宽带隙高密度半导体开关器件制造技术

本实用新型专利技术的各个实施例涉及宽带隙高密度半导体开关器件。开关器件(100)，诸如势垒结肖特基(JBS)二极管，具有第一导电类型的碳化硅的本体(101)，该本体(101)容纳有第二导电类型的开关区域(102)。开关区域从本体(101)的顶表面延伸并且在开关区域之间划定出本体表面部(104)。具有均匀化学物理特性的接触金属层(11)在本体的顶表面上延伸并且与本体的顶表面直接接触，并且与本体(101)的表面部(104)形成肖特基接触金属部以及与开关区域(102)形成欧姆接触金属部。通过将镍层或者钴层沉积在本体(101)上并且进行热处理从而使得该金属与本体的半导体材料反应从而形成硅化物，来形成接触金属层(110)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种开关器件(100)，其特征在于，包括：本体(101)，由半导体材料制成，具有表面(103)和第一导电性类型；开关区域(102)，具有第二导电性类型，所述开关区域在所述本体(101)中从所述表面延伸，并且在所述开关区域(102)之间划定出表面部(104)；肖特基接触金属部，在所述表面上，并且与所述表面部(104)直接接触；以及欧姆接触金属部，在所述表面上，并且与所述开关区域直接接触，其中所述肖特基接触金属部和所述欧姆接触金属部由具有均匀的化学物理特性的接触金属层(110)形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·萨焦，S·拉斯库纳，F·罗卡福尔特，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT