本实用新型专利技术属于电子电路技术领域,具体的说涉及一种用于U盘的保护电路。本实用新型专利技术提供的电路主要包括U盘控制芯片,所述U盘的电源线上连接有保护电路;所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管MN、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管MN的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。本实用新型专利技术的有益效果为,极大的降低了U盘烧毁的可能性,使得U盘的寿命得到较大的延长,间接保护了U盘内的数据安全,使U盘的可靠性得到提升。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子电路
,具体的说涉及一种用于U盘的保护电路。
技术介绍
U盘是目前最常用的便携式移动存储设备之一,其便利性是其得到广泛应用的基础。目前的U盘,大家往往关注的都是其存储量的提升,而对于U盘本身的耐用性关注较少。U盘是一种不支持热拔插的设备,要拔掉插在电脑设备上的U盘,往往需要先在电脑设备上选择停止U盘运行后方可安全拔出U盘,这是因为U盘与电脑设备连接后即开始进行数据交换,在没有停止U盘运行的情况下拔出会导致U盘内数据的丢失,还会因为拔插过程中的瞬间电压使目前U盘脆弱的芯片被击穿而导致U盘报废。目前因为各种原因,经常会出现不按标准拔出U盘的情况,即使是按照正常方式拔出U盘,也可能会出现U盘烧掉的情况,因此目前的U盘普遍存在容易烧毁的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的,就是针对目前U盘容易烧毁的问题,提出一种用于U盘的保护电路。为实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种用于U盘的保护电路,包括U盘控制芯片,所述U盘控制芯片具有电源线、地线、读信号线和写信号线,其特征在于,所述电源线上连接有保护电路;所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管丽、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管丽的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。本技术的有益效果为,极大的降低了 U盘烧毁的可能性,使得U盘的寿命得到较大的延长,间接保护了 U盘内的数据安全,使U盘的可靠性得到提升。【附图说明】图1为本技术的逻辑结构示意图;图2为本技术中保护电路的电路结构示意图。【具体实施方式】图1为本技术的一种用于U盘的保护电路,包括U盘控制芯片,所述U盘控制芯片具有电源线、地线、读信号线和写信号线,所述电源线上连接有保护电路;如图2所示,所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管丽、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管MN的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。本技术的工作原理为:本技术主要利用MOS管的漏源电流作为门极晶闸管的门极驱动电流;具体为:通过第一电流源对PMOS管栅极施加电压,通过第二电流源对NMOS管栅极施加电压,第一电流源和第二电流源产生的电压分别为U盘控制芯片正常工作时所需的最低和最高电压,当电源线上的电压出现波动时,如出现负向波动时,当第一电流源与电源线上VCC的的电压差达到PMOS管MP的阈值电压,PMOS管MP将导通,将会有电流从该PMOS管的漏极流向源极,该电流用于触发N型门极晶闸管DN快速导通,晶闸管导通后具有泄放浪涌电流的能力,VCC上因电压波动产生的的浪涌电流将由地线泄放,保护了后端与电源线VCC相连的控制芯片;当电源线VCC端出现正向波动时,当VCC与第二电压源的电压差达到NMOS管丽的阈值电压,NMOS管MN将导通,将会有电流从该NMOS管的源极流向漏极,该电流用于触发P型门极晶闸管NP快速导通,晶闸管导通后具有泄放因电压波动产生的浪涌电流的能力,电源线VCC上的因过大瞬间电压产生的浪涌电流将泄放到地,保护了后端与电源线VCC相连接的控制芯片;当电源线VCC上的电压在第一电压源和第二电压源产生的电压范围之间时,MOS管和晶闸管都将不会导通,不会对后端电路系统的正常工作产生影响,当VCC上产生的浪涌电流消失后,MOS管将截止、晶闸管将关断,使控制芯片恢复正常工作;从而有效的保护了控制芯片,使得U盘在拔插过程中得到有效的保护,不会因为频繁的拔插而被烧毁。【主权项】1.一种用于U盘的保护电路,包括U盘控制芯片,所述U盘控制芯片具有电源线、地线、读信号线和写信号线,其特征在于,所述电源线上连接有保护电路;所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管丽、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管MN的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。【专利摘要】本技术属于电子电路
,具体的说涉及一种用于U盘的保护电路。本技术提供的电路主要包括U盘控制芯片,所述U盘的电源线上连接有保护电路;所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管MN、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管MN的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。本技术的有益效果为,极大的降低了U盘烧毁的可能性,使得U盘的寿命得到较大的延长,间接保护了U盘内的数据安全,使U盘的可靠性得到提升。【IPC分类】H02H9/02【公开号】CN204905854【申请号】CN201520684119【专利技术人】王婕 【申请人】王婕【公开日】2015年12月23日【申请日】2015年8月29日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于U盘的保护电路,包括U盘控制芯片,所述U盘控制芯片具有电源线、地线、读信号线和写信号线,其特征在于,所述电源线上连接有保护电路;所述保护电路由PMOS管MP、NMOS管MN、P型门极晶闸管、N型门极晶闸管、第一电压源和第二电压源构成;所述PMOS管MP的栅极接第一电压源,其源极接N型门极晶闸管的门极,其漏极接地线;所述N型门极晶闸管的阳极接地线,其阴极接电源线;所述NMOS管MN的栅极接第二电压源,其源极接P型门极晶闸管的门极;P型门极晶闸管的阳极接电源线,其阴极接地线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王婕,
申请(专利权)人:王婕,
类型:新型
国别省市:四川;51
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