一种多晶硅铸锭炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、坩埚、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置；所述炉体包括上炉体和下炉体；所述下炉体内设有保温层，所述保温层内设置有所述加热装置；所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置，所述升降装置上设有所述支撑板，所述支撑板上设有所述坩埚；所述真空装置设于所述下炉体一侧，并与所述下炉体通过真空管路连接。本实用新型专利技术中升降装置的设置便于坩埚上升、下降，使得在下炉体内完成长晶、退火阶段后，进入上炉体，再进行冷却，从而得到多晶硅铸锭。本实用新型专利技术通过在保温层安装电极，使得下炉体内温度均匀，消除了盲区，避免了矿石资源的浪费，同时降低了能耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产工艺领域，尤其涉及一种多晶硅铸锭炉。
技术介绍
目前，多晶硅铸锭炉主要用于以铸锭方式生产硅半导体材料，传统的多晶硅铸锭炉由炉体和炉盖组成，通常炉盖位于炉体上端，加热装置分布在炉膛的坩祸周围，存在温度分布不均，装卸料不方便的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出一种多晶硅铸锭炉，该多晶硅铸锭炉解决了炉体内温度分布不均，装卸料不方便的技术问题。本技术的技术方案是这样实现的:—种多晶硅铸锭炉，包括炉体、坩祸、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置；所述炉体包括上炉体和下炉体；所述下炉体内设有保温层，所述保温层内设置有所述加热装置；所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置，所述升降装置上设有所述支撑板，所述支撑板上设有所述坩祸；所述真空装置设于所述下炉体外，并与所述下炉体通过真空管路连接。优选地，所述保温层包括第一保温层和第二保温层。优选地，所述第一保温层为耐火保温纤维层，所述第二保温层为石墨碳砖层。优选地，所述加热装置为电极，所述电极对称安装在所述第二保温层内。优选地，所述加热装置为石墨电极。优选地，所述下炉体内设置有5?50个升降装置。优选地，所述上炉体上设置有顶盖，所述顶盖上设置有保护气进口。优选地，所述上炉体和所述下炉体之间连接有密封盖。优选地，还包括控制机构，所述控制机构与所述密封盖连接。优选地，还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述上炉体内。本技术的有益效果为:本技术中升降装置的设置便于坩祸上升、下降，使得在下炉体内完成长晶、退火阶段后，进入上炉体，再进行冷却，从而得到多晶硅铸锭。本技术通过在保温层安装电极，使得下炉体内温度均勾，消除了盲区，避免了矿石资源的浪费，同时降低了能耗。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术多晶硅铸锭炉的结构示意图。图中:1、上炉体；2、下炉体；3、第一保温层；4、第二保温层；5、升降装置；6、支撑板；7、坩祸；8、加热装置；9、密封盖；10、真空装置；101、真空管路；11、顶盖。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，本技术提供的多晶硅铸锭炉，包括炉体、坩祸7、加热装置8、支撑板6、升降装置5和真空装置10。所述炉体包括上炉体I和下炉体2，所述上炉体I用于对多晶硅铸锭进行冷却，具体实施时，所述上炉体I内设有冷却装置。所述下炉体2内设有保温层，所述保温层设置于所述下炉体2内，用于减少下炉体2内热量流失，从而保证多晶硅铸锭炉的保温性能。具体实施时，保温层包括第一保温层3和第二保温层4，第一保温层3为耐火保温纤维层，第二保温层4为石墨碳砖层，通过采用耐火材料层和石墨碳砖层逐层保温，将其热传导逐渐降低，进而保证了多晶硅铸锭炉的保温性能。所述下炉体2内还设有2个以上升降装置，升降装置5上设有支撑板6，支撑板6上设有坩祸7，所述坩祸7用于盛放金属硅；所述支撑板6用于支撑坩祸7及其金属硅，保证坩祸7的稳定性；所述升降装置5便于坩祸7上升、下降，使得金属硅在下炉体2内完成长晶、退火结算后，进入上炉体1，再进行冷却，从而得到多晶硅铸锭。另外升降装置5的设置方便放入或取出坩祸7，具体实施时，所述下炉体2内设置有5?50个升降装置5。所述加热装置8设于保温层内，使得下炉体2内温度分布均匀，并且节省下炉体2空间，提高炉体空间利用率，具体实施时，所述加热装置8为电极，所述电极对称安装在所述第二保温层4内，其中电极的数量为5?25，相邻电极之间的距离相等，上述电极的设置使得炉体内温度均匀，消除了盲区，避免了矿石资源的浪费，同时降低了能耗。所述真空装置10用于保证下炉体2的真空状态，该真空装置10设于下炉体2外，通过真空管路101与下炉体2连接。具体实施时，所述上炉体I上设置有顶盖11，所述顶盖11上设置有保护气进口，利于在保护气体的进入，在具体制备多晶硅铸锭过程中，长晶、退火及冷却阶段，保证保护气进口关闭，最大限度的减少保护气及热量的损失。具体实施时，所述上炉体I和所述下炉体2之间连接有密封盖9，本技术中密封盖9的设置将炉体分为上炉体I和下炉体2，并且在制备多晶硅铸锭的过程中，避免了上炉体1、下炉体2的热量交换，从而导致上炉体1、下炉体2内温度分布不均，优选密封盖9与控制机构连接，便于密封盖9的自动开启。具体实施时，还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述上炉体11内，用于完成退火阶段。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种多晶硅铸锭炉，其特征在于:包括炉体、坩祸、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置； 所述炉体包括上炉体和下炉体； 所述下炉体内设有保温层，所述保温层内设置有所述加热装置； 所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置，所述升降装置上设有所述支撑板，所述支撑板上设有所述坩祸； 所述真空装置设于所述下炉体外，并与所述下炉体通过真空管路连接。2.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述保温层包括第一保温层和第二保温层。3.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述第一保温层为耐火保温纤维层，所述第二保温层为石墨碳砖层。4.如权利要求3所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述加热装置为电极，所述电极对称安装在所述第二保温层内。5.如权利要求1?4任一项所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述加热装置为石墨电极。6.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述下炉体内设置有5?50个升降装置。7.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述上炉体上设置有顶盖，所述顶盖上设置有保护气进口。8.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:所述上炉体和所述下炉体之间连接有密封盖。9.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:还包括控制机构，所述控制机构与所述密封盖连接。10.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于:还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述上炉体内。【专利摘要】本技术公开了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、坩埚、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置；所述炉体包括上炉体和下炉体；所述下炉体内设有保温层，所述保温层内设置有所述加热装置；所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置，所述升降装置上设有所述支撑板，所述支撑板上设有所述坩埚；所述真空装置设于所述下炉体一侧，并与所述下炉体通过真空管路连接。本技术中升降装置的设置便于坩埚上升、下降，使得在下炉体内完成长晶、退火阶段后，进入上炉体，再进行冷却，从而得到多晶硅铸锭。本技术通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭炉，其特征在于：包括炉体、坩埚、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置；所述炉体包括上炉体和下炉体；所述下炉体内设有保温层，所述保温层内设置有所述加热装置；所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置，所述升降装置上设有所述支撑板，所述支撑板上设有所述坩埚；所述真空装置设于所述下炉体外，并与所述下炉体通过真空管路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王增林，
申请(专利权)人：宁夏金海金晶光电产业有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64