一种提高掺铒光纤放大器抗辐射能力的方法技术

技术编号:12624453 阅读:122 留言:0更新日期:2015-12-31 17:47
本发明专利技术公开了一种提高掺铒光纤放大器抗辐射能力的方法,当光纤等效掺铒半径与光纤的芯径a之比不变时,通过增大芯径a来提高掺铒光纤放大器的抗辐射能力,其中,λc为光纤截止波长,nco为光纤芯层折射率,ncl为光纤包层折射率。在光纤掺铒半径与芯径比值一定的情况下,通过增大芯径大小能够显著提高抗辐射的能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掺饵光纤放大器
,特别是一种提高掺铒光纤放大器抗辐射能 力的方法。
技术介绍
在以往的长距离光纤通信系统中,通常在通信线路上建设大量的电中继站,对信 号进行接收、转换再放大,来减少信号的衰减与色散。随着大信息时代的来临,传统的电中 继由于其数据处理的电子瓶颈,已经不能适应人们对于高速率通信的需求。20世纪80年 代,掺铒光纤放大器(EDFA)的问世,对于通信领域来说,具有跨时代的意义。由于EDFA直 接对光信号进行放大,且具有高增益、低噪声、长带宽、结构简单、不受偏振态影响等优点, 一经推出就迅速得到广泛的使用。随着NASA与ESA多项空间光通信项目的开展,EDFA也渐 渐进入空间通信领域的应用之中。传统的空间光通信技术采用直接调制技术,即仅仅依靠 于半导体激光器,但是星间通信或者星地通信链路上是没有中继站对信号进行放大的。由 于需要调制系统输出比较大的光功率,传统的仅依赖激光器而没有放大器的发射端是不能 满足日益增长的传输速率的。H)FA的应用可以在很大程度上解决这一问题。 然而,卫星运行在太空轨道中时,其各个组件要面临强烈的空间辐射,组件的性能 受到的影响不可忽视。一些研究小组对于这一问题也进行了相关探索,其中0. Berne' s小 组的研究尤为突出。0. Berne' s证明了在受到3000Gy剂量的辐射后,其所测试的EDFA的 增益将会衰减10dB。但是他认为,实际空间通信系统中,EDFA将被铝板保护,因而其实际上 相当于只受到60Gy剂量的辐射,而这样的辐射对于EDFA的影响是很微弱的。但事实上,铝 板只是对于电子辐射有较好的屏蔽作用,而对于其他高能粒子(如伽马粒子)的辐射的抵 抗效果不大。并且按照航天领域惯有的冗余设计理念,光通信系统的设计人员也不会采用 这么低的辐射剂量进行设计。现有研究H)FA辐射特性的文献并不少,对于抗辐射EDFA的 研究也更多依靠实验对材质进行改变,缺乏理论研究,且现有技术中没有给出符合实际系 统的高抗辐射H)FA。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提出一种提高掺铒光纤放 大器抗辐射能力的方法,在光纤等效掺铒半径与芯径比值一定的情况下,通过增大芯径大 小能够显著提高抗辐射的能力。 本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案: 根据本专利技术提出的,当光纤等效掺铒 半径与光纤的芯径a之比不变时,通过增大芯径a来提高掺铒光纤放大器的抗辐射能力,其中,λ。为光纤截止波长,为光纤芯层折射率,!!。,为光纤包层折射 率。 作为本专利技术所述的进一步优化方案, 所述光纤的芯径a不低于1. 4 μ m。 作为本专利技术所述的进一步优化方案, 所述光纤的芯径a不低于1. 399 μ m。 作为本专利技术所述的进一步优化方案, 所述光纤的芯径a不低于1. 398 μ m。 作为本专利技术所述的进一步优化方案, 所述光纤的芯径a不低于1. 397 μ m。 本专利技术采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:在光纤掺铒半径 与芯径比值一定的情况下,通过增大芯径大小能够显著提高抗辐射的能力。【附图说明】 图1是掺铒光纤芯层铒离子分布不意图。 图2是无辐射下输出增益不变时,不同芯径a的掺铒光纤需要的长度。 图3是辐射剂量不同时,芯径不同掺铒光纤的增益变化。 图4是芯径不同掺铒光纤的截止波长。