本发明专利技术的热传导性片材含有热固化性树脂(A)和分散于热固化性树脂(A)中的无机填料(B)。而且，本发明专利技术的热传导性片材是，对于将该热传导性片材的固化物在700℃加热处理4小时灰化后的灰化残渣含有的无机填料(B)，利用水银压入法进行细孔径分布测定时，利用上述水银压入法测得的、以细孔径R为横轴且以对数微分细孔容积(dV/dlogR)为纵轴时的细孔径分布曲线中，细孔径R在1.0μm～10.0μm的范围具有峰(P)，该峰(P)中2个以上的峰相互重叠。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热传导性片材、热传导性片材的固化物和半导体装置。
技术介绍
以往已知将绝缘概双极晶体管（IGBT !Insulated Gate Bipolar Transistor)和 二极管等半导体芯片、电阻以及电容器等电子部件搭载于基板上而构成的变频器装置或动 力半导体装置。 这些电力控制装置根据其耐压和电流容量应用于各种机器。尤其是，从近年的环 境问题、节能化推进的观点出发，这些电力控制装置面向各种电动机械的使用正逐年扩大。 尤其是关于车载用电力控制装置，要求其小型化、省空间化且将电力控制装置设 置于引擎室内。引擎室内为温度高、温度变化大等严酷的环境，需要高温下的散热性和绝缘 性更加优异的部件。 例如，专利文献1公开了一种将半导体芯片搭载于引线框等支撑体，将支撑体和 与散热器连接的散热板用绝缘树脂层粘合而成的半导体装置。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2011-216619号公报
技术实现思路
但是，这样的半导体装置仍然不能充分满足在高温下的散热性和绝缘性。因此，存 在使半导体芯片的热量充分散热至外部，保持电子部件的绝缘性变得困难的情况，这种情 况下，半导体装置的性能降低。 根据本专利技术，提供一种热传导性片材，该热传导性片材含有固化性树脂和分散于 上述热固化性树脂中的无机填料，对于将该热传导性片材的固化物在700°C加热处理4小 时灰化后的灰化残渣含有的上述无机填料，利用水银压入法进行细孔径分布测定时，利用 上述水银压入法测得的、以细孔径R为横轴且以对数微分细孔容积（dV/dlogR)为纵轴时的 细孔径分布曲线中，上述细孔径R在1.0 μπι~10. Ομπι的范围具有峰（P)，上述峰（P)中2 个以上的峰相互重叠。 本专利技术的热传导性片材是，上述无机填料的细孔分布曲线中，上述细孔径R在 ΙμL?~10 μπι的范围中具有峰（P)，上述峰（P)中2个以上的峰相互重叠。为这样的无机 填料时，由于热固化性树脂充分进入无机填料的内部，因此，热传导性片材中的空隙的产生 少。由此，能够提高热传导性片材及其固化物的绝缘性，因此能够提高所得到的半导体装置 的绝缘可靠性。 而且热传导性片材中的上述无机填料的填充性高，上述无机填料之间的接触面积 大。由此，能够提高热传导性片材及其固化物的热传导性。 由以上可推测，根据本专利技术，通过上述无机填料显示上述细孔分布曲线，能够得到 散热性和绝缘性的平衡优异的热传导性片材及其固化物。而且，通过将该热传导性片材应 用于半导体装置，能够实现耐久性高的半导体装置。 此外，根据本专利技术，能够提供使上述热传导性片材固化而成的热传导性片材的固 化物。 此外，根据本专利技术，能够提供半导体装置，其具备金属板、设置于上述金属板的第1 面侧的半导体芯片、在上述金属板的与上述第1面相反侧的第2面接合的热传导件、以及将 上述半导体芯片和上述金属板密封的密封树脂，上述热传导件由上述热传导性片材形成。 根据本专利技术，能够提供散热性和绝缘性的平衡优异的热传导性片材及其固化物以 及耐久性高的半导体装置。 上述的目的和其他目的、特征和优点通过以下所述的适当的实施方式及其附带的 以下附图进一步明确。【附图说明】 图1是本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置的截面图。 图2是本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置的截面图。【具体实施方式】 以下，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。应予说明，所有的附图中，同样的 构成要素标以相同符号，为了不重复，其详细说明适当省略。此外，图是概略图，未必与实际 的尺寸比率一致。此外，只要"~"没有特别说明，则表示以上至以下。 