衬底处理装置、半导体器件的制造方法及炉口盖体制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置，半导体制造装置的制造方法及炉口盖体。能抑制反应管内的处理气体的再液化。具有：反应管，对衬底进行处理；供给部，向所述衬底供给反应物；排气部，将所述反应管内的气体排出；第一加热部，对所述反应管内的所述衬底进行加热；第二加热部，在所述反应管内的下游侧，对从所述供给部朝向所述排气部在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热；和炉口盖体，将所述反应管闭塞，具有设置于与所述反应管的外壁对应的位置、且通过所述第二加热部被加热的热吸收部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体制造装置的制造方法及炉口盖体。
技术介绍
一直以来，作为例如DRAM等半导体器件的制造工序的一项工序，有时进行向搬入衬底后的反应管内供给处理气体从而在衬底的表面形成氧化膜的工序。所述工序例如利用下述衬底处理装置进行实施，所述衬底处理装置包括:反应管，收纳衬底并进行处理；供给部，向反应管内的衬底供给使液体原料气化后的处理气体；加热部，对收纳于反应管内的衬底进行加热。
技术实现思路
然而，对于上述衬底处理装置而言，有在反应管内产生不易被加热部加热的低温区域的情况。如果处理气体通过这样的低温区域，则存在处理气体冷却至比气化点更低的温度从而发生再液化的情况。本专利技术的目的在于提供能够抑制反应管内的处理气体的再液化的衬底处理装置、半导体制造装置的制造方法及炉口盖体。根据一方案，提供一种衬底处理装置，具有:反应管，对衬底进行处理；供给部，向所述衬底供给反应物；排气部，将所述反应管内的气体排出；第一加热部，对所述反应管内的所述衬底进行加热；第二加热部，在所述反应管内的下游侧，对从所述供给部朝向所述排气部在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热；和炉口盖体，将所述反应管闭塞，具有设置于与所述反应管的外壁对应的位置、且通过所述第二加热部被加热的热吸收部。根据另一方案，提供一种半导体器件的制造方法，具有下述工序:将衬底搬入反应管内；利用第一加热部对所述反应管内的所述衬底进行加热，利用供给部将反应物供给至所述衬底并进行处理；和从所述反应管内将处理后的所述衬底搬出，在处理所述衬底的工序中，以抑制从所述供给部朝向所述排气部流动的气态的所述反应物在闭塞所述反应管的炉口盖体附近发生液化的方式，利用第二加热部对设置于所述炉口盖体的热吸收部进行加热。根据又一方案，提供一种炉口盖体，其将反应管闭塞，所述反应管具有:收纳衬底的反应管；设置于所述反应管、对衬底进行加热的第一加热部；和在所述反应管内的下游侧对在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热的第二加热部，其中，在炉口盖体的上部具有通过所述第二加热部被加热的热吸收部。根据本专利技术的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及炉口盖体，能够抑制反应管内的处理气体的再液化。【附图说明】图1是本专利技术的一实施方式的衬底处理装置的结构简图。图2是本专利技术的一实施方式的衬底处理装置所具备的处理炉的纵截面简图。图3是本专利技术的一实施方式的炉口附近的结构简图。图4是本专利技术的另一实施方式的炉口附近的结构简图。图5是本专利技术的又一实施方式的炉口附近的结构简图。图6是本专利技术的一实施方式中优选使用的炉口部附近的结构简图。图7是本专利技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的结构简图。图8是表示本专利技术的一实施方式的衬底处理工序的流程图。图9是本专利技术的比较例的炉口附近的结构简图。【具体实施方式】<本专利技术的一实施方式>以下，针对本专利技术的一实施方式，一边参照附图一边进行说明。(1)衬底处理装置的构成首先，主要使用图1及图2，对本实施方式的衬底处理装置的构成进行说明。图1是本实施方式的衬底处理装置的结构简图，以纵截面的形式表示处理炉202部分。图2是本实施方式的衬底处理装置所具备的处理炉202的纵截面简图。(反应管)如图1所示，处理炉202包括反应管203。反应管203例如由石英(Si02)或碳化硅(Sic)等耐热性材料形成，并形成上端及下端开口的圆筒形状。