自激式BJT型无桥Sepic PFC整流电路制造技术

一种自激式BJT型无桥Sepic PFC整流电路，包括输入电容Ci、NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、NPN型BJT管Q7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L1、电感L2、电感L3、电容Cs、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和受控电流源组M1。本发明专利技术提供一种简化驱动电路结构、驱动效率较高、同时获得易自启动的性能的自激式BJT型无桥Sepic PFC整流电路。

【技术实现步骤摘要】
自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路
本专利技术涉及PFC整流电路，应用于交流输入、直流输出的高质量电能变换场合，如：微能量收集系统、新能源发电系统、蓄电池充电系统、LED照明系统等，尤其是一种无桥SepicPFC整流电路。
技术介绍
PFC整流电路是一种具有功率因数校正(PFC)功能的能将交流电能转换成直流电能的电路，可提高直流负载对交流电源的利用率并且减小电流谐波对交流母线或交流电网的污染。传统SepicPFC整流电路是一种PFC整流电路，其主电路一般由桥式整流电路级联Sepic电路而成。为了减小桥式整流电路的损耗，无桥SepicPFC整流电路应运而生。无桥SepicPFC整流电路主要通过减少通路中导通器件数目的办法来达到提升电路效率的目的。早期，Si材料的BJT具有较大的驱动损耗、较高的开关损耗、较大的器件动态阻抗等缺点。因此，为了获得低功耗，中小功率的无桥SepicPFC整流电路中的全控型器件大多采用MOSFET。但是，MOSFET是电压型驱动器件，与电流型驱动器件BJT相比，MOSFET的驱动电路要比BJT的驱动电路更复杂。尤其在超低压或高压的工作环境中，MOSFET驱动电路的设计难度相当大。
技术实现思路
为克服现有MOSFET型无桥SepicPFC整流电路中MOSFET驱动电路复杂、效率较低、自启动性能较差的不足，本专利技术提供一种简化电路结构、效率较高、同时获得易自启动的性能的自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路，包括输入电容Ci、NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、NPN型BJT管Q7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L1、电感L2、电感L3、电容Cs、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和用于通过端口a控制NPN型BJT管Q1的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q1工作状态的控制；通过端口b控制NPN型BJT管Q2的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q2工作状态的控制；通过端口c控制NPN型BJT管Q5的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q5工作状态的控制的受控电流源组M1，输入电容Ci的一端同时与交流电源vac的正端、电阻R1的一端、电感L1的一端以及二极管D7的阳极相连，电感L1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、二极管D1的阴极、电阻R3的一端以及二极管D3的阳极相连，二极管D3的阴极同时与NPN型BJT管Q5的集电极、二极管D4的阴极以及电容Cs的一端相连，电容Cs的另一端同时与二极管D5的阳极以及电感L3的一端相连，二极管D5的阴极同时与输出电容Co的一端、输出电压Vo的正端以及负载Z1的一端相连，负载Z1的另一端同时与输出电压Vo的负端、输出电容Co的另一端、二极管D6的阳极、NPN型BJT管Q5的发射极、NPN型BJT管Q6的发射极、NPN型BJT管Q7的发射极、电阻R5的一端、电阻R6的一端、NPN型BJT管Q1的发射极、NPN型BJT管Q2的发射极、NPN型BJT管Q3的发射极、NPN型BJT管Q4的发射极、二极管D1的阳极以及二极管D2的阳极相连，二极管D6的阴极与电感L3的另一端相连，NPN型BJT管Q1的基极同时与电阻R1的另一端、NPN型BJT管Q3的集电极以及受控电流源组M1的端口a相连，NPN型BJT管Q3的基极同时与电阻R3的另一端、电阻R5的另一端以及NPN型BJT管Q6的基极相连，NPN型BJT管Q6的集电极同时与电阻R7的一端、受控电流源组M1的端口c、NPN型BJT管Q7的集电极以及NPN型BJT管Q5的基极相连，电阻R7的另一端同时与二极管D7的阴极以及二极管D8的阴极相连，输入电容Ci的另一端同时与交流电源vac的负端、电阻R2的一端、电感L2的一端以及二极管D8的阳极相连，电感L2的另一端同时与NPN型BJT管Q2的集电极、二极管D2的阴极、电阻R4的一端以及二极管D4的阳极相连，NPN型BJT管Q2的基极同时与电阻R2的另一端、NPN型BJT管Q4的集电极以及受控电流源组M1的端口b相连，NPN型BJT管Q4的基极同时与电阻R4的另一端、电阻R6的另一端以及NPN型BJT管Q7的基极相连。