一种手持机电源管理电路制造技术

一种手持机电源管理电路，涉及电源管理技术领域，目的在于解决传统手持设备在待机状态下能耗的问题，提供一种在待机状态下系统消耗的电流几乎为0mA的电源管理电路。其包括P沟道MOS管Q1：用于连通电源与MCU的PWR_CHECK引脚，栅极连接有电阻R14；N沟道MOS管Q2：漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，源极接地，源极与栅极间连接有电阻R17，栅极连接有电阻R16，栅极设置有用于连接MCU的PWR_CTL引脚的二极管D3，二极管D3阳极接PWR_CTL引脚；开关K3：用于控制电源与N沟道MOS管Q2之间的通断；开关状态检测电路：用于检测开关K3开关状态，连接K3与MCU的MEAS_KEY引脚。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源管理
，提供了一种手持机电源管理电路。
技术介绍
在使用手持机的时候必须对电源进行有效的管理，节约电源，降低功耗，延长电池的寿命是手持机研发中的一大难题，传统电源管理方案为在系统不需要工作的时候，让MCU处于深度睡眠，并且关闭FPGA的PLL时钟输出，并且采用三极管关闭液晶以及一些外围电路的电源，这样可以使得系统总电流理论上能小于1mA。但是当设备长时间处于未测量状态，即使电流非常小，时间累计也会消耗很多电流，造成电池使用时间缩短，这种方式显然不是最好的方式。实用型新内容本实用型新的目的在于解决传统手持设备在待机状态下能耗的问题，提供一种在待机状态下系统消耗的电流几乎为OmA的电源管理电路。本实用型新为了解决上述技术问题采用以下技术方案:一种手持机电源管理电路，其包括:P沟道MOS管Ql:用于连通电源与MCU的PWR_CHECK引脚，栅极连接有电阻R14，N沟道MOS管Q2:漏极与P沟道MOS管Ql的栅极连接，源极接地，源极与栅极间连接有电阻Rl7，栅极连接有电阻R16，栅极设置有用于连接MCU的PWR_CTL引脚的二极管D3，二极管D3阳极接PWR_CTL引脚；开关K3:用于控制电源与N沟道MOS管Q2之间的通断；开关状态检测电路:用于检测开关K3开关状态，连接K3与MCU的MEAS_KEY引脚。 上述技术方案中，所述开关K3通过二极管D4接电阻R16。上述技术方案中，所述二极管D3采用MBR0520型号。上述技术方案中，MOS管采用2N7002型号。上述技术方案中，开关状态检测电路包括N沟道MOS管Q1，N沟道MOS管Ql的栅极通过电阻R8接开关K3，源极接地，漏极接MEAS_KEY引脚。上述技术方案中，P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、P沟道MOS管Ql的源极和漏极之间设置有稳压管。当开关K3断开:电阻R17下拉N沟道MOS管Q2的栅极电压，N沟道MOS管Q2截止，电阻R14将P沟道MOS管Ql的栅极电压上拉为高电平，P沟道MOS管Ql截止，MCU的PffR_CHECK与电源断开；当开关K3闭合:电源电压经过电阻R17和电阻R16分压后，N沟道MOS管Q2栅极获得高电平而导通，P沟道MOS管Ql栅极通过N沟道MOS管Q2接地而电压为零，P沟道MOS管Ql导通，MCU的PWR_CHECK与电源接通，MCU的电源输出控制端PWR_CTL输出为高电平，N沟道MOS管Q2形成自锁；MCU续电1s:MCU续电过程中通过MEAS_KEY持续检测K3是否按下，如果K3按下，开启新一次测量，那定时1s关机时间清零，重新定时10s。当1s内没有再次按下K3那MCU输出PWR_CTL为低电平，Q2管的VGS=0V，Q2管关断，此时标注点3由于上拉变回9V，Q3管的VGS=0V，Q3管也关断，Sff_9V为0V，整个系统断电。通过以上的4个步骤完成对总电源的智能管理，当整个系统断电的情况下，只有MOS管Ql和9V相接，由于Ql此时处于关断状态，整个系统耗电等于Ql此时的静态关断电流，由2SJ355数据手册得知，现在消耗电流小于10uA，因此，整个系统消耗电流是非常微小的，实现了超低功耗管理方案。总电源开关电路中，最重要的为二极管D3，M0S管Q2选型，由于本设计中需要MCU输出高电平对Q2管进行续电，为了防止K3按键按下时候的4.5V高电平损害到MCU的1口，因此需要加上二极管D3，当MCU需要输出高电平3.3V对Q2进行续电情况下，如果采用普通二极管，经过二极管后压降为0.7V，这样造成VGS=2.6V，不能完全打开一般的MOS管，因此，在本设计中，采用的是低压降0.3V的二极管MBR0520以及VGS=2.5V导通的MOS管2N7002o综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用型新的有益效果是:二、本实用型新当系统采用简单的电路结构，通过对按键K3的状态进行判定，控制整个系统的电源，使得整个系统消耗的电流几乎为0mA。