一种整体防弹插板用碳化硅陶瓷烧结方法技术

技术编号:12622071 阅读:229 留言:0更新日期:2015-12-30 19:53
本发明专利技术涉及一种整体防弹插板用碳化硅陶瓷烧结方法,其特征在于,包括预烧步骤,升温进行排胶处理,冷却取出坯体,还包括制硅板步骤:用细硅粉在压制防弹插板的模具内压制硅板;还包括装炉步骤:炉板上面放石墨底板,将已排胶的坯体放到石墨底板上,坯体上面再放上硅板,然后隔一块坯体放一块硅板,一摞共6块坯体,6块硅板,装满炉,还包括高温烧结步骤中:在真空下采用氮气保护升至高温后停止升温,继续抽真空后停止抽真空,充氮气至炉体内成微负压状态,冷却后开炉门,再自然冷却后取出,得到成品,降低了烧烤过程中的变形、开裂问题,装炉量高;防弹板的整体成品率高,变形度低;成品密度高;弯曲强度高;断裂韧性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及一种碳化娃陶瓷烧结方法,具体地说,设及一种整体防弹插板用碳化 娃陶瓷烧结方法,属于陶瓷生产领域。
技术介绍
防弹陶瓷插板是一种复合材料,由防水层和防弹层两部分组成,防水层通常是柔 软的防水布、硬挺的塑料壳体或不惧水的高性能纤维布,防弹层则由高硬度防弹陶瓷和高 初性纤维织物通过胶粘剂层压而成,高硬度防弹陶瓷在前,纤维织物在后,厚度一般在10mm W上。防弹陶瓷插板的陶瓷部分一般由小块的防弹陶瓷拼接而成。 近几年在美、德等国家开发的一种反应烧结碳化娃陶瓷整体防弹插板作为防弹材 料,而国内主要生产无压烧结碳化娃小六方体板及氧化侣六方体板拼接成整体板,但是W 上两种材料烧结时收缩量大,大板变型大,所W不能够做成整体大弧板。 专利技术人在实现本专利技术的过程中,发现现有技术至少存在W下不足:目前,国内企业 在生产反应烧结碳化娃陶瓷整体防弹插板过程中,通常采用单块板烧结方法,即把娃按照 防弹插板的底部弧度放到烧结用的石墨板上,再把防弹插板放到娃的上面,运样造成装炉 量低、效率也低,防弹插板变型大,烧结炉内空间不能充分利用,成品率低,单位能耗高,成 本局。
技术实现思路
阳〇化]本专利技术要解决的技术问题是针对W上不足,提供一种整体防弹插板用碳化娃陶瓷 烧结方法,采用W上烧结方法,实现了装炉量高、烧结变型度低、整体成品率高、产量高、单 位能耗低的目的。 为解决W上技术问题,本专利技术采用W下技术方案:一种整体防弹插板用碳 化娃陶瓷烧结方法,其特征在于,包括预烧步骤。 一种优化方案,所述预烧步骤包括: 将巧体装到真空烧结炉内的炉底板上,关闭炉口,在引风机引风的作用下升溫进行排 胶处理,冷却取出巧体。 进一步地,所述预烧步骤中: 升溫溫度为900±50°C。 进一步地,还包括制娃板步骤: 用80-200目的细娃粉在压制防弹插板的模具内压制娃板;娃板的重量为巧体重量的 70%, 进一步地,还包括装炉步骤。 进一步地,装炉步骤中: 炉板上面放石墨底板,将已排胶的巧体放到石墨底板上,巧体上面再放上娃板,然后隔 一块巧体放一块娃板,一摄共6块巧体,6块娃板,装满炉。 进一步地,还包括高溫烧结步骤。 进一步地,高溫烧结步骤中: 在真空下采用氮气保护升至高溫后停止升溫,继续抽真空后停止抽真空。充氮气至炉 体内成微负压状态,冷却后开炉口,再自然冷却后取出,得到成品。 进一步地,高溫烧结步骤中: 升溫时真空度为25化;升溫后溫度为1800°C。 进一步地,高溫烧结步骤中: 微负压状态为700Pa-800Pa;冷却到300°C时开炉口。 本专利技术采用W上技术方案后,与现有技术相比,具有W下优点: 1、降低了烧烤过程中的变形、开裂问题,巧体密度提高1%-3. 5%;巧体变形度降低了 85%;巧体开裂降低了88%;巧体成品率提高了 25%。 2、装炉量提高了 40%。 阳017] 3、每块娃板节省电费6元,每炉节电1800元,降低用电40%。 4、月产量提高了 50%。 5、防弹板的整体成品率高,所得成品变形度10%,降低了 10%;成品密度达到了 3. 09-3.llg/cm3,提高了 0. 3%-1.6%;弯曲强度达到了 380-390Mpa/cm3,提高了 0-5. 4%;断裂 初性达到了 3. 9MPami/2,提高了 3.8〇/〇。 6、产品成品率提高了 20%,达到90%。 下面结合实施例对本专利技术进行详细说明。