进一步，电阻R1两端并联加速电容C1，电阻R2两端并联加速电容C2，电阻R3两端并联加速电容C3，电阻R4两端并联加速电容C4，电阻R7两端并联加速电容C5。该优选方案能加速所述自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路的动态特性。再进一步，所述受控电流源组M1包括NPN型BJT管Qa1、NPN型BJT管Qa2、NPN型BJT管Qa3、电阻Ra1、电阻Ra2、电阻Ra3、电阻Ra4、电阻Ra5和电阻Ra6，NPN型BJT管Qa1的集电极为受控电流源组M1的端口a，NPN型BJT管Qa2的集电极为受控电流源组M1的端口b，NPN型BJT管Qa3的集电极为受控电流源组M1的端口c，NPN型BJT管Qa1的基极同时与电阻Ra1的一端以及电阻Ra2的一端相连，电阻Ra1的另一端与交流电源vac的正端相连，NPN型BJT管Qa2的基极同时与电阻Ra3的一端以及电阻Ra4的一端相连，电阻Ra3的另一端与交流电源vac的负端相连，NPN型BJT管Qa3的基极同时与电阻Ra5的一端以及电阻Ra6的一端相连，电阻Ra5的另一端与二极管D8的阴极相连，NPN型BJT管Qa1的发射极同时与NPN型BJT管Qa2的发射极、NPN型BJT管Qa3的发射极、电阻Ra2的另一端、电阻Ra4的另一端、电阻Ra6的另一端以及输出电压Vo的负端相连。所述自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路具有输入电压前馈功能。更进一步，所述受控电流源组M1包括NPN型BJT管Qb1、NPN型BJT管Qb2、NPN型BJT管Qb3和稳压管VZ1，NPN型BJT管Qb1的集电极为受控电流源组M1的端口a，NPN型BJT管Qb2的集电极为受控电流源组M1的端口b，NPN型BJT管Qb3的集电极为受控电流源组M1的端口c，NPN型BJT管Qb1的基极同时与NPN型BJT管Qb2的基极、NPN型BJT管Qb3的基极以及稳压管VZ1的阳极相连，稳压管VZ1的阴极与输出电压Vo的正端相连，NPN型BJT管Qb1的发射极与NPN型BJT管Qb2的发射极、NPN型BJT管Qb3的发射极以及输出电压Vo的负端相连。所述自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路具有输出稳压功能。本专利技术的技术构思为：随着新型半导体材料器件的发展，新材料(如SiC)的BJT已表现出了较小的驱动损耗、很低的电阻系数、较快的开关速度、较小的温度依赖性、良好的短路能力以及不存在二次击穿等诸多优点。在中小功率的无桥SepicPFC整流电路中采用新材料的BJT，不但可以获得低功耗，而且还可以简单化全控型器件的驱动电路。无桥SepicPFC整流电路中的全控型器件采用BJT，利用BJT工作性能的优点并运用自激电路技术可同时实现电路简单、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自激式BJT型无桥Sepic PFC整流电路，其特征在于：包括输入电容Ci、NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、NPN型BJT管Q7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L1、电感L2、电感L3、电容Cs、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和用于通过端口a控制NPN型BJT管Q1的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q1工作状态的控制以及通过端口b控制NPN型BJT管Q2的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q2工作状态的控制以及通过端口c控制NPN型BJT管Q5的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q5工作状态的控制的受控电流源组M1，输入电容Ci的一端同时与交流电源vac的正端、电阻R1的一端、电感L1的一端以及二极管D7的阳极相连，电感L1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