一种带自举电路的整流电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带自举电路的整流电路，其包括：NMOS交叉耦合输入级电路，用于接收一个正负跳变的交流信号；PMOS开关输出级电路，用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流；自举电路，用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗；所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管；所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管；所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容，所述第三PMOS管的源极接输出电压，漏极和栅极接所述自举电容，其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路，并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高频整流领域，尤其是高频整流电路中的M0S整流电路模块。
技术介绍
整流电路是将交流电压变换成直流电压的电路。整流电路按照电路结构分可以分成半波整流电路和全波整流电路，半波整流电路去掉了交流电的半周，但没有改变直流电中交流电的频率，全波整流将交流电正负半周按原样合并，因而整流的频率扩展成了交流电的两倍，对于滤波电路来说也有利于高频信号的滤波。所以对于要求高能量转换效率的系统来说，一般都会使用全波整流电路。在中低频应用领域，对于高能量转换效率的系统，传统整流元件一般使用桥式二极管整流，但是在高频的应用领域，由于二极管的反向恢复时间长、导通压降高，普通的元件已经不满足能量转换效率的应用，即能量转换效率会很低。高频整流电路的应用十分广泛，是当前的研究热点，例如在射频识别领域的无源智能卡中，携带信息和能量的交流信号通过高频整流电路将交流信号转变成直流信号，并利用其对无源智能卡中的其他模块进行供电，这就要求整流电路具有较高的转换效率；此夕卜，在微型隔离电源中，高频整流电路的应用也十分广泛，在微型隔离电源领域，其整流电路的工作频率往往可以达到上百兆赫兹，但传统整流电路中二极管的反向恢复时间和导通压降的损耗已经不能满足高功率转换的要求，因此，该领域的高频整流电路一般多采用肖特基二极管的全桥整流方式。目前，采用肖特基二极管的全桥整流电路较M0S管的整流方案而言，具有导通压降大，反向恢复时间长的缺点；此外，肖特基二级管的工艺制造成本也比标准CMOS工艺高。M0S管整流方案可以很好地规避肖特基二极管整流方案的缺点，并且目前M0S管整流技术已经广泛应用于射频识别领域。但是传统的M0S管整流电路同样存在一定的缺点【参考文献姜帆，郭东辉，“无源射频识别标签整流电路的分析与设计，”上海交通大学学报，第41卷2007年4月】。如图1所示，图la是利用NM0S交叉耦合并带NM0S 二极管接法的整流电路，该电路利用漏极和栅极相连的二极管连接NM0S做为开关，但它存在一个阈值电压损耗，会影响能量转换的效率，目前，多采用专门设计具有零阈值电压的M0S管来解决这个问题，但是需要专门工艺的支持，这就增加了制造成本；图lb是利用NM0S、PM0S交叉耦合的整流电路，该电路充分利用了 M0S管的交叉耦合特性，使得该电路在导通时抵消了阈值电压的损耗，但是当输出的电压高于PM0S管的栅极电压时，负载电流会回流到输入端，同样会影响能量转换效率。随后，针对传统M0S整流电路，研究人员对其做了改进，提出了自举型M0S整流电路【参考文献 S.Hashemi，M.Sawan，and Y.Savaria，“Fully-1ntegrated Low-VoltageHigh-Efficiency CMOS Rectifier for Wirelessly Powered Devices，，，NEWCAS-TAISA2009，Jul.2009.】，如图lc所示，该方案利用对自举电容充电将其电压自举到PM0S管的栅极，保证输入和输出均高于自举电压，从而在抵消阈值损耗的同时也防止了 PM0S管的电流回流现象。但是该方案中存在两个电容元件和两个二极管连接的PMOS管，其电路结构复杂，且电容元件也会占据芯片版图的大量面积，从而提高了生产成本。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的主要目的:1、抵消整流电路中M0S管的阈值电压损耗，避免负载电流回流现象，确保M0S器件没有反向恢复时间限制以提升整流电路的能量转换效率；2、采用标准CMOS工艺实现整流电路，以降低工艺制造方面的成本；3、提供一种超低功耗的二极管连接方法，以有效防止M0S管在亚阈值区的漏电流情况；4、提供一种结构简单并且有效的减小完整芯片面积的方案。