首先，对本实施方式涉及的热传导性片材进行说明。 本实施方式涉及的热传导性片材含有热固化性树脂（A)和分散于热固化性树脂 ⑷中的无机填料（B)。 而且，对于将该热传导性片材的固化物在700°C加热处理4小时灰化后的灰化残 渣含有的无机填料（B)，利用水银压入法进行细孔径分布测定时，利用上述水银压入法测得 的、以细孔径R为横轴且以对数微分细孔容积（dV/dlogR)为纵轴时的细孔径分布曲线中， 细孔径R在1. 0 μ m~10. 0 μ m、优选为I. 0 μ m~8. 0 μ m的范围具有峰（P)。 此外，峰（P)中2个以上、优选为3个以上，而且，优选为4个以下、更优选为3个 以下的峰相互重叠。峰（P)例如能够利用水银压入式的孔隙率计测定。 其中，细孔径R在上述范围具有峰（P)是指，峰（P)的极大值位于上述范围内。此 外，本实施方式中，细孔径表示细孔的直径。此外，2个以上的峰相互重叠，意味着峰（P)具 有2个以上的极大值，且各个峰不能分离。应予说明，肩峰也作为一个峰计数。 通过将这样的热传导性片材的固化物作为热传导件应用于半导体封装件等半导 体装置中，能够实现耐久性高的半导体装置。 其中，峰⑵中，优选细孔径R在优选为I. 0 μπι~3. 0 μπι、更优选为I. 0 μπι~ 2. 5 μ m的范围具有第1极大值，细孔径R在优选为大于3. Ομπι且10. Ομπι以下、更优选为大 于3. Ομπι且8. Ομπι以下的范围具有第2极大值。其中，认为与第1极大值对应的峰（Pl) 表示无机填料（B)粒子内的空隙体积，与第2极大值对应的峰（Ρ2)表示无机填料（B)粒子 间的空隙体积。其中，上述各范围内各个极大值具有2个以上时，将最大的数值作为第1极 大值或第2极大值。 无机填料⑶具有峰（Pl)时，由于热固化性树脂㈧充分进入无机填料⑶的内 部，因此，热传导性片材中的空隙的产生少。由此，由于能够提高热传导性片材及其固化物 的绝缘性，能够提高得到的半导体装置的绝缘可靠性。 此外，无机填料（B)具有峰（P2)时，无机填料（B)在热传导性片材中的填充性高， 无机填料（B)之间的接触面积大。由此，能够提高热传导性片材及其固化物的热传导性。 本实施方式涉及的热传导性片材中，上述细孔径R在1.0 μπι~10. Ομπι的范围中 的累积细孔体积Vl优选为0. lmL/g~2. OmL/g，更优选为0. 2mL/g~I. 8mL/g，进一步优选 为 0· 3mL/g ~I. 6mL。 累积细孔体积Vl在上述范围内时，能够得到散热性和绝缘性的平衡更加优异的 热传导性片材及其固化物。 根据本实施方式，无机填料（B)的细孔分布曲线在细孔径R为I. 0 μ m~10. 0 μ m 的范围中，具有峰（P)，峰（P)为2个以上的峰相互重叠。为这样的无机填料（B)时，由于热 固化性树脂（A)充分进入无机填料（B)的内部，因此热传导性片材中的空隙的产生少。由 此，由于能够提高热传导性片材及其固化物的绝缘性，因此，能够提高所得到的半导体装置 的绝缘可靠性。 而且，无机填料（B)在热传导性片材中的填充性提高，能够更加增大无机填料（B) 之间的接触面积。由此，能够提高热传导性片材及其固化物的热传导性。 由以上可推测，根据本实施方式，通过热传导性片材中的无机填料（B)具有上述 细孔分布曲线，能够得到散热性和绝缘性的平衡优异的热传导性片材及其固化物。而且，通 过将该热传导性片材应用于半导体装置，能够实现耐久性高的半导体装置。 应予说明，本实施方式中，热传导性片材是指B阶段状态的片材本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种热传导性片材，含有热固化性树脂和分散于所述热固化性树脂中的无机填料，其特征在于，对于将该热传导性片材的固化物在700℃加热处理4小时灰化后的灰化残渣含有的所述无机填料，利用水银压入法进行细孔径分布测定时，利用所述水银压入法测得的、以细孔径R为横轴且以对数微分细孔容积即dV/dlogR为纵轴时的细孔径分布曲线中，所述细孔径R在1.0μm～10.0μm的范围具有峰P，所述峰P中2个以上的峰相互重叠。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：望月俊佑，北川和哉，白土洋次，长桥启太，津田美香，平沢宪也，黑川素美，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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