吸震的基底容器制造技术

一种基底容器主要包括盖子、底座、锁闭机构、及基底约束系统。基底容器具有角，所述角带有设在角处的法兰。各法兰具有穿孔以加强该容器的吸震能力，由此为该基底提供更好的保护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种容器，本专利技术尤其涉及一种用于存储及运输半导体晶片及 掩膜之类基底的容器。
技术介绍
诸如单件半导体及集成电路之类的半导体元件是使用半导体晶片来制造的。为此，使用相对较易碎的掩膜(或刻线)来判定成品中该结构的尺寸与位 置。这些掩膜的形式通常为大致平面的基底。制造过程中，小颗粒的异物可能 会留在掩膜或基底上，由此损坏掩膜或经制造的产品，或者还干扰制造工艺。 在存储及运输掩膜的环境中会有这些异物存在。由于掩膜的易碎本质以及必须 防止异物粘着于掩膜，因此会使用容器。这些容器起到保护掩膜不被损坏以及 提供无尘微环境这两个目的。亦使用类似的容器来存储及运输诸如半导体晶片 及存储磁盘等其他基底。由于这些基底的易碎本质，即使将其装入该容器，若该容器掉落或者不小 心地搬运的话，这些基底亦会损坏。由此，需要一种自身可吸收这种冲击以保 护装在其内基底的容器。
技术实现思路
如较佳实施例所示的本专利技术为一种吸震基底容器。基底容器一般包括带有 多个角的可打开和可关闭的容器、约束在该容器内的基底以及锁闭机构。该容 器的角处设有吸震指状部，所述指状部可弯曲或碎裂以吸收角处的冲击。基底 容器可形成为带有绕容器设置成曲线形状的法兰，所述法兰最好位于角处。各 法兰具有变薄的部分或穿通该法兰的孔，以使得该法兰具有所需的吸震特性。 较佳实施例中，位于四个角处的四个法兰具有四个孔，所述孔界定出在各角顶 点的两端处得到支撑的指状部。较佳实施例的一个优点是该容器的加强的吸震能力，以及由此对基底更好 的保护。若容器以其侧边掉落，法兰中的孔允许法兰变形及/或折断，增加了冲击时间，并且吸收了很大部分的该冲击能量。随后，传递入该包装内部的冲击 能量由支撑该基底的衬垫等进一步吸收，藉此提供最优的基底保护。较佳实施例的另一个优点与特征是加强的吸震能力使得该容器的打开有 更大的阻力，即，使得该锁闭机构上承受较小的震动或能量，以减小其打开的 可能性。较佳实施例的另一个优点是易于制造。可简单地将法兰与孔结合入现有的 容器模具，由此提供增大的震动吸收，而不增加制造成本与难度。较佳实施例的另一个优点与特征是带有孔的法兰可形成为受冲击时易碎、 折断，就可记录下该冲击而难以将该记录抹去。一些例子中，可故意折断该可 折断部分以不可抹去的方式指示除冲击之外的其他事件，例如，单次使用，或者洗涤、修理，或者其他有意义的事件。在保存冲击记录的实施例中，该容器 的可折断部分的形状可为除穿孔法兰之外的其他形状。由此，本专利技术的一个实 施例是一种难以抹去地记录基底容器相关事件的方法，包括故意折断基底容器 的易碎部分的步骤。该易碎部分可以是在角的法兰处或其它适当的区域。较佳实施例的特征及优点是提供了一种制造吸震容器的方法，其中，所述 容器具有设有法兰的角以及法兰中的孔，以容许该角受冲击时可发生变形或折 断。较佳实施例的特征及优点是提供了一种对带有法兰的容器进行修改以利 用该法兰来改进耐冲击性的方法，包括在所述法兰中加入孔以使得所述法兰具 有改进的变形及吸震能力。本专利技术的特征及优点是一种为半导体制造设备中所使用及存储的掩膜提 提供保护的方法，其中利用带有穿孔法兰的角的掩膜容器来容纳及存储掩膜。附图说明结合附图，参考下文本专利技术多种实施例的详细描述，以更充分地了解本发 明，其中图1为处于打开状态的本专利技术实施例的吸震基底容器的内部立体图； 图2为处于打开状态的本专利技术实施例的吸震基底容器的外侧俯视图3a为本专利技术实施例的吸震基底容器的局部视图3b为本专利技术实施例的吸震基底容器的局部视图； 图3C为本专利技术实施例的穿孔法兰的剖视图； 图4为本专利技术实施例的吸震基底容器的立体图； 图5为本专利技术实施例的吸震基底容器的立体图； 图6为本专利技术实施例的吸震基底容器的立体图； 图7为本专利技术实施例的吸震基底容器的立体图。