、二极管D1的阴极、电阻R3的一端以及二极管D3的阳极相连，二极管D3的阴极同时与NPN型BJT管Q5的集电极、二极管D4的阴极以及电容Cs的一端相连，电容Cs的另一端同时与二极管D5的阳极以及电感L3的一端相连，二极管D5的阴极同时与输出电容Co的一端、输出电压Vo的正端以及负载Z1的一端相连，负载Z1的另一端同时与输出电压Vo的负端、输出电容Co的另一端、二极管D6的阳极、NPN型BJT管Q5的发射极、NPN型BJT管Q6的发射极、NPN型BJT管Q7的发射极、电阻R5的一端、电阻R6的一端、NPN型BJT管Q1的发射极、NPN型BJT管Q2的发射极、NPN型BJT管Q3的发射极、NPN型BJT管Q4的发射极、二极管D1的阳极以及二极管D2的阳极相连，二极管D6的阴极与电感L3的另一端相连，NPN型BJT管Q1的基极同时与电阻R1的另一端、NPN型BJT管Q3的集电极以及受控电流源组M1的端口a相连，NPN型BJT管Q3的基极同时与电阻R3的另一端、电阻R5的另一端以及NPN型BJT管Q6的基极相连，NPN型BJT管Q6的集电极同时与电阻R7的一端、受控电流源组M1的端口c、NPN型BJT管Q7的集电极以及NPN型BJT管Q5的基极相连，电阻R7的另一端同时与二极管D7的阴极以及二极管D8的阴极相连，输入电容Ci的另一端同时与交流电源vac的负端、电阻R2的一端、电感L2的一端以及二极管D8的阳极相连，电感L2的另一端同时与NPN型BJT管Q2的集电极、二极管D2的阴极、电阻R4的一端以及二极管D4的阳极相连，NPN型BJT管Q2的基极同时与电阻R2的另一端、NPN型BJT管Q4的集电极以及受控电流源组M1的端口b相连，NPN型BJT管Q4的基极同时与电阻R4的另一端、电阻R6的另一端以及NPN型BJT管Q7的基极相连。...

【技术特征摘要】
1.一种自激式BJT型无桥SepicPFC整流电路，其特征在于：包括输入电容Ci、NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、NPN型BJT管Q7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L1、电感L2、电感L3、电容Cs、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和用于通过端口a控制NPN型BJT管Q1的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q1工作状态的控制以及通过端口b控制NPN型BJT管Q2的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q2工作状态的控制以及通过端口c控制NPN型BJT管Q5的基极电流从而实现对NPN型BJT管Q5工作状态的控制的受控电流源组M1，输入电容Ci的一端同时与交流电源vac的正端、电阻R1的一端、电感L1的一端以及二极管D7的阳极相连，电感L1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、二极管D1的阴极、电阻R3的一端以及二极管D3的阳极相连，二极管D3的阴极同时与NPN型BJT管Q5的集电极、二极管D4的阴极以及电容Cs的一端相连，电容Cs的另一端同时与二极管D5的阳极以及电感L3的一端相连，二极管D5的阴极同时与输出电容Co的一端、输出电压Vo的正端以及负载Z1的一端相连，负载Z1的另一端同时与输出电压Vo的负端、输出电容Co的另一端、二极管D6的阳极、NPN型BJT管Q5的发射极、NPN型BJT管Q6的发射极、NPN型BJT管Q7的发射极、电阻R5的一端、电阻R6的一端、NPN型BJT管Q1的发射极、NPN型BJT管Q2的发射极、NPN型BJT管Q3的发射极、NPN型BJT管Q4的发射极、二极管D1的阳极以及二极管D2的阳极相连，二极管D6的阴极与电感L3的另一端相连，NPN型BJT管Q1的基极同时与电阻R1的另一端、NPN型BJT管Q3的集电极以及受控电流源组M1的端口a相连，NPN型BJT管Q3的基极同时与电阻R3的另一端、电阻R5的另一端以及NPN型BJT管Q6的基极相连，NPN型BJT管Q6的集电极同时与电阻R7的一端、受控电流源组M1的端口c、NPN型BJT管Q7的集电极以及NPN型BJT管Q5的基极相连，电阻R7的另一端同时与二极管D7的阴极以及二极管D8的阴极相连，输入电容Ci的另一端同时与交流电源vac的负端、电阻R2的一端、电感L2的一端以及二极管D8的阳极相连，电感L2的另一端同时与N...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡，葛羽嘉，南余荣，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33