本发明专利技术提供一种像素电极及液晶显示面板。该像素电极不含“十字形”龙骨，包括：外围边框(40)、于所述外围边框(40)内部连接该外围边框(40)的数个第一像素电极分支(41)、数个第二像素电极分支(42)、数个第三像素电极分支(43)、及数个第四像素电极分支(44)；且所述数个第一、第二、第三、与第四条状像素电极分支(41、42、43、44)形成非对称结构，使得位于像素电极中间部分的大多数液晶分子按照像素电极分支及像素电极分支之间的间隔方向进行排列，能够解决现有技术中由像素电极的“十字形”龙骨部分导致的液晶显示面板穿透率降低的问题，提高液晶显示面板的穿透率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及显示
，尤其设及一种像素电极及液晶显示面板。
技术介绍
主动式薄膜晶体管液晶显示器（ThinFilmTransistor-LCD，TFT-LCD)近年来得 到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为S种 类型，分别是扭曲向列（Twisted化matic，TN)或超扭曲向列（SuperTwisted化matic， STN)型，平面转换（In-PlaneSwitching,IP巧型、及垂直配向（VerticalAlignment, VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到 4000-8000,在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。[000引 VA型液晶显不面板之所W具有极局的对比度是因为在不加电的暗态时，液晶分子 垂直于基板表面排列，不产生任何相位差，漏光极低，暗态亮度很小，根据对比度计算公式 暗态亮度越低，则对比度越高。为了使VA型液晶显示面板中的液晶分子能够垂直于基板表 面排列，需要对液晶分子进行垂直配向处理，现行最为普遍的做法是在上、下基板表面的特 定区域涂布垂直配向剂，垂直配向剂一般包含大量的化学溶剂NMP(N-甲基化咯烧酬）W及 高分子材料聚酷亚胺（P0l^mide，PI)等成分，然后将基板在高溫（一般200摄氏度W上） 下进行长时间烘烤，使配向剂中的溶剂被烤干，从而在基板表面形成PI配向层。如图1所 示，传统的VA型液晶显示面板包括：上基板10、与上基板10相对设置的下基板20、夹于上 基板10和下基板20之间的液晶层50,形成于上基板10面向下基板20 -侧表面及下基板 20面向上基板10 -侧表面的PI配向层30。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶， 液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏（colorshift)问题比较严重。 为了使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多 畴VA技术（multi-domainVA，MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的 液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均，一致。实现 MVA技术的方法有多种，请参阅图2、图3、及图4,其中一种方法是将一侧的IT0像素电极70 处理成"米字型"图案，公共电极80为厚度均匀、连续不间断的平面电极，由于特殊的IT0像 素电极图案，其产生的倾斜电场可W诱导不同区域中的液晶分子50倒向不同的方向。 阳0化]图2所示为一种MVA型液晶显示面板的下基板20 -侧的平面俯视示意图，其中 210与220分别为扫描线与数据线，一个子像素被像素电极70划分成了四个区域。所述 IT0像素电极70包括"十字形"龙骨701、及相对于水平方向自该"十字形"龙骨701分别向 45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素电极分支702与狭缝间隔的图案。图3所示 为该MVA型液晶显示面板在对应图2中A-A处的剖面示意图，其中具有狭缝的像素电极70 设于平坦的下纯化层60上，平面型的公共电极80设于平坦的上纯化层90上，PI配向层30 覆盖于像素电极70及公共电极80上。 阳006] 根据VA型液晶显示面板的穿透率公式： 其中T为穿透率，AO为液晶长轴与偏光片夹角，45°时效率最大；r为相位差， 即由液晶分子在电场驱动下偏转对偏振光的调制效果。 r的计算公式为： r=cos(a)巧 31 *An*d/入 似 其中，a为液晶分子长轴与基板法线的夹角，其大小受液晶分子受到的电场大小决 定，d为液晶盒盒厚，An为液晶长、短轴折射率差。 