一种掩模检测系统的照明光学单元(1)，用于EUV光(2)下。照明光学单元(1)的中空波导(9)用于引导照明光(2)。中空波导(9)具有照明光(2)的入射开口(7)和照明光(2)的出射开口(10)。成像反射镜光学单元(11)设置在中空波导(9)的下游，用于将出射开口(10)成像于照明场(4)中。这导致通量针对EUV照明光优化的照明光学单元。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】掩模检测系统的照明光学单元和具有这种照明光学单元的掩模检测系统相关申请的交叉引用通过引用将德国专利申请DE 10 2013 204 444.5的内容并入本文。
本专利技术涉及一种在EUV照明光下使用的掩模检测系统的照明光学单元。本专利技术还涉及一种具有这种照明光学单元和EUV光源的掩模检测系统。
技术介绍
从DE10220815A1 和 W02012/101269A1 已知掩模检测系统。
技术实现思路
本专利技术的目的是开发一种掩模检测系统的照明光学单元，使得针对EUV照明光优化该照明光学单元的通量，该照明光学单元可用于照明照明场。根据本专利技术，该目的由具有权利要求1中指定特征的照明光学单元实现。使用中空波导和具有用于掠入射的至少一个反射镜的成像光学单元的结果是照明光学单元，通过照明光学单元，可照明照明场，即使在对于照明均匀性、高通量(即照明光学单元部件的高传输率)同时保持苛刻要求时亦如此。中空波导对照明光进行了良好的混合。这导致了照明光学单元的高效率，所述照明光学单元用照明光同时具有照明场的高照明均匀性。用低剂量的变化照明照明场是可能的。就通过照明场扫描要检测的掩模来说，在扫描方向上合并的照明剂量的变化可在照明场中垂直于扫描轴达到小于5%的值，尤其可以达到小于1%的值。成像光学单元的像侧数值孔径可小于0.2，可为0.10照明场可在照明场平面中具有典型尺寸，其小于0.5mm,即，例如，照明场可具有大约最多ImmXlmm或最多0.6mmX 0.6mm的面积。照明场可以是矩形的且具有尺寸0.6mm x 0.4mm,或0.1mm x0.1mm。长宽比，特别是中空波导出射开口的长宽比可在0.5-2之间，可例如为I。用于反射照明光的中空波导的内部腔可为长方体。入射开口和出射开口可相应地为矩形并具有相同尺寸。入射开口和出射开口的典型尺寸可位于Imm X Imm到5mm x 5mm范围内，例如为1.0mm X 2.0mm或1.5mm x 2.0mm。中空波导的长度可超过300mm，可超过400mm，也可超过500_。照明光在中空波导中反射的次数η最大可为10。照明光学单元反射照明光的所有表面可承载高反射涂层，尤其是钌涂层。根据权利要求2的用于掠入射的反射镜的平均入射角是入射到各反射镜上照明光束的中心光线的入射角。在用于掠入射的至少一个反射镜上的平均入射角可大于65°，可大于70°，可大于75°，可大于80°，也可大于85°。根据权利要求3的正好具有两面反射镜的成像光学单元被发现是特别合适的。照明光在这两个反射镜上的平均入射角之和可大于130°，可大于135°，可大于140°，可大于 145°，可为 149°。根据权利要求4的光学用面之间的最小距离导致照明光学单元的紧凑构造。此最小距离可为50mm或25mm。替代地，或除此之外，两个邻近反射镜光学用面之间的距离可大于3_。这可以确保邻近反射镜可借助于镜底座被各自安装。根据权利要求5的作为沃尔特望远镜(Wolter telescope)的一个实施例导致具有特别高通量的照明光学单元。特别地，照明光学单元中的成像光学单元可实施为I型沃尔特光学单元(Wolteroptical unit)。作为根据权利要求6的椭球面反射镜或作为根据权利要求7的双曲面反射镜的反射镜的实施例被发现是特别合适的。照明光学单元的反射镜中的至少两个，或当照明光学单元具有多于两个反射镜时，照明光学单元所有的反射镜，可具有共同的旋转对称轴。椭球面反射镜可以是在中空波导下游的照明光的光束路径中的成像光学单元的第一个反射镜。椭球面反射镜的入射后焦距可大于150mm，可大于250mm，也可大于300mm。双曲面反射镜的出射后焦距可位于50mm和10mm之间的范围内，也可为60mm。照明光学单元(特别是沃耳特望远镜)的更大后焦距是可能的，例如无穷大的出射后焦距。那么，这会导致照明光学单元具有照明场的远心照明。根据权利要求8的最小的入射角导致中空波导首先具有在出射开口中对照明光强度好的混合效果，其次具有高的通量。根据权利要求9的总反射率导致对使用EUV照明光非常有益的通量。总反射率呈现为照明光学单元中照明光入射其上的所有反射镜部件的反射率的乘积。权利要求10的掩模检测系统的优点对应于上文关于根据本专利技术的照明光学单元已经解释的优点。晶片检测系统也可具有相应的配置。此检测系统可具有安装待检测物体的物体底座，该底座机械地联接至物体位移驱动器，这样物体在此照明期间的扫描位移是可能的。检测系统可为光化掩模检测(actinic mask inspect1n)的系统。【附图说明】下文基于附图将更详细地说明本专利技术的示例性实施例。具体为:图1示意性显示一种在EUV照明光下使用的掩模检测系统的照明光学单元；以及图2非常示意性地显示中心照明场点的主光线的光束路径，其从照明光学单元的中空波导的出射开口，经过待检测物体，到达检测系统的探测面或像面中的像场。【具体实施方式】照明光学单元I是在EUV照明光2下使用的掩模检测系统的部件。在附图中非常示意性地相应描绘了照明光2的光束路径，而且只描绘了掩模检测系统5中照明场4的中心场点的主光线3。照明光2由EUV光源6产生。光源6可产生使用的EUV辐射，其波长范围在2nm到30nm之间，例如范围在2.3nm到4.4nm之间或范围在5nm到30nm之间，例如在13.5nm。EUV光刻系统或投射曝光装置的常规光源，换言之，例如激光产生的等离子体(LPP)源或放电产生的等离子体(DPP)源也可用作光源6。经光源6发射后，照明光2首先由一个集光器(此处未示出)聚焦并聚焦于中空波导9的入射平面8的入射开口 7。大部分照明光2在中空波导9中经历多次反射。在中空波导9中的反射次数η最大为10。具有相同的尺寸的入射开口 7和出射开口 10的长宽比对于照明光2而言介于0.5到2之间。入射开口 7和出射开口 10各自为矩形，具有在Imm到5mm之间的范围内的典型尺寸。中空波导9的入射开口 7和出射开口 10的典型尺寸为1.0mm x 2.0mm或1.5mm x2.0mm0中空波导9的波导腔内壁具有涂层(例如钌涂层)，其对于照明光2为高反射。与矩形入射开口和出射开口 7、10—致，波导腔为长方体。在照明光2的束方向上，中空波导9具有500mm的典型长度。当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在EUV照明光(2)下使用的掩模检测系统(5)的照明光学单元(1)，‑包括引导所述照明光的中空波导(9)，所述中空波导包括所述照明光(2)的入射开口(7)和所述照明光(2)的出射开口(10)，‑包括成像反射镜光学单元(11)，布置在所述中空波导(9)的下游，将所述出射开口(10)成像于照明场(4)中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M德冈瑟，T科布，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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