一种恒流二极管结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。本实用新型专利技术提供的一种恒流二极管结构，直流等效阻抗低、低启动电压、交流等效阻抗高、负温度系数。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种恒流二极管结构，属于二极管制造

技术介绍
恒流二极管早就出现在人们生活中，但并没有引起人们的关注，只是用于某些仪器仪表中作为电流的标准。近来随着LED产业的蓬勃发展，此类二极管引起了广泛关注。常见恒流二极管，电流或多或少会随电压而有所增加，温度特性也会影响恒流效果。
技术实现思路
目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种恒流二极管结构。技术方案：为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。所述N+注入区数量设置为两个。还包括电极，所述电极设置在N+注入区、N阱、P阱的顶部。作为优选方案，所述电极数量设置为两个。作为优选方案，所述阳极、电极均采用铝材质。有益效果：本技术提供的一种恒流二极管结构，本设计直流等效阻抗低、低启动电压、交流等效阻抗高、负温度系数。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术作更进一步的说明。如图1所示，一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。所述N+注入区数量设置为两个。还包括电极，所述电极设置在N+注入区、N阱、P阱的顶部。作为优选方案，所述电极数量设置为两个。作为优选方案，所述阳极、电极均采用铝材质。具体使用方式如下：当一个反向偏压加到PN结的阴极和阳极时，此时恒流二极管开始导通，当反向偏压增加，其电流也增加，当电流增加到拐点时，N阱区和P型栅之间形成一个耗尽层P+注入区，这个耗尽层减小了N阱区中电流的路径也减慢了电流的增加速度。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种恒流二极管结构，包括P型衬底，其特征在于：还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。

【技术特征摘要】
1.一种恒流二极管结构，包括P型衬底，其特征在于：还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。
2.根据权利要求1所述的一种恒流二极管结构，其特征在于：还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。
3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅立铭，
申请(专利权)人：苏州汉克山姆照明科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32