一种反射电极制程工艺制造技术

本发明专利技术提供一种反射电极制程工艺，包括以下步骤：步骤(1)：首先进行外延片清洗，进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形；步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液；步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干；步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，将P电极区域露出；步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。本发明专利技术将ITO薄膜的沉积工序前置，同时取消了ITO黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片制作
，具体为一种反射电极制程工艺。
技术介绍
半导体发光二极管（light-emission diodes, LED)因其具有节能、环保、绿色健 康、长寿命等有着非常明显的优势，在指示、显示、背光领域逐渐得到广泛应用。随着LED在 照明的应用领域的推进，人们需要开发高功率、高亮度LED的芯片，取代目前的其他光源。 现有专利公布了用绝缘材料将深沟槽填充为较为平坦的表面，在此基础上做金 属布线。此类平坦化工艺复杂繁琐，良率不高。另外如晶科电子（广州）有限公司公开 的专利号为201020520114. 6的"一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件"专利，虽然 解决了金属布线的难题，但由于没有反射镜结构导致出光率低等新的问题。再如申请号 201210564002.4的专利，其公布的方法中有提到金属反射镜结构，但因其结构特点导致金 属反射镜面积不够大，因此出光率还有较大的提高空间。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种反射电极制程工艺，以解决上述
技术介绍
中的问题。 本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种反射电极制程工艺，包 括以下步骤： 步骤⑴：选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P-Si(y；〇R，黄光 光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P_Si0 2图形； 步骤⑵：将步骤（1)得到的外延片进行IT0前清洗，再镀IT0膜层；IT0膜层蒸镀 完成后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡IT0蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制IT0薄膜边 缘到Mesa边缘的距离； 步骤（3) :IT0蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干； 步骤⑷：进行钝化层SiO^光光刻，浸泡IT0蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P 电极区域露出； 步骤（5) :RTA融合后，进行钝化层Si02沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡B0E蚀 刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。 与已公开技术相比，本专利技术存在以下优点：本专利技术将IT0薄膜的沉积工序前置，黄 光光刻后通过控制湿法腐蚀的时间来达到控制IT0薄膜边缘到Mesa边缘的距离的目的。同 时取消了 IT0黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的 接触。【附图说明】 图1为本专利技术的P_Si02图形示意图； 图2为本专利技术的IT0薄膜与Mesa示意图； 图3为本专利技术的露出P电极区域示意图。【具体实施方式】 为了使本专利技术的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明 白了解，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的 实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都 属于本专利技术保护的范围。 实施例1 首先选取外延片，首先进行外延片清洗；后进行P-Si02沉积，黄光光刻，化学腐蚀、 去胶清洗，在外延片上得到P-Si0 2图形，如图1所示；将上述晶片进行IT0前清洗，再镀IT0 膜层；然后进行黄光Mesa光刻、再浸泡IT0蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制IT0薄膜 边缘到Mesa边缘的距离，如图2所示；IT0蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干； 再进行钝化层310 2黄光光刻，浸泡IT0蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出，如 图3所示；RTA融合后，进行钝化层Si0 2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡B0E蚀刻液进行 蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗，金属熔合后完成点测。 通过该验证方法，可以减少一道黄光光刻，避免了化学腐蚀药液（氢氟酸）对电极 的影响，所制备出的产品电性参数正常，具体数据如下： 以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征及本专利技术的优点。本行业的技术 人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本 专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变 化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术的要求保护范围由所附的权利要求书及 其等效物界定。【主权项】1. 一种反射电极制程工艺，其特征在于：包括以下步骤： 步骤（1):选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P-SiO2沉积，黄光光 亥IJ，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形； 步骤（2):将步骤（1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；ITO膜层蒸镀完成 后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到 Mesa边缘的距离； 步骤（3) :IT0蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干； 步骤（4):进行钝化层5102黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极 区域露出； 步骤（5) :RTA融合后，进行钝化层5102沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液 进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。【专利摘要】本专利技术提供一种反射电极制程工艺，包括以下步骤：步骤(1)：首先进行外延片清洗，进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形；步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液；步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干；步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，将P电极区域露出；步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。本专利技术将ITO薄膜的沉积工序前置，同时取消了ITO黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的接触。【IPC分类】H01L33/00【公开号】CN105185876【申请号】CN201510278486【专利技术人】储志兵 【申请人】合肥彩虹蓝光科技有限公司【公开日】2015年12月23日【申请日】2015年5月27日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反射电极制程工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)：选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P‑SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P‑SiO2图形；步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；ITO膜层蒸镀完成后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离；步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干；步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出；步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P‑N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：储志兵，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34