在反应管203的筒中空部形成有处理室201，并以下述方式构成:通过后述晶舟217，能够以水平姿势、且以在垂直方向上排列多层的状态收纳作为衬底的晶片200。在反应管203的下部设置有作为炉口盖体(能够将反应管203的下端开口气密地闭塞)的密封盖219。密封盖219以从垂直方向下侧抵接于反应管203的下端的方式构成。密封盖219形成为圆板状。需要说明的是，密封盖219例如由不锈钢(SUS)等金属或石英等形成。作为衬底保持具的晶舟217以多层地保持多片晶片200的方式构成。晶舟217具备保持多片晶片200的多根(例如3根)支柱217a。多根支柱217a分别架设于底板217b和顶板217c之间。多片晶片200在支柱217a上以水平姿势且以彼此中心对齐的状态进行排列，并在管轴方向上被多层地保持。顶板217c以比保持于晶舟217上的晶片200的最大外径大的方式形成。作为支柱217a、顶板217c的构成材料，最好使用例如碳化硅(SiC)、氧化铝(A10)、氮化铝(A1N)、氮化硅(SiN)、氧化锆(ZrO)等热传导性良好的非金属材料。尤其是最好使用热传导率为10W/mK以上的非金属材料。需要说明的是，支柱217a可以由不锈钢(SUS)等金属、石英等形成。在使用金属作为支柱217a、顶板217c的构成材料的情况下，更优的是对金属实施TEFLON (注册商标)加工。在晶舟217的下部设置有例如由石英、碳化硅(SiC)等耐热性材料形成的隔热体218，并以来自第一加热部207的热不易传递到密封盖219侧的方式构成。隔热体218作为隔热部件发挥功能，并且也作为保持晶舟217的保持体发挥功能。需要说明的是，隔热体218不限于将图示那样的形成为圆板形状的隔热板以水平姿势呈多层地设置多片而成的隔热体，还可以为例如形成为圆筒形状的石英盖等。此外，还可以认为隔热体218为晶舟217的构成部件之一。在反应管203的下方设置有作为升降机构(使晶舟217升降从而将其搬送于反应管203内外)的晶舟升降机。在晶舟升降机处设置有密封盖219，所述密封盖219在通过晶舟升降机使晶舟217上升时密封炉口。在密封盖219的与处理室201相反一侧设置有使晶舟217旋转的晶舟旋转机构267。晶舟旋转机构267的旋转轴261以下述方式构成:贯穿密封盖219并与晶舟217连接，通过使晶舟217旋转从而使晶片200旋转。(第一加热部)在反应管203的外侧，以呈同心圆状包围反应管203的侧壁面的方式设置有对反应管203内的晶片200进行加热的第一加热部207。第一加热部207以被加热器底座206支撑的方式设置。如图2所示，第一加热部207包括第一加热器单元207a、第二加热器单元207b、第三加热器单元207c、第四加热器单元207d。各加热器单元207a、207b、207c、207d分别沿着反应管203内的晶片200的层合方向进行设置。在反应管203内设置有分别与各加热器单元对应的、例如由热电偶等构成的第一温度传感器263a、第二温度传感器263b、第三温度传感器263c、第四温度传感器263d。各温度传感器263分别设置于反应管203和晶舟217之间。需要说明的是，各温度传感器263可以以下述方式进行设置:对利用各加热器单元进行加热的多片晶片200中位于中央的晶片200的温度进行检测。后述的控制器121与第一加热部207、各温度传感器263电连接。控制器121基于通过各温度传感器263检测到的温度信息，分别在规定的时机对供给至第一加热器单元207a、第二加热器单元207b、第三加热器单元207c、第四加热器单元207d的电力进行控制，以使得反应管203内的晶片200的温度成为规定的温度。如此，以下述方式构成:分别进行第一加热器单元207a、第二加热器单元207b、第三加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，具有：反应管，对衬底进行处理；供给部，向所述衬底供给反应物；排气部，将所述反应管内的气体排出；第一加热部，对所述反应管内的所述衬底进行加热；第二加热部，在所述反应管内的下游侧，对从所述供给部朝向所述排气部在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热；和炉口盖体，将所述反应管闭塞，具有设置于与所述反应管的外壁对应的位置、且通过所述第二加热部被加热的热吸收部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎惠信，泉学，野上克明，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP