本发明专利技术的课题在于提供剥离性优异、能够抑制剥离时损伤的发生的树脂基板的制造方法以及器件。本发明专利技术的树脂基板的制造方法,其特征在于,具备以下工序:前处理工序,在由玻璃构成的支承体的至少一面处理硅烷偶联剂;涂布工序,在支承体的实施过基于前处理工序的处理的处理面涂布包含聚酰胺酸或聚酰亚胺粉末的溶液;烧成工序,在涂布工序之后,通过加热支承体,从而在支承体上形成包含聚酰亚胺的树脂基板;和剥离工序,从支承体剥离树脂基板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及树脂基板的制造方法以及器件。
技术介绍
近年来,作为电子器件用的基板,存在使具有柔韧性的树脂基板取代玻璃基板的 市场需求。为了制造这样的树脂基板,需要在支承基板(支承体)上形成树脂基板后,将支 承基板从树脂基板剥离(例如,参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特表2012-511173号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 但是,在现有技术中,由于从支承基板剥离时使用激光,而存在对树脂基板造成损 伤这样的问题。因此,期望提供剥离性优异、能够抑制剥离时损伤的发生的新技术。 本专利技术鉴于这样的课题而完成,其目的在于提供剥离性优异、能够抑制剥离时损 伤的发生的树脂基板的制造方法以及包含通过该制造方法得到的树脂基板的器件。 用于解决课题的手段 为了达成上述目的,本专利技术的第1方式的树脂基板的制造方法,其特征在于,具备 以下工序:前处理工序,在由玻璃构成的支承体的至少一面处理硅烷偶联剂;涂布工序,在 所述支承体的实施过基于所述前处理工序的处理的处理面涂布包含聚酰胺酸或聚酰亚胺 粉末的溶液;烧成工序,在所述涂布工序之后,通过加热所述支承体,从而在所述支承体形 成包含聚酰亚胺的树脂基板;和剥离工序,从所述支承体剥离所述树脂基板。 根据本方式的构成,通过前处理使支承体表面的羟基甲硅烷化,因此能够抑制构 成树脂基板的聚酰亚胺与支承体表面形成共价键。另外,由于形成来自硅烷偶联剂的甲硅 烷基,因此能够提高包含聚酰亚胺的树脂基板的剥离性。 由此,能够制造剥尚时损伤的发生得到抑制的、可靠性尚的树脂基板 另外,在上述树脂基板的制造方法的所述剥离工序中,优选在所述支承体和所述 树脂基板的界面的一部分形成剥离时作为基点发挥功能的狭缝。 根据该构成,通过以狭缝为起点发挥功能,从而可以从支承体容易地剥离树脂基 板。 另外,在上述树脂基板的制造方法的所述前处理工序中,优选在所述支承体的至 少一面的规定部分选择性地处理所述硅烷偶联剂。 根据该构成,由于在支承体的一部分没有处理硅烷偶联剂而产生与树脂基板的密 合性尚的区域。由此,支承体能够良好地支承树脂基板,因此即使在制造工序的途中搬运支 承体与树脂基板的层叠体的情况下,树脂基板也被良好地保持。 另外,在上述树脂基板的制造方法的所述前处理工序中,优选利用喷墨法将所述 硅烷偶联剂选择性地涂布在所述规定部分。 利用喷墨法,能够简便且确实地选择性涂布硅烷偶联剂。 另外,在上述树脂基板的制造方法的所述前处理工序中,优选利用蒸镀法将所述 硅烷偶联剂选择性地处理在所述规定部分。 利用蒸镀法,能够简便且确实地选择性处理硅烷偶联剂。 本专利技术的第2方式涉及的器件,其特征在于,包含利用第1方式的制造方法制造的 树脂基板。 根据本方式涉及的器件,由于具备剥离时损伤的发生得到抑制的、可靠性高的树 脂基板,因此该器件自身的可靠性也高。 专利技术效果 根据本专利技术,使剥离性优异,并且能够抑制剥离时损伤的发生。【附图说明】 图1是表不制造树脂基板的工序图。 图2是表示前处理工序中发生的化学反应的图。 图3是表示处理膜的剥离性提高效果的实验结果。 图4的(a)、(b)是表示狭缝的形成位置的图。 图5的(a)、(b)是在表面的一部分形成处理膜的情况的图。 图6的(a)~(d)是表不继图5之后的树脂基板的制造工序的图。【具体实施方式】 以下,边参照附图边对本专利技术的一个实施方式进行说明。本实施方式中,列举制造 用作电子器件用基板的树脂基板的情况为例进行说明。需要说明的是,为了使特征容易理 解,以下的说明中使用的附图有时为了方便起见而放大示出成为特征的部分,但是并不意 味着各构成要素的尺寸比率等与实际相同。 