(二)技术方案为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种带自举电路的整流电路，其包括:NM0S交叉耦合输入级电路，用于接收一个正负跳变的交流信号；PM0S开关输出级电路，用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流；自举电路，其包括二极管连接的PM0S管和电容，用于提供PM0S开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗；其中，所述交叉耦合连接的NM0S输入级电路包括交叉耦合连接的第一 NM0S管和第二 N0MS管；所述PM0S开关输出级电路320包括栅极互联的第一 PM0S管和第二 PM0S管；所述自举电路包括第三PM0S管和自举电容，所述第三PM0S管的源极接输出电压，漏极和栅极接所述自举电容，其利用二极管连接的第三PM0S管向所述自举电容提供充放电回路，并且使得所述自举电容充电至小于所述PM0S开关输出级电路中第一 PM0S管或第二 PM0S管MP2的源级一个阈值电压的电位。根据本专利技术第二方面，其提供了一种全集成隔离电源模块，其包括:振荡器，用于将直流电压逆变成交流信号；微型变压器，用于对所述交流信号进行耦合传输；如上所述的整流电路，用于对耦合传输后的交流电压进行整流，得到输出信号；反馈控制器，用于检测输出电压的变化以稳定输出电压。根据本专利技术第三方面，其还提供了一种无源智能卡芯片，其包括:天线，用于接收高频的交流信号；如上所述的整流电路，用于对接收到的交流信号进行整流滤波，以获得直流能量对所述无源智能卡芯片进行供电；负载。作为本专利技术的另一个方面，整个整流电路均使用M0S管和电容，采用标准CMOS工艺设计以及制造，减少了工艺制造成本；并且与相同面积的肖特基二极管相比，具有更大的驱动能力和更高的工作效率，尤以高频工作更为明显。(三)有益效果本专利技术的M0S整流电路具有如下优点，有益效果均--对应要解决的技术问题:1、能量转换效率高:改进的自举型M0S整流电路消除了阈值电压损耗，没有反向恢复时间的限制，并且自举的电容电压(VCAP)使PM0S开关管(MP1、MP2)不会出现由于反向导通而形成的负载电流向输入级回流的现象；2、降低了成本:本专利技术所述的改进型M0S方案，用标准CMOS工艺实现，不需要采用特殊工艺的肖特基二极管制造，且在相同面积条件下，M0S整流较肖特基二极管的整流能力更强；3、性能提升:本专利技术中所述的超低功耗二极管接法，可以有效防止PM0S 二极管连接的漏电流现象，自举电容充电快速，提高了系统的响应速率，从而提高了整流电路的性能指标;实现方式简单:采用一组超低功耗二极管和电容就可以实现自举模块，避免了芯片面积过大的缺点。【附图说明】图la为传统的NM0S交叉耦合并带二极管连接的M0S整流电路示意图；图lb为传统的NMOS、PM0S交叉耦合的M0S整流电路示意图；图lc为自举型M0S整流电路示意图；图2a为不带超低功率二级管的改进自举型M0S整流电路模块；图2b为改进自举型M0S整流电路模块；图2c为应用于集成隔离电源中的改进自举型整流电路示意图；图2d为应用于射频识别中的改进自举型整流电路示意图；图3为整流模块的关键波形图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。本专利技术第一实施例中提供了一种带自举电路的整流电路。如图2a所示，该整流电路包括:NM0S交叉耦合输入级电路310，用于接收一个正负跳变的交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带自举电路的整流电路，其包括：NMOS交叉耦合输入级电路，用于接收一个正负跳变的交流信号；PMOS开关输出级电路，用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流；自举电路，其包括二极管连接的PMOS管和电容，用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗；其中，所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管；所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管；所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容，所述第三PMOS管的源极接输出电压，漏极和栅极接所述自举电容，其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路，并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰，潘东方，李金良，刘姗姗，
申请(专利权)人：中国科学院自动化研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11