本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置,用以解决现有技术中因采用COA技术所导致的像素电极的跳变电压过大而影响显示效果的问题。所述显示基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,每一所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极、彩膜层和公共电极线;其中,至少一个所述像素单元还包括与所述公共电极线绝缘设置的金属线,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,近年来得到了迅速地发展,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-1XD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用,几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品,如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑、手机、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等。TFT-1XD由液晶显不面板、驱动电路以及背光模组组成,液晶显不面板是TFT-1XD的重要部分。为了提高开口率和降低对盒制程难度,目前一般采用C0A(Color Filter onArray)技术将彩色层制备在阵列基板上以形成包括薄膜晶体管和彩色滤光层的COA基板,如图1所不。图1为现有技术的COA基板的结构不意图,如图1所不,现有的COA基板包括衬底基板101、栅线102、数据线103、薄膜晶体管104、彩膜层105、钝化层106 (见图2)和透明导电层107 (见图2) ο对于扭曲向列型(Twist Nematic, TN)液晶显示模式的显示面板来说,如图2所示,在完成彩膜层的制作后,为了确保显示效果,彩膜层与黑矩阵会有部分重叠,重叠宽度约为7.5 μ m,而由于公共电极线108与黑矩阵几乎齐边,因此彩膜层会覆盖部分公共电极线,使得透明导电层与公共电极线之间的距离增大。根据电容的定义可知,透明导电层与公共电极线之间的距离增大时,透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst减小,进而导致像素电极的跳变电压的跳变量A Vp增大,影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置,用以解决现有技术中因采用COA技术所导致的像素电极的跳变电压过大而影响显示效果的问题。本专利技术实施例提供了一种显示基板,所述显示基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,每一所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极、彩膜层和公共电极线;至少一个所述像素单元还包括与所述公共电极线绝缘设置的金属线,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠。本专利技术实施例提供的显示基板中,包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,每一所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极、彩膜层和公共电极线;至少一个所述像素单元还包括与所述公共电极线绝缘设置的金属线,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠,以使得所述金属线与所述公共电极线形成补偿电容,用于补偿透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst,解决现有因透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst减小而导致的像素电极的跳变电压的跳变量A Vp增大的问题,提高显示面板的显示效果。较佳的,每两个相邻的像素单元构成一像素单元组,且一个像素单元只对应一个像素单元组;其中每一行像素单元组的上方和下方分别设置有一条为该像素单元组提供栅极信号的栅线;每一像素单元组中,一个像素单元由位于该像素单元组上方的栅线驱动,另一个像素单元由位于该像素组下方的栅线驱动。较佳的,所述金属线位于所述公共电极线的上方。所述金属线位于所述公共电极线的上方时,可以增大所述金属线与所述公共电极线之间的正对面积,使得金属线与公共电极线之间的补偿电容增大。并且,所述金属线位于所述公共电极线的上方时,便于所述金属线与薄膜晶体管或像素电极电连接,使得所述金属线与像素电极具有相同的电位,形成用于以使得所述金属线与所述公共电极线形成补偿电容,用于补偿,透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst。较佳的,所述薄膜晶体管包括:位于所述衬底基板上的栅极,位于所述栅极上方栅绝缘层,位于所述绝缘层上方的有源层,位于所述有源层上方的源极和漏极,所述公共电极线与所述栅极同层设置,所述金属线与所述源极和漏极同层设置。在制作显示基板的过程中,将所述公共电极线与所述栅极同层设置,将所述金属线与所述源极和漏极同层设置,可以通过一次工艺形成所述公共电极线与所述栅极,以及通过一次工艺形成所述金属线与所述源极和漏极,不仅有利于简化制备工艺,还可以缩短制作周期,提高生产效率,降低生产成本。较佳的,所述金属线与所述漏极电连接。当所述金属线与所述漏极电连接时,使得所述金属线可获得与像素电极相同的电位,与公共电极线共同形成补偿电容,消除COA技术对像素电极的跳变电压的影响。较佳的,每一所述像素单元组中,相邻的两个像素单元的金属线绝缘设置。每一所述像素单元组中,相邻的两个像素单元的金属线绝缘设置,使得每一像素单元的补偿电容只与本像素单元内像素电极的驱动电压有关,有利于提高补偿的精确度,提高显示质量。基于同一专利技术构思,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的显示基板。基于同一专利技术构思,本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括在衬底基板上形成数据线、扫描线、彩膜层、像素电极和公共电极线的步骤和形成薄膜晶体管的步骤,所述彩膜层、像素电极、公共电极线和薄膜晶体管均形成在有所述扫描线和数据线围成的多个像素单元内;所述方法还包括形成与所述公共电极线绝缘的金属线的步骤,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠。通过本专利技术实施例提供的显示基板的制作方法所形成的显示基板,包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,每一所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极、彩膜层和公共电极线;所述像素单元还包括与所述公共电极线绝缘设置的金属线,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠,以使得所述金属线与所述公共电极线形成补偿电容,用于补偿,透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst,解决现有因透明导电层与公共电极线之间的耦合电容Cst减小而导致的像素电极的跳变电压的跳变量Δνρ增大的问题,提高显示面板的显示效果。较佳的,每两个相邻的像素单元构成一像素单元组,且一个像素单元只对应一个像素单元组;其中每一行像素单元组的上方和下方分别设置有一条为该像素单元组提供栅极信号的栅线;每一像素单元组中,一个像素单元由位于该像素单元组上方的栅线驱动,另一个像素单元由位于该像素组下方的栅线驱动。对于双栅结构的显示基板来说,每一像素单元组中间的区域没有设置数据线,因此可以将所述金属线设置在两个像素单元之间的区域部分,使得该金属线可以与所述源极和所述漏极同时制作,进而缩短制作周期,降低生产成本。较佳的,所述形成薄膜晶体管的步骤包括:在所述衬底基板上形成包括栅极的图形;在所述包括栅极的图形的基板上形成栅绝缘层;在包括所述栅绝缘层的基板上形成包括有源层的图形;在所述包括有源层的图形的基板上形成包括源极和漏极的图形。在上述形成薄膜晶体管的方法中,将所述公共电极线与所述栅线同层设置,将所述金属线与所述源极和漏极同层设置,有利于简化制备工艺,还缩短制作周期,提高生产效率,降低生产成本。 较佳的,所述方法具本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示基板,所述显示基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,其特征在于,所述像素单元设置有薄膜晶体管、像素电极、彩膜层和公共电极线;至少一个所述像素单元还包括与所述公共电极线绝缘设置的金属线,所述金属线在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王小元,王武,金在光,
申请(专利权)人:重庆京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:重庆;85
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