一种无极性LED芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种无极性LED芯片结构，其包括：第一LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极；第二LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极；第三LED芯片，其上设有极性电极；第一LED芯片和第二LED芯片通过第三LED芯片串联，第三LED芯片上的极性电极分别与第一LED芯片和第二LED芯片上的极性电极电性连接，形成至少两条导电通路，第一LED芯片和第二LED芯片上的无极性接线端与其中任一条导电通路电性连接。与现有技术相比，本发明专利技术使用时无需注意芯片的极性，可任意接入通电，提高生产和使用的效率，同时，第三LED芯片的数量可以根据需求增加，所以该无极性LED芯片结构兼备电压可变特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件
，尤其涉及一种无极性LED芯片结构。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting D1de，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。发光二极管(LED)是利用半导体材料中的电子与空穴结合时能量带位阶的改变，以发光形式，释放出能量。目前在市场上应用的发光二极管所发出的光为红、绿、蓝及白光等多种。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量低、反应速率快、耐震性佳等优点，可应用在银行汇率看板、汽车第三刹车灯、交通标志、户外信息看板与日常照明等各种应用领域中。现有的发光二极管(LED)主要由二极管芯片、引出电极和透明封装外壳构成。由于其具备寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无辐射及单色性发光的特性及优点，被广泛应用于各项产品中。众所周知，LED芯片的电极有正负极性之分，所以在芯片的使用过程中会特别注意芯片电极的极性，会对LED芯片后续的封装和应用端对生产和使用的效率造成影响。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种不分正负极，安装更换方便的无极性LED芯片结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种无极性LED芯片结构。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供的技术方案如下:一种无极性LED芯片结构，所述芯片结构包括: 第一 LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极； 第二 LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极； 第三LED芯片，其上设有极性电极； 所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通过所述第三LED芯片串联，所述第三LED芯片上的极性电极分别与所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的极性电极电性连接，形成至少两条导电通路，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的无极性接线端与其中任一条所述导电通路电性连接。作为本专利技术的进一步改进，所述极性电极包括第一极性电极和第二极性电极。作为本专利技术的进一步改进，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上均至少设有一个所述第一极性电极和一个所述第二极性电极，所述无极性接线端与所述第一极性电极或所述第二极性电极电性连接。作为本专利技术的进一步改进，所述第三LED芯片上至少设有两组电性导通的所述第一极性电极和所述第二极性电极。作为本专利技术的进一步改进，所述第一 LED芯片上的所述第一极性电极和所述第三LED芯片上的一组所述第一极性电极和所述第二极性电极电性连接；所述第二 LED芯片上的所述第一极性电极和所述第三LED芯片上的另一组所述第一极性电极和所述第二极性电极电性连接。作为本专利技术的进一步改进，所述第一 LED芯片上的所述第一极性电极与所述第三LED芯片上的所述第二极性电极电性连接，所述第二 LED芯片上的所述第二极性电极与所述第三LED芯片上的所述第一极性电极电性连接；所述第二 LED芯片上的所述第一极性电极与所述第三LED芯片上的所述第二极性电极电性连接，所述第一 LED芯片上的所述第二极性电极与所述第三LED芯片上的所述第一极性电极电性连接。作为本专利技术的进一步改进，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通过多个所述第三LED芯片串联。作为本专利技术的进一步改进，所述第一极性电极与所述第二极性电极形状不同。作为本专利技术的进一步改进，所述无极性LED芯片从下向上依次包括: 衬底； 位于所述衬底上的N型半导体层； 位于所述N型半导体层上的发光层； 位于所述发光层上的P型半导体层； 所述第一极性电极设置在所述P型半导体层上，并与所述P型半导体层电性连接，所述第二极性电极设置在所述N型半导体层，并与所述N型半导体层电性连接，所述第一 LED芯片、第二 LED芯片上的无极性接线端分别与第一 LED芯片、第二 LED芯片上的N型半导体层电性连接。作为本专利技术的进一步改进，所述第一 LED芯片、第二 LED芯片、第三LED芯片的衬底相互分离设置或为一整个衬底。本专利技术的有益效果是:提供一种简易无极性LED芯片结构，在芯片的使用过程中无需注意芯片的极性，可任意接入通电，提高生产和使用的效率，同时，第三LED芯片的数量可以根据需求增加，所以该无极性LED芯片结构兼备电压可变特性。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术第一实施例中单颗LED芯片的剖面结构示意图。图2为本专利技术第一实施例中三颗LED芯片串联结构的结构示意图。图3为本专利技术第一实施例中三颗LED芯片串联结构的剖面结构示意图。图4为本专利技术第二实施例中将多颗LED芯片串联结构的剖面结构示意图。图5为本专利技术第三实施例中三颗LED芯片共用一个衬底的串联结构的结构示意图。【具体实施方式】为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。此外，在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。参图1至图3所示，在本专利技术的第一实施例中，单颗LED芯片从下至上分别为: 衬底100，衬底可以是蓝宝石、S1、SiC、GaN、ZnO等； N型半导体层200，N型半导体层可以是N型GaN等； 发光层300，发光层可以是GaN、InGaN等； P型半导体层400，P型半导体层可以是P型GaN等。参图3，第一 LED芯片10从下至上分别为:衬底101 ;N型半导体层102 ;发光层103 ;P型半导体层104 ;透明导电层(图未示)，第一 LED芯片10上还设有第一极性电极105和第二极性电极106，第一极性电极105设置在P型半导体层104上，并与P型半导体层104电性导通，第二极性电极106设置在N型半导体层102，并与N型半导体层102电性导通。特别地，第一极性电极105与第二极性电极106形状不同，其中，第一极性电极105为圆形电极，第二极性电极106为方形电极。第二 LED芯片20的结构与第一 LED芯片10的结构相同，从下至上分别为:衬底201 ;N型半导体层202 ;发光层203 ;P型半导体层204 ;透明导电层(图未示)。特别地，第一LED芯片10和第二 LED芯当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无极性LED芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：第一LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极；第二LED芯片，其上设有无极性接线端和极性电极；第三LED芯片，其上设有极性电极；所述第一LED芯片和所述第二LED芯片通过所述第三LED芯片串联，所述第三LED芯片上的极性电极分别与所述第一LED芯片和所述第二LED芯片上的极性电极电性连接，形成至少两条导电通路，根据连接极性不同，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片上的无极性接线端与其中任一条所述导电通路电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，张广庚，杨龙，陈超，陈立人，
申请(专利权)人：聚灿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32