具体实施例方式参见图l-3a，本专利技术吸震基底容器的一个实施例100包括如盖子102的上 部件以及如底座104的下部件，以及包括铰链106、锁闭装置108。本实施例 中的基底为用于制造半导体的掩膜或刻线。在其他实施例中，该基底可为半导 体晶片或磁盘。而盖子102具有壳体114，所述壳体具有大致平坦的顶部116、相对的前 侧边118与后侧边120，以及相对的横侧边122与124，藉此界定出盖腔126。 盖腔126内设有纵向倾斜升起的表面128与130，以及横向相对的掩膜垫132 与134。该掩膜垫为掩膜约束系统147的一部分。底座104包括壳体136，所述壳体具有大致平坦的底部138、相对的前侧 边140与后侧边142，以及大致相对的横侧边144与146，藉此界定出底座腔 室148。该基底一即该掩膜一的约束系统147还包括支柱150、 152、 154及156， 这些支柱从底部138的靠近底座腔室148的四个角处延伸出来，并且界定出基 底放置位置149或袋状腔室。横侧边144与146处分别设有横向相对的倾斜升 起表面158与160。盖子102的周边处界定有凸缘162，而底座104的周边界定有台阶部164。 当容器100闭合时，凸缘162与台阶部164密封接触。台阶部164包括各自位 于底座104的四个角上的四个法兰部110。各法兰部110还包括穿孔112，如 图3所示。当容器100闭合时，盖子102最好不会妨碍到孔112。使用中，将诸如掩膜的基底放置在底座腔室148中以通过支柱150、 152、 154及156将其限制于该底座腔室148中。孔112及法兰110设置在底座104上，这样若容器以其侧边掉落，孔112 与法兰110可吸收震动，藉此保护容器内的任何基底免受损坏。当由掉落产生 的力施加在容器IOO上时，孔112容许法兰110变形，藉此来延长冲击时间， 并且有效地吸收冲击的冲力。这使得传至容器100内部的力较小，这些力由盖 子102中的垫子132、 134以及所述支柱的弹性吸收，而使得基底保持不损坏。 此外，减弱的力传递至锁闭机构108，减小了容器受冲击而弹开的可能性。孔112必须足够大，且形成为允许法兰110在冲击时变形或破裂。然而， 若孔112过大，则法兰110会变得过于容易变形及/或难以支持该容器与容纳物 的重量，这在很多情况下是不理想的。较佳地，该孔的外周至该法兰的外周的 最短距离小于该孔的半径，或者对于非圆形孔来说，小于该孔穿通距离的一半。 较佳实施例中，从孔112的边界至该法兰的外周边113之间材料的厚度范围在 0.030英寸 0.400英寸。更佳实施例中，从该孔至该法兰的外周边之间材料的 厚度范围为0.050 0.300英寸。根据法兰110的尺寸以及容器100的重量与尺寸，孔112的尺寸与形状可有多种变化，同样必须在承受载荷时(诸如该容器掉落时)提供适当的变形量。较佳实施例中，当该孔为圆形时其半径范围为0.125 英寸 0.300英寸。其他实施例中，当该孔为非圆形时，其至多可具有约1英 寸的长度尺寸。例如，0.100 0.200英寸宽的曲线槽可沿着曲线形的角部周边。 较佳实施例中，该法兰为与该容器成一体的组成部分，较方便地，该法兰形成 在该底座部分，但也可以形成在该罩子或盖子部分。某些情况下，各法兰处可 能需要多个孔。较佳实施例中，这些孔仅仅在所述角部处接收冲击时起到实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄形的吸震基底容器，其具有带有四个角，所述容器包括：　带有四个角的聚合物盖子；　带有四个角的聚合物底座；　连接该盖子与该底座的铰链；　用于该容器中基底的约束系统；　锁闭机构，其将该盖子紧固至该底座并且使得该容器与外部环境相对密封；　一或多个经圆角处理的法兰，其设置在该底座或该盖子的各个角上、环绕该容器；及　穿过所述一或多个法兰的孔，其在所述角处提供吸震能力，各孔在该底座或该盖子的各角处界定出指状部，各所述指状部为弹性或易碎，以在各所述角受到冲击时吸收震动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯汀安徒生，
申请(专利权)人：安格斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]