本发明专利技术公开了一种半透半反液晶显示阵列基板，包括第一基板，在第一基板上形成有经第三绝缘层部分重叠的第一公共电极和像素电极，像素电极与漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。本发明专利技术还公开了该阵列基板的制造方法及显示装置。该半透半反液晶显示阵列基板结构简单，通过强化第一公共电极与像素电极的边缘电场，控制液晶方向，实现高对比度和较佳显示效果；具有常黑显示模式，不显示时外观效果好，且对比度高，显示效果更优，解决了现有常白显示模式半透半反显示装置对比度差及显示效果差的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及了一种半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法和使用该阵列基板的半透半反液晶显示装置。
技术介绍
半透半反液晶显示器具有两种不同的显示模式，在光线较暗的环境下，主要靠透视模式，也就是利用液晶器自身的背光源透光液晶面板显示图像，在阳光下等光线充足的情况下，主要靠反射模式，即利用液晶面板内的反光镜将外部的光线反射出去，依次作为光源显示图像，因此半穿半反式液晶显示器适用于各种光线强度的外部环境，尤其具有优秀的户外可视性能，并且背光源的亮度不需要很高，具有功耗低的特点。随着智能穿戴产品和户外产品的兴起，其对显示屏的功耗和户外显示效果要求越来越高。但现有半透半反液晶显示装置较多为常白显示模式，而且对比度差，显示效果差。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种结构简单、可实现高对比度的半透半反液晶显示阵列基板，通过强化第一公共电极与像素电极的边缘电场，控制液晶方向，实现高对比度和较佳显示效果；具有常黑显示模式，不显示时外观效果好，且对比度高，显示效果更优，解决了现有常白或常黑显示模式半透半反显示装置对比度差及显示效果差的问题。本专利技术还提供了该半透半反液晶显示阵列基板的制造方法及使用该半透半反液晶阵列基板的液晶显示装置。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现: 一种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，所述阵列基板包括: 第一基板； 栅电极，形成于所述第一基板上； 第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上； 有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上； 源电极和漏电极，形成于所述有源层上方； 第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上； 平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上。第一公共电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上； 第三绝缘层，形成于所述第一公共电极和第二绝缘层上； 像素电极，形成于所述第三绝缘层上方，与所述漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。—种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，所述阵列基板包括: 第一基板； 栅电极，形成于所述第一基板上； 第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上； 有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上； 源电极和漏电极，形成于所述有源层上方； 第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上； 平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上。像素电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上方，与所述漏电极电连接； 第三绝缘层，形成于所述像素电极上； 第一公共电极，形成于所述第三绝缘层上；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 第四绝缘层，形成于所述第一公共电极上； 反射电极，形成于所述反射区的第四绝缘层和第三绝缘层上，与所述像素电极电连接。在本专利技术中，所述第一公共电极包括多个环状第一公共子电极。所述环状为方形或圆形或多边形。所述像素电极图案形状与所述第一公共子电极相对应，为方形或圆形或多边形。在本专利技术中，所述平坦层表面呈波浪或镜面形。—种半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，包括以下步骤: 提供第一基板； 在所述第一基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述第一基板上形成栅电极； 在所述形成栅电极的第一基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成第一绝缘层；在所述栅电极上方的所述第一绝缘层上形成有源层； 在所述有源层上方形成源电极和漏电极； 在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第二绝缘层； 在所述反射区的第二绝缘层上沉积绝缘层，形成平坦层； 在所述平坦层和第二绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成第一公共电极； 在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第三绝缘层； 在所述第三绝缘层上沉积像素电极薄膜，通过过孔形成与所述漏电极电连接的像素电极；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 在所述反射区的像素电极上沉积金属薄膜，形成反射电极。—种半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，包括以下步骤: 提供第一基板； 在所述第一基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述第一基板上形成栅电极； 在所述形成栅电极的第一基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成第一绝缘层；在所述栅电极上方的所述第一绝缘层上形成有源层； 在所述有源层上方形成源电极和漏电极； 在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第二绝缘层； 在所述反射区的第二绝缘层上沉积绝缘层，形成平坦层； 在所述平坦层和第二绝缘层上沉积像素电极薄膜，通过过孔形成与所述漏电极电连接的像素电极； 在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第三绝缘层； 在所述第三绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成第一公共电极；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场； 在所述第一公共电极上沉积绝缘层薄膜，形成第四绝缘层； 在所述反射区的第三、四绝缘层上沉积金属薄膜，通过过孔形成与所述像素电极电连接的反射电极。在本专利技术中，所述第一公共电极包括多个环状第一公共子电极；所述环状为方形或圆形或多边形；所述像素电极图案形状与所述第一公共子电极相对应，为方形或圆形或多边形。—种半透半反液晶显示装置，包括: 如上述的阵列基板； 第二基板，与所述阵列基板的第一基板相对配置； 液晶层，保持在所述第一基板和第二基板之间。进一步地，还包括: 第一偏光片，位于所述第一基板的另一侧表面； 第二偏光片，位于所述第二基板的上方。进一步地，所述第二基板为带有彩色滤光层的第二基板。本专利技术具有如下有益效果:通过强化第一公共电极与像素电极非重叠区的边缘电场，控制液晶方向，实现高对比度及较佳的显示效果，当第一公共电极与像素电极电压差为OV时，液晶站立，显示为黑态，当像素电极与第一公共电极电压差加大时，液晶会随着电压差的增加而平躺，亮度逐渐增加，以实现高对比度(达700左右)、常黑显示模式；常黑显示模式，不显示时外观效果好，且对比度高，显示效果更优，解决了现有常白显示模式半透半反显示装置对比度差及显示效果差的问题。【附图说明】图1为本专利技术阵列基板的结构不意图； 图2为本专利技术阵列基板上第一公共电极、像素电极及反射电极的俯视分解示意图； 图3a~3j为本专利技术阵列基板的制造流程示意图。【具体实施方式】当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，其特征在于，所述阵列基板包括：第一基板；栅电极，形成于所述第一基板上；第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上；有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上；源电极和漏电极，形成于所述有源层上方；第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上；平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上；第一公共电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上；第三绝缘层，形成于所述第一公共电极和第二绝缘层上；像素电极，形成于所述第三绝缘层上方，与所述漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李林，柳发霖，庄崇营，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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