【具体实施方式】 实施例1,一种整体防弹插板用碳化娃陶瓷烧结方法,包括W下步骤: (1) 预烧:取检验合格的巧体,每10片一摄整齐的装到真空烧结炉内的炉底板上,关闭 炉口,在引风机引风的作用下升溫至900±5(TC进行排胶处理,溫度达到后断电自然冷却至 200°C后开炉口取出巧体。 在实际生产中,专利技术人发现采用W上方法可有效降低烧结后制品的变形量,提高 装炉量。 排胶处理中,当巧体低于10片一摄时装炉量低,当多干10片时,成品率降低,易出 现变形。专利技术人还发现,排胶处理在溫度900°C±5(TC时胶质处理,一方面排胶效果好,另 一方面烧结后的变形度小。 当低于该溫度范围时,排胶效果不理想;高于该溫度时,烧结的变形度变高,巧体 在高溫烧结装炉时易破。 阳〇八]对比试验:按照W上方法所得巧体与传统方法所得巧体进行对比,结果如下表:(2) 制娃板:按照每块巧体所需的用娃量称好,用压制巧体同样的模具进行压制娃板, 娃板按巧体重量的70%取重,用80-200目的细娃粉在压制防弹插板的相同规格的模具内压 制成所要求重量的娃板。此处所指同样的模具,表示压制出的娃板和巧体除厚度不同外,其 余如长度、宽度、弧度等指标均相同。[002引 (3)装炉:炉板上面放上与制品相同型号尺寸的石墨底板,将步骤1中已排胶处理 好的巧体放到石墨底板上,巧体上面再放上将步骤2中所压好的娃板,然后隔一块巧体放 一块娃板,一摄共6块巧体,6块娃板,整齐的装满炉; 在实际生产中,专利技术人发现当巧体低于块时装炉量低,效率低;当多于6片时,易出现 变形、开裂。 (4)高溫烧结:在25化真空度下采用氮气保护升溫至1800°C停止升溫,继续抽真 空2小时后停止抽真空,充氮气至炉体内成700Pa-800Pa,冷却到300°C时开炉口,再自然 冷却到150°C时用料车把制品取出,在常溫下冷却到50°CW下,卸下制品,即完成整个烧结 工艺,得到成品。 在实际生产中,专利技术人偶然发现采用W上方法既增加了装炉量,降低烧结后制品 的变形量,又在同等时间内提高了效率,节省了用电;提高了产品成品率。 经试验分析:采用娃板装炉时6块一摄,增加了装炉量;在同等时间内提高了效 率,节省了用电;经W上工艺步骤后,采用娃板多层装巧体,避免了热量直接福射巧体,且娃 板的形状和巧体完全相同,运样就大大减少了烧成成品的变形量。 对比试验:按照W上方法所得成品与传统方法所得成品进行对比,结果如下表:从W上两个数据表可W看出,采用本专利技术方法所得成品,比采用传统方法所得产品在 巧体密度、巧体变形度、巧体开裂、巧体成品率、成品变形度、成品密度、弯曲强度、断裂初性 及生产成本方面都有极大改善。 上述的【具体实施方式】只是示例性的,是为了使本领域技术人员能够更好的理解本
技术实现思路
,不应理解为是对本专利技术保护范围的限制,只要是根据本专利技术技术方案所作的改 进,均落入本专利技术的保护范围。【主权项】1. ,其特征在于,包括预烧步骤。2. 如权利要求1所述的,其特征在于,所述 预烧步骤包括: 将坯体装到真空烧结炉内的炉底板上,关闭炉门,在引风机引风的作用下升温进行排 胶处理,冷却取出坯体。3. 如权利要求2所述的,其特征在于,所述 预烧步骤中: 升温温度为900 ±50 °C。4. 如权利要求1所述的,其特征在于,还包 括制娃板步骤: 用80-200目的细硅粉在压制防弹插板的模具内压制硅板;硅板的重量为坯体重量的 70% 〇5. 如权利要求1所述的,其特征在于,还包 括装炉步骤。6. 如权利要求5所述的,其特征在于,装炉 步骤中: 炉板上面放石墨底板,将已排胶的坯体放到石墨底板上,坯体上面再放上硅板,然后隔 一块坯体放一块硅板,一摞共6块坯体,6块硅板,装满炉。7. 如权利要求1所述的,其特征在于,还包 括本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种整体防弹插板用碳化硅陶瓷烧结方法,其特征在于,包括预烧步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王汝江张怀顺于海培
申请(专利权)人:山东金鸿新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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