由W上穿透率公式可知，由于在子像素的四个区域内，IT0像素电极70具有分别 向相对于水平方向倾斜45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素电极分支702与狭缝 间隔的图案（上、下偏光片方向分别为0°、90° )，液晶分子长轴将分别向相对于水平方向 倾斜45。、135。、-45。、及-135。方向倒伏，穿透率公式中sin22A0 = 1，能够实现穿透 率的最大化。 但是如图2所示的像素电极40的"十字形"龙骨701所对应区域上的液晶分子50 往往不能像像素电极分支702与狭缝间隔的图案所对应区域上的液晶分子那样向相对于 水平方向倾斜45°、135°、-45°、及-135°四个方向倒伏，而是如图5所示，位于"十字形" 龙骨701对应区域上的液晶分子50向相对于水平方向倾斜0°、或90°方向倒伏，使得穿 透率公式中sin22A0= 0,显示为不透光态，造成液晶显示面板的整体穿透率相对理想情 况（液晶分子完全按照斜45°角方向排列）下降约10%。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素电极，能够解决现有技术中由像素电极的"十字 形"龙骨部分导致的液晶显示面板穿透率降低的问题，提高液晶显示面板的穿透率，降低液 晶显示面板对背光亮度的需求，降低使用功耗。 本专利技术的目的还在于提供一种液晶显示面板，其穿透率较高，对背光亮度的需求 较低，使用功耗较低。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种像素电极，包括：外围边框、于所述外围边框 内部连接该外围边框的数个相互平行且相互间隔的第一像素电极分支、数个相互平行且相 互间隔的第二像素电极分支、数个相互平行且相互间隔的第=像素电极分支、及数个相互 平行且相互间隔的第四像素电极分支； 所述数个第一与第二像素电极分支相对于外围边框的竖直中屯、线不对称，且沿竖 直方向上下交错排列，所述数个第=与第四像素电极分支相对于外围边框的竖直中屯、线不 对称，且沿竖直方向上下交错排列，所述数个第一与第四像素电极分支相对于外围边框的 水平中屯、线不对称，所述数个第二与第=像素电极分支相对于外围边框）的水平中屯、线不 对称。 所述第一像素电极分支、第二像素电极分支、第=像素电极分支、第四像素电极分 支中的任一像素电极分支相对远离外围边框的端部与其它像素电极分支的端部不相连。 所述第一像素电极分支、第二像素电极分支、第=像素电极分支、与第四像素电极 分支均呈条状。 所述第一像素电极分支、第二像素电极分支、第=像素电极分支、与第四像素电极 分支分别相对于水平方向倾斜45。、135°、-135。、与-45°。 所述外围边框呈矩形。 所述外围边框由沿竖直方向设置的第一竖边与第二竖边、及沿水平方向设置的第 一横边与第二横边闭合围犹构成； 部分第一像素电极分支连接所述第一竖边，剩余的第一像素电极分支连接所述第 一横边；部分第二像素电极分支连接所述第二竖边，剩余的第二像素电极分支连接所述第 一横边；部分第=像素电极分支连接所述第二竖边，剩余的第=像素电极分支连接所述第 二横边；部分第四像素电极分支连接所述第一竖边，剩余的第四像素电极分支连接所述第 二横边。 所述像素电极的材料为口0。本专利技术还提供了一种液晶显示面板，包括：上基板、与所述上基板相对设置的下基 板、设置于所述上基板面向所述下基板一侧的公共电极、设于所述下基板面向所述上基板 一侧的像素电极、及夹设于所述公共电极与像素电极之间的液晶层当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素电极，其特征在于，包括：外围边框(40)、于所述外围边框(40)内部连接该外围边框(40)的数个相互平行且相互间隔的第一像素电极分支(41)、数个相互平行且相互间隔的第二像素电极分支(42)、数个相互平行且相互间隔的第三像素电极分支(43)、及数个相互平行且相互间隔的第四像素电极分支(44)；所述数个第一与第二像素电极分支(41、42)相对于外围边框(40)的竖直中心线不对称，且沿竖直方向上下交错排列，所述数个第三与第四像素电极分支(43、44)相对于外围边框(40)的竖直中心线不对称，且沿竖直方向上下交错排列，所述数个第一与第四像素电极分支(41、44)相对于外围边框(40)的水平中心线不对称，所述数个第二与第三像素电极分支(42、43)相对于外围边框(40)的水平中心线不对称。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟新辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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