本发明专利技术属于农业种植领域，具体涉及一种玉米双垄沟覆膜种植技术，在常规地膜玉米种植的基础上，在膜带上开沟播种，垄面形成两条集流沟，具有集流增墒、播期不受土壤墒情限制、便于田间管理，增产效果明显。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种玉米双垄沟覆膜种植技术。属于农业种植领域。
技术介绍
玉米种植一般采用露地或地膜覆盖种植，这种种植方法受墒情影响，产量低，成熟慢，田间管理难。
技术实现思路
本专利技术的目的是开发一种玉米双垄沟覆膜种植技术，其特征是在常规地膜玉米种植的基础上，在膜带上开沟播种，垄面形成两条集流沟，具有集流增墒、播期不受土壤墒情限制、增产效果明显。其种植技术如下: 1、选茬整地:选择地势平坦、土层深厚、土质疏松、肥力较好的地块，不可选玉米连作三年以上的地块，结合深翻耕亩施优质农家肥3000 - 5000公斤，冬前耙耱保墒。2、顶凌覆膜:3月下旬土壤消冻时镇压浅耕耱平起隆覆膜，用划线器按100 - 120厘米划一带，带中央50 — 60厘米处开一条深15厘米、宽15厘米的施肥沟,按亩施纯氮9公斤，五氧化二磷4公斤，硫酸锌2公斤的比例将上述肥料充分混合后施入沟内，然后在施肥沟两侧各20厘米处开播种沟，播种沟间距40厘米，播种沟深5厘米，宽10厘米。在开播种沟的同时垄土自然覆盖施肥沟，埋住肥料，播种沟10厘米处开压膜沟，用宽120cm、厚0.008mm的超薄地膜覆膜，膜与膜间不留空隙，每隔2m?3m横压土腰带。3、品种选择:海拔在2000米以下的选择晚熟品种，海拔在2000米以上的选择早熟品种。4、播种:当土壤表层5?10厘米处温度稳定在10°C?12°C以上，4月中旬播种，播种时在播种沟内按穴点籽播种，每穴2粒，穴距25-30厘米，覆土后膜上形成两条凹陷集流沟，待雨出苗，出苗后遇雨后及时破除板结。5、田间管理:播种后及时检查，发现地膜破损，应在破膜处及时用土封严，当幼苗开始顶膜时，要及时破膜放苗，每孔放苗1-2株，然后用土将苗孔封严。放苗时间应在上午或下午，避开大风和中午大热天。出苗后若有缺苗，应及时移栽补苗，3-4叶期间苗，亩保苗3000-4500株，在拔节期和孕穗期适时追肥，叶面喷施0.1%-0.2%硫酸锌溶液1_2次，磷酸二氢钾1-2次，同时根据实际可结合降雨亩施尿素25-30公斤，及时清除杂草。【附图说明】:图1是玉米双垄沟覆膜种植技术流程图。【主权项】1.一种玉米双垄沟覆膜种植技术，其特征是在膜带上开沟播种。2.根据权利要求1所述玉米双垄沟覆膜种植技术，其特征在于它的方法及条件如下: (I)选茬整地:选择地势平坦、土层深厚、土质疏松、肥力较好的地块，结合深翻耕亩施优质农家肥3000 - 5000公斤，冬前耙耱保墒；(2)顶凌覆膜:3月下旬土壤消冻时镇压浅耕耱平起隆覆膜，用划线器按100 - 120厘米划一带，带中央50 - 60厘米处开一条深15厘米、宽15厘米的施肥沟,按亩施纯氮9公斤,五氧化二磷4公斤,硫酸锌2公斤的比例将上述肥料充分混合后施入沟内，然后在施肥沟两侧各20厘米处开播种沟，播种沟间距40厘米，播种沟深5厘米，宽10厘米，在开播种沟的同时垄土自然覆盖施肥沟，埋住肥料，播种沟10厘米处开压膜沟，用宽120cm、厚0.008mm的超薄地膜覆膜，膜与膜间不留空隙，每隔2m?3m横压土腰带；(3)品种选择:海拔在2000米以下的选择晚熟品种，海拔在2000米以上的选择早熟品种；(4)播种:4月中旬播种，播种时在播种沟内按穴点籽，每穴2粒，穴距25-30厘米，播种覆土后膜上形成两条凹陷集流沟；(5)田间管理:发现地膜破损，应在破膜处及时用土封严，当幼苗开始顶膜时，要及时破膜放苗，每孔放苗1-2株，然后用土将苗孔封严，若有缺苗，应及时移栽补苗，3-4叶期间苗，亩保苗3000-4500株，在拔节期和孕穗期适时追月巴，叶面喷施0.1%-0.2%硫酸锌溶液1-2次，磷酸二氢钾1-2次，同时根据实际可结合降雨亩施尿素25-30公斤，及时清除杂草。【专利摘要】本专利技术属于农业种植领域，具体涉及一种玉米双垄沟覆膜种植技术，在常规地膜玉米种植的基础上，在膜带上开沟播种，垄面形成两条集流沟，具有集流增墒、播期不受土壤墒情限制、便于田间管理，增产效果明显。【IPC分类】A01G1/00, A01G13/02【公开号】CN105191599【申请号】CN201410303423【专利技术人】不公告专利技术人 【申请人】张世峰【公开日】2015年12月30日【申请日】2014年6月30日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种玉米双垄沟覆膜种植技术，其特征是在膜带上开沟播种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：张世峰，
类型：发明
国别省市：甘肃;62
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