电路的FET开关的源极和漏极以改善所述FET开关的插入损耗性能的下降沿信号，所述下降沿信号通过所述隔直电容与所述FET放大器耦接以导致所述FET放大器从所述断开状态缓慢转换到所述接通状态。在一些实施例中，所述RF放大器电路的补偿电路包括耦接到所述FET放大器的栅极的隔直电容。在一些实施例中，所述RF放大器电路的补偿电路的隔直电容被配置成提供上升沿补偿信号到所述FET放大器的栅极的的电容性耦接以提供补偿施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应的至少一部分。在一些实施例中，由上升沿补偿信号的电容性耦接提供的补偿导致所述RF放大器电路的FET放大器从所述断开状态更快转换到所述接通状态。在一些实施例中，所述上升沿补偿信号到所述RF放大器电路的FET放大器的栅极的电容性耦接被配置成基本上消除施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应。在一些实施例中，所述RF放大电路的放大器包括低噪声放大器(LNA)。在一些实施例中，所述RF放大器电路的LNA被配置成放大接收到的WLAN信号。在一些实施例中，所述放大路径包括公共天线端口，并且在一些实施例中，所述放大路径被配置成在时分双工模式中操作。本公开还涉及一种用于放大射频(RF)信号的方法。所述方法包括提供用于放大所述RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述方法进一步包括向所述放大器提供补偿信号，以补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。根据一些实现方式，本公开涉及一种射频(RF)模块，其包括被配置成容纳多个组件的封装基底。所述RF模块进一步包括在所述封装基底上实现的RF放大器电路，所述RF放大器电路包括实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。在一些实现方式中，所述RF模块的开关和放大器被实现在公共裸芯上。在一些实现方式中，所述RF模块的公共裸芯是绝缘体上的硅(SOI)裸芯。在一些实现方式中，所述RF模块电路的补偿电路也被实现在公共裸芯上。在一些实现方式中，所述RF模块的放大器是低噪声放大器(LNA)，并且在一些实现方式中，所述RF模块是WLAN模块。根据一些实现方式，本公开涉及一种无线设备，其包括被配置成有助于发送和接收操作的天线以及与所述天线通信的RF放大器电路。所述RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器。所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。在一些实现方式中，所述放大器是低噪声放大器(LNA)，以及所述放大路径被配置成放大通过所述天线接收的RF信号。在一些实现方式中，所述RF放大器电路进一步包括被配置成放大待发送的RF信号的功率放大器(PA)路径。在一些实施例中，所述无线设备的放大路径和PA路径耦接到所述天线上。在一些实施例中，所述无线设备的RF放大器电路被配置成在时分双工模式中操作。在一些实现方式中，所述无线设备的RF放大器电路被配置成在一个或多个WLAN频率中操作。为了总结本公开，本专利技术的一些方面、优点以及新颖特征已在此处描述。可以理解的是全部这种优点不必根据本专利技术的任何特定实施例实现。因此，本专利技术可以以实现或优化按照此处教导的一个或一组优点的方式实施或执行，而不必实现此处可以教导或暗示的其他优势。附图说明图1示出被配置成接收输入RF信号RF_in，并产生放大的RF信号RF_out的RF放大器电路的框图。图2示出其中放大器的快速接通和断开是理想的示例结构。图3示出施加到RF放大器的示例控制信号。图4示出其中对于给定的放大器，假设以理想方式发生这种接通/断开状态间的转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频(RF)放大器电路，包括：放大路径，实现放大RF信号，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径；以及补偿电路，耦接到所述放大器，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。

【技术特征摘要】
2014.07.14 US 62/024,0871.一种射频(RF)放大器电路，包括：
放大路径，实现放大RF信号，所述放大路径包括开关和放大器，所述
开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放
大路径；以及
补偿电路，耦接到所述放大器，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所
述开关的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
2.如权利要求1所述的电路，其中所述放大路径进一步包括在所述开关
和所述放大器之间实现的隔直电容。
3.如权利要求2所述的电路，其中所述开关和放大器中的每一个包括具
有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。
4.如权利要求3所述的电路，其中所述FET开关被配置成处于接通状
态，以使得将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许所述RF信号在所述
源极和所述漏极之间通过。
5.如权利要求4所述的电路，其中所述FET放大器被配置成在其栅极
处接收来自所述FET开关和所述隔直电容的RF信号，以及通过其源极或漏
极输出所述放大的RF信号。
6.如权利要求5所述的电路，其中所述放大的RF信号通过所述FET
放大器的漏极输出。
7.如权利要求5所述的电路，其中所述FET放大器被配置成接通，以
使得将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许放大所述RF信号。
8.如权利要求7所述的电路，其中施加到所述开关的信号包括施加到所
述FET开关的源极和漏极的下降沿信号以改善所述FET开关的插入损耗性
能，所述下降沿信号通过所述隔直电容与所述FET放大器耦接以导致所述
FET放大器从所述断开状态缓慢转换到所述接通状态。
9.如权利要求8所述的电路，其中所述补偿电路包括耦接到所述FET
放大器的栅极的隔直电容。
10.如权利要求9所述的电路，其中所述补偿电路的隔直电容被配置成
提供上升沿补偿信号到所述FET放大器的栅极的电容性耦接以提供补偿施加
到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应的至少一部

\t分。
11.如权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·拉姆，V·戈文德，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US