本实施方式的树脂基板的制造方法具备如下工序:前处理工序,在支承基板上处 理硅烷偶联剂;涂布工序,在支承基板的前处理面涂布树脂基板形成用材料;烧成工序,对 支承基板进彳丁加热而在支承基板上形成树脂基板;和剥尚工序,从支承基板剥尚树脂基板。 图1是表不制造本实施方式涉及的树脂基板的工序图。 首先,如图1的(a)所示,进行在支承基板1的表面(至少一面)Ia处理硅烷偶联 剂的前处理(前处理工序)。在本实施方式中,支承基板1由玻璃构成。 前处理通过将处理液涂布于支承基板(支承体)1的表面Ia (包括喷涂)来进行。 前处理的处理时间优选设为1~60秒。需要说明的是,可以代替涂布处理液而利用蒸镀 法对支承基板1进行利用硅烷偶联剂的处理。利用蒸镀法的处理时间例如优选在80°C~ 120 °C的烘箱内进行1~15分钟。 在本实施方式中,用于前处理的处理液含有甲硅烷化剂和溶剂。以下,对各成分进 行详细说明。 (甲硅烷化剂) 作为甲硅烷化剂,没有特别限定,可以使用以往公知的所有甲硅烷化剂。具体来 说,可以使用例如下述式(1)~(3)所示的甲硅烷化剂。在本说明书中,烷基的碳数为1~ 5,环烷基的碳数为5~10,烷氧基的碳数为1~5,杂环烷基的碳数为5~10。 【化1】(式(1)中,R1表示氢原子、或者饱和或不饱和烷基,R2表示饱和或不饱和烷基、饱 和或不饱和环烷基、或者饱和或不饱和杂环烷基。R1与R2可以相互键合而形成具有氮原子 的饱和或不饱和杂环烷基。)(式(2)中,R3表示氢原子、甲基、三甲基甲硅烷基、或二甲基甲硅烷基,R4及R 5分 别独立地表示氢原子、烷基、或乙烯基。) (式(3)中,X表示0、CHR7、CHOR7、CR7R7或者NR 8, R6及R 7分别独立地表示氢原子、 饱和或不饱和烷基、饱和或不饱和环烷基、三烷基甲硅烷基、三烷基硅氧烷基、烷氧基、苯 基、苯乙基、或乙酰基,R8表示氢原子、烷基、或三烷基甲硅烷基。) 作为上述式(1)所示的甲硅烷化剂,可列举N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N,N-二 乙基氨基三甲基硅烷、叔丁基氨基三甲基硅烷、烯丙基氨基三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙 酰胺、三甲基甲硅烷基哌啶、三甲基甲硅烷基咪唑、三甲基甲硅烷基吗啉、3-三甲基甲硅烷 基-2-噁唑烷酮、三甲基甲硅烷基吡唑、三甲基甲硅烷基吡咯烷、2-三甲基甲硅烷基-1,2, 3-三唑、1-三甲基甲硅烷基-I,2,4-三唑等。 另外,作为上述式(2)所示的甲硅烷化剂,可列举六甲基二硅氮烷、N-甲基六甲基 二硅氮烷、1,2-二-N-辛基四甲基二硅氮烷、1,2-二乙烯基四甲基二硅氮烷、七甲基二硅氮 烷、九甲基三硅氮烷、三(二甲基甲硅烷基)胺等。 另外,作为上述式(3)所示的甲硅烷化剂,可列举乙酸三甲基甲硅烷酯、丙酸三甲 基甲硅烷酯、丁酸三甲基甲硅烷酯、三甲基甲硅烷氧基-3-戊烯-2-酮等。 在表面处理液中,甲硅烷化剂的含量优选0. 1~50质量%,更优选0. 5~30质 量%,进一步优选I. 0~20质量%。通过设为上述范围,能够在确保表面处理液的涂布性 的基础上充分提高图案表面的疏水性。 (溶剂) 作为溶剂,若能够溶解甲硅烷化剂且对成为表面处理对象的树脂图案或被蚀刻图 案的损伤小,则可以没有特别限定地使用以往公知的溶剂。 具体来说,可列举二甲基亚砜等亚砜类;二甲基砜、二乙基砜、双(2-羟乙基)砜、 四亚甲基砜等砜类;N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙 酰胺、N,N-二乙基乙酰胺等酰本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种树脂基板的制造方法,其特征在于,其具备以下工序:前处理工序,在由玻璃构成的支承体的至少一面处理硅烷偶联剂;涂布工序,在所述支承体的实施过基于所述前处理工序的处理的处理面涂布包含聚酰胺酸或聚酰亚胺粉末的溶液;烧成工序,在所述涂布工序之后,通过加热所述支承体,从而在所述支承体形成包含聚酰亚胺的树脂基板;和剥离工序,从所述支承体剥离所述树脂基板。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:福永博志,菊地浩之,甲斐义人,
申请(专利权)人:东京应化工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。