【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明: 考虑福射损耗时,信号光和栗浦光的传输方程可以表不为 其中,n2为激发态粒子数,n i为基态的粒子,n t为总的粒子数,P s表示信号光功率, Pp表示栗浦功率,z表示从光源开始沿着掺铒光纤的某一段距离,t为某一时刻,gs为无辐 射下信号光增益系数,gp为无辐射下栗浦光增益系数,a s为无辐射下信号光损耗系数,α p 为无辐射下栗浦光损耗系数,arads为信号光的辐射损耗系数,a Mdp为栗浦光的辐射损耗 系数。为了更好地分析光纤自身的微观性能参数在辐射环境中对H)FA的影响,这里给出 Saleh速率方程将(1) (2)转换成微观参数的传输方程。忽略ASE功率,Saleh给出的EDFA 速率方程为 nt(z,t) = Ii1 (z,t)+n2(z,t) (4) 其中,n2(z, t)为激发态的粒子数密度,Ii1 (z, t)为基态的粒子数密度,nt(z, t)表 示总的粒子数密度,〇sa是信号光吸收截面,σ M是信号光发射截面,σ pa是栗浦光吸收截 面,Oire是栗浦光发射截面,Γ s是信号光模场和掺杂Er3+分布之间的重合积分,Γ p是栗浦 光模场和掺杂Er3+分布之间的重合积分,h为普朗克常数,V 3为信号光频率,V 栗浦光 频率,A表示等效掺铒截面积,τ是激发态%3/2的粒子数寿命,其型值为l〇ms。 EDFA正常工作时处于稳态过程,则有从而可以得到 此外,对于信号光和栗浦光的辐射损耗系数可以用1310nm波长辐射吸收损来进 行估计 其中,λ是信号光或者栗浦光波长,λ。是一个紫外参考光波长,这里取320nm,R 是辐射速率,D是辐射剂量,c和f是调整参数。 将公式(5)稍作变形,如下 可以看出来112只有分母下有等效掺铒截面积A,当A增大时,激发态粒子数η 2就 会增加,显然H)FA的增益就会有所提高。基于这一点,我们提出制备大芯径掺铒光纤的方 式,来提升H)FA的抗辐射能力。 然而在实际光纤制备中,为了获得单模光纤,光纤的芯径并不能一直增大,需要是 光波长大于截止波长。光纤截止波长λ。与芯径 a之间的关系满足 其中,nOT,I^1分别为光纤芯层和包层折射率。 当光纤等效掺铒半径与光纤的芯径a之比不变时,通过增大芯径a来提高掺铒光 纤放大器的抗辐射能力, 图1为掺铒光纤芯层铒离子分布示意图。掺铒光纤在结构上与一般光纤是类似 的,主要由包层和芯层组成,区别在于掺铒光纤的芯层中需要掺杂Er 3+。Er3+在芯层中的分 布并不是均匀的,而是在径向上发生变化,其中在光纤中心Er 3+浓度为n(0)。这一变化的 分布可以等效为一个在半径r范围内的均匀分布,Er3+平均浓度为N,称r是光纤的等效掺 铒半径,而Jir 2即等效掺铒面积A。图中掺铒光纤的芯径为a,在下面的分析中假设r/a是 不变的。 设信号光波长为1550nm,信号功率为Ps = IOmW ;采用980nm波长光作为栗浦光, 栗浦功率为Pp = 2W。等效掺铒半径和芯径比值r/a为1. 05/1. 4,在(1. 2, 2. 4) μ m范围内 改变芯径大小。为了对不同芯径的掺铒光纤进行抗辐射性能比较,我们在设计时使它们无 辐射环境下的增益保持相同,都在20dB附近,则不同芯径下需要的掺铒光纤长度如图2所 示。可以看出,芯径越小需要的掺铒光纤长度越长;当芯径达到2. 0 μπι之后,需要的掺铒光 纤长度已经差异不大。这是由于,芯径小的掺铒光纤栗浦效率低,需要更长的作用距离。 如图3所示,当辐射剂量为OGy时,芯径变化时增益都保持在20dB,这个与图2 设计的初始状态是一致的。当辐射剂量增加到500Gy时,2. 4 μπι的光纤增益衰减了 2dB, 而1. 2 μπι却衰减了 6dB。并且对于一定剂量的辐射,小芯径掺铒光纤本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种提高掺铒光纤放大器抗辐射能力的方法,其特征在于,当光纤等效掺铒半径与光纤的芯径a之比不变时,通过增大芯径a来提高掺铒光纤放大器的抗辐射能力,其中,λc为光纤截止波长,nco为光纤芯层折射率,ncl为光纤包层折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李密焦文祥宋跃江张旭苹姜义君李鑫
申请(专利权)人:南京大学苏州高新技术研究院南京大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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