本发明专利技术涉及采暖技术领域，尤其涉及一种半导体取暖装置。包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元；所述半导体发热单元包括半导体发热板，所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体；所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极；其特征在于：所述N型半导体设置石墨烯层，或者所述P型半导体设置石墨烯层，或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体发热板热冷端的温度差，达到提高半导体发热板制热能力的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采暖
，尤其涉及一种半导体取暖装置。
技术介绍
目前室内取暖的空调的制热速度慢、耗电量大、噪音大等缺点。半导体取暖具有以下特点:不污染环境、体积小、重量轻、结构简单、容易操作；制热速度快，而且便于通过工作电流大小实现可控调节；可在失重或超重等极端环境下运行。但是和常规空调等制热设备相比，半导体取暖还存在制热效率低、制热温差小等不足，这在很大程度上影响了其广泛使用。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题提出一种半导体取暖装置，包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元；所述半导体发热单元包括半导体发热板，所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体；所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极；其特征在于:所述N型半导体设置石墨烯层，或者所述P型半导体设置石墨烯层，或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。半导体内的石墨烯具有极高的导热率极高的电子迀移率和导电率，能够促使所述P型半导体和所述N型半导体以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极；同时，石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体发热板内的热量转移速度和能力。使得所述半导体发热板的热端持续产生热量，提高所述半导体发热板热冷端的温度差，达到提高半导体发热板制热能力的目的。作为优选，所述所述P型半导体设置石墨烯层；所述N型半导体具有石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。提高所述半导体发热板的热冷端温度差至150°C，在通电3S后所述热端的温度可达100°C，大大提高了半导体发热板的制热的能力。作为优选，还包括送暖单元。所述送暖单元可将所述热端的热量均匀的输送至各采暖位置和空间。作为优选，所述送暖单元包括导热部和送暖部；所述导热部与所述热端导热连接，将所述热端的热量传递至所述送暖部，所述送暖部将来自所述导热单元的热量输送至需要取暖的空间。作为优选，所述冷端设置除霜装置。所述冷端温度最低可达零下50°C，所述除霜装置可除去冷端产生的霜，提高使用舒适度。作为优选，还包括用于调节所述供电单元的电流大小的电流调节单元。通过调节电流的大小，调整半导体发热板的制冷或者制热能力。本专利技术还提供一种半导体取暖装置，包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元；所述半导体发热单元包括半导体发热板，所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体；所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极；其特征在于:所述N型半导体添加石墨烯颗粒，或者所述P型半导体添加石墨烯颗粒，或者所述N型半导体和所述P型半导体均添加石墨稀颗粒。添加有石墨稀颗粒的半导体内的石墨稀具有极尚的导热率极尚的电子迀移率和导电率，能够促使所述P型半导体和所述N型半导体以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极；同时，石墨稀极尚的导热性能可以提尚所述半导体发热板内的热量转移速度和能力。使得所述半导体发热板的热端持续产生热量，提高所述半导体发热板热冷端的温度差，达到提高半导体发热板制热能力的目的。作为优选，所述N型半导体添加石墨烯颗粒，所述P型半导体添加石墨烯颗粒，并且所述N型半导体的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨颗粒的石墨烯纯度。提高所述半导体发热板的热冷端温度差至150°C，在通电3S后所述热端的温度可达100°C，大大提高了半导体发热板的制热的能力。作为优选，还包括送暖单元。所述送暖单元可将所述热端的热量均匀的输送至各采暖位置和空间。作为优选，所述送暖单元包括导热部和送暖部；所述导热部与所述热端导热连接，将所述热端的热量传递至所述送暖部，所述送暖部将来自所述导热单元的热量输送至需要取暖的空间。作为优选，所述冷端设置除霜装置。所述冷端温度最低可达零下50°C，所述除霜装置可除去冷端产生的霜，提高使用舒适度。作为优选，还包括用于调节所述供电单元的电流大小的电流调节单元。通过调节电流的大小，调整半导体发热板的制冷或者制热能力。本专利技术具有如下有益效果: 1.半导体采暖装置采用板式的半导体发热板作为发热单元，结构简单； 2.半导体发热板具有快速的制热能力，能够在很短的时间内将采暖空间内的温度提升至指定范围； 3.12V直流电就可以进行工作，节约能耗； 4.制热温度范围可调，适用各种场合； 5.采用电制热的方式制热，避免了使用压缩机式的制热系统，降低了制热噪音。6.采用电制热的方式制热，制热系统中无机械运动，运行更稳定。7.通过在半导体中添加石墨烯，提高了半岛体发热板的制热速度。【附图说明】图1半导体采暖装置结构系统图； 图2实施例一半导体发热板板结构示意图； 图3实施例二半导体发热板板结构示意图； 其中，1-供电单元、2-半导体发热单元、3-送暖单元、4-采暖空间、5-除霜装置、21-热端、22-冷端、23-P型半导体、24- N型半导体、25-金属导体、26-石墨稀层、27-石墨稀颗粒、31-导热部、32-送暖部。【具体实施方式】下面将结合附图对本专利技术的实施方式进行详细描述。如图1，一种半导体取暖装置，包括半导体发热单元2、与半导体发热单元电连接并为半导体发热单元供电的供电单元I;半导体发热单元包括半导体发热板，半导体发热板包括用于释放热量的热端21、用于吸收热量的冷端22、设置在热端21和冷端22之间的P型半导体23和N型半导体24、以及连接N型半导体24和P型半导体23的金属导体25 ；金属导体25设置用于连接供电单元I的正负电极。实施例一 N型半导体24或者P型半导体23内夹有石墨烯层26。N型半导体24内的石墨烯层为掺杂有H2或者其他可以增加石墨烯失电子能力的杂质的N型掺杂石墨烯层；P型半导体23内的石墨烯层当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体取暖装置，包括半导体发热单元（2）、与所述半导体发热单元（2）电连接并为所述半导体发热单元（2）供电的供电单元（1）；所述半导体发热单元（2）包括半导体发热板，所述半导体发热板包括用于释放热量的热端（21）、用于吸收热量的冷端（22）、设置在所述热端（21）和所述冷端（22）之间的P型半导体（23）和N型半导体（24）、以及连接所述N型半导体（24）和所述P型半导体（23）的金属导体（25）；所述金属导体（25）设置用于连接所述供电单元（1）的正负电极；其特征在于：所述N型半导体（24）设置石墨烯层，或者所述P型半导体（23）设置石墨烯层，或者所述N型半导体（24）和所述P型半导体（23）均设置石墨烯层（26）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐玉敏，虞红伟，
申请(专利权)人：唐玉敏，虞红伟，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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