其消耗电路仅为场效应管的微小的静态电流。三、本申请的总电源开关电路中，最重要的为二极管D3，MOS管Q2选型，由于本设计中需要MCU输出高电平对Q2管进行续电，为了防止K3按键按下时候的4.5V高电平损害到MCU的1 口，因此需要加上二极管D3，当MCU需要输出高电平3.3V对场效应管Q2进行续电情况下，如果采用普通二极管，经过二极管后压降为0.7V，这样造成VGS=2.6V，不能完全打开一般的MOS管，因此，在本设计中，采用的是低压降0.3V的二极管MBR0520以及VGS=2.5V 导通的 MOS 管 2N7002。【附图说明】图1是本实用型新的电路图。【具体实施方式】本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。下面结合图1对本实用型新作详细说明。本技术提供了一种手持机电源管理电路，包括:P沟道MOS管Ql:用于连通电源与MCU的PWR_CHECK引脚，栅极连接有电阻R14，N沟道MOS管Q2:漏极与P沟道MOS管Ql的栅极连接，源极接地，源极与栅极间连接有电阻R17，栅极连接有电阻R16，栅极设置有用于连接MCU的PWR_CTL引脚的MBR0520型号的二极管D3，二极管D3阳极接PWR_CTL引脚；开关K3:用于控制电源与N沟道MOS管Q2之间的通断，通过二极管D4接电阻R16 ;开关状态检测电路:用于检测开关K3开关状态，连接K3与MCU的MEAS_KEY引脚。包括N沟道MOS管Q1，N沟道MOS管Ql的栅极通过电阻R8接开关K3，源极接地，漏极接MEAS_KEY 引脚。在P沟道MOS管Ql、N沟道MOS管Q2、P沟道MOS管Ql的源极和漏极之间设置有稳压管。实施例1本技术提供了一种手持机电源管理电路，包括:P沟道MOS管Ql:用于连通电源与MCU的PWR_CHECK引脚，栅极连接有电阻R14，N沟道MOS管Q2:漏极与P沟道MOS管Ql的栅极连接，源极接地，源极与栅极间连接有电阻Rl7，栅极连接有电阻R16，栅极设置有用于连接MCU的PWR_CTL (电源输出的控制端)引脚的MBR0520型号的二极管D3，二极管D3阳极接PWR_CTL引脚；开关K3:用于控制电源与N沟道MOS管Q2之间的通断，通过二极管D4接电阻R16 ;开关状态检测电路:用于检测开关K3开关状态，连接K3与MCU的MEAS_KEY引脚。包括N沟道MOS管Q1，N沟道MOS管Ql的栅极通过电阻R8接开关K3，源极接地，漏极接MEAS_KEY 引脚。在P沟道MOS管Ql、N沟道MOS管Q2、P沟道MOS管Ql的源极和漏极之间设置有稳压管。实施例2将实施例1中的场效应管采用其他电子开关器件进行代替，如三极管、IGBT等。实施例3在使用中，整个电路工作分为四个个阶段:K3按键未按下、Κ3按键按下、Κ3按键弹起、MCU续电10s。K3按键未按下当K3未按下时候，电池电源未导通，如图3.1所示，在图中标注点2的电压由于电阻R17下拉，此时为低电平，因此N沟道MOS管Q2处于关断状态，此时标注点3的电压由于电阻R14的上拉，此时为9V高电平，P沟道MOS管Ql处于关断状态，因此总电源SW_9V此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种手持机电源管理电路，其特征在于，包括：P沟道MOS管Q1：用于连通电源与MCU的PWR_CHECK引脚，栅极连接有电阻R14，N沟道MOS管Q2：漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，源极接地，源极与栅极间连接有电阻R17，栅极连接有电阻R16，栅极设置有用于连接MCU的PWR_CTL引脚的二极管D3，二极管D3阳极接PWR_CTL引脚；开关K3：用于控制电源与N沟道MOS管Q2之间的通断；开关状态检测电路：用于检测开关K3开关状态，连接K3与MCU的MEAS_KEY引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林杰，
申请(专利权)人：四川鸿创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51