本发明专利技术实施例公开了一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置，所述制造方法包括：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。本发明专利技术实施例通过在导电基底上沉积催化剂层、以及生长碳纳米管进行制备的光致电子发射源，发射电流密度大、光电发射效率高、真空度要求低、稳定性高、制备方法简单、成本低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子发射技术，尤其涉及一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置。
技术介绍
电子发射源在显示、照明、微波放大器、电子显微镜、材料分析和航天等领域具有广泛的应用。热电子发射和场致电子发射已在国民生产和生活中大量应用，而随着各应用领域的不断发展，对电子发射源在调制性能、高频发射性能、安全便携等方面提出了更高的要求。—般而言，电子发射源发射电子是电子在某种作用下、脱离电子发射源的束缚，向真空或阳极发射的过程。电子发射源发射电子的过程有多种类型，例如热电子发射、光致发射和场致发射等，发射电流的密度主要与电子发射源的温度、发射材料的功函数、电子发射源的几何增强因子和外加的电场强度或电磁场密切相关。这些发射机制是制备高效、可控电子发射装置的理论依据。传统的热电子发射装置主要是采用电阻加热方式，加热低功函数材料，使其达到100tC以上，并通过施加栅极电压和加速电场，实现电子的连续发射。由于这种发射方式基于热电子发射模式，电子发射源需要长时间维持在较高温度，才可实现电子的稳定发射，从而响应时间较长，无法直接实现电子高频脉冲发射。场致电子发射虽具有瞬间响应的特点，可实现高频脉冲发射，但需要较高场强(约几千伏每微米)，在实际应用中对高压绝缘、真空度、工作稳定性和操作安全等均提出很高的要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置，光电发射效率高、真空度要求低、稳定性高、制备方法简单、成本低；能够实现直流或高频脉冲发射，并且响应速度快。第一方面，本专利技术实施例提供了一种光致电子发射源的制造方法，包括:选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种用于电子发射装置的电子发射源。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子发射装置，包括:真空腔体、阳极、电子发射源、阴极支架、第一可伐、第二可伐、光源、光束聚焦系统、阳极引线和阴极引线；所述真空腔体内设有阳极、电子发射源和阴极支架；电子发射源设于阴极支架上，电子发射源和阳极相对；所述阳极引线通过第一可伐与阳极连接；所述阴极引线通过第二可伐与阴极支架连接；所述光源和光束聚焦系统设于真空腔体的外部；光源，用于提供照射电子发射源的光线，以使电子发射源发射电子；光源聚焦系统，用于对光源发出的光线进行聚焦处理。本专利技术实施例提供了一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置，通过在导电基底上沉积催化剂层、以及生长了碳纳米管进行制备的光致电子发射源，发射电流密度大、光电发射效率高、真空度要求低、稳定性高、制备方法简单、成本低。【附图说明】通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1是本专利技术实施例一提供一种光致电子发射源的制造方法流程图；图2a_2c是根据本专利技术实施例一提供的光致电子发射源的制作方法各步骤对应的结构截面图；图3是本专利技术实施例一提供的导电基底上完全覆盖碳纳米管的电子显微镜照片图；图4是本专利技术实施例一提供的生长碳纳米管方法的流程示意图；图5a是本专利技术实施例一提供的一种光致电子发射源的结构不意图；图5b是本专利技术实施例一提供的另一种光致电子发射源的结构示意图；图6是本专利技术实施例二提供的一种光致电子发射源的制造方法流程图；图7a_7c是根据本专利技术实施例二提供的光致电子发射源的制作方法各步骤对应的结构截面图；图8是本专利技术实施例二提供的图案化碳纳米管的电子显微镜照片图；图9a是本专利技术实施例二提供的一种光致电子发射源的结构示意图；图9b是本专利技术实施例二提供的另一种光致电子发射源的结构示意图；图10是本专利技术实施例三提供一种电子发射装置的结构图；图11是本专利技术实施例三提供的碳纳米管完全覆盖导电基底时发射电流随阳极电压的变化的关系曲线图；图12是本专利技术实施例三提供的碳纳米管完全覆盖导电基底时发射电流和时间的关系曲线。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。实施例一图1示出了本专利技术实施例一提供一种光致电子发射源的制造方法流程图，如图1所示，所述的制造方法包括以下步骤:步骤Sll:选取适合碳纳米管生长的导电基底；步骤S12:在所述导电基底上沉积催化剂层；步骤S13:在所述催化剂层上生长碳纳米管。图2a_2c示出了根据本专利技术实施例一提供的光致电子发射源的制作方法各步骤对应的结构截面图。如图2a所示，选取适合碳纳米管生长的导电基底201。所述导电基底201为掺杂的硅基底、金属基底或二维导电材料基底。其中，掺杂的硅基底为高掺杂的硅基底；金属基底可以为不锈钢片、钼片或铜片等；二维导电材料为新型的二维导电材料，如石墨烯或二硫化钼等。如图2b所不，在所述导电基底上丨几积催化剂层202。所述催化剂层202采用铁、钴、镍或含有铁钴镍的有机化合物材料沉积而成；所述催化剂层202的厚度为0.5-20nm。其中，含有铁钴镍的有机化合物材料优选为二茂铁和铁蛋白O如图2c所示，在所述催化剂层上生长碳纳米管203。在本实施例中，碳纳米管为原位生长的碳纳米管，直径为l_30nm;可以采用化学气相沉积法、电弧放电法、激光诱导沉积法等进行制备。在本实施例中，碳纳米管可以为高取向的直立生长模式，也可以为随机取向的无序生长模式。在本实施例中，优选为化学气相沉积的方法生长碳纳米管，碳纳米管完全覆盖导电基底(如图3所示)。图4示出了生长碳纳米管方法的流程示意图，如图4所示，在所述催化剂层上生长碳纳米管包括:步骤S111:将沉积有催化剂层的导电基底放入沉积设备的样品架上，对沉积设备进行抽真空操作；步骤S112:当沉积设备的真空度不大于10 2Pa时，将氢气通入到沉积设备中，控制沉积设备的真空度在10-500Pa之间，并对导电基底进行加热。其中，所述氢气的质量流量为50-1000sccm。步骤S113:当导电基底的温度达到生长温度后，将碳源气体通入到沉积设备中，经过生长时间之后，降温取出已经生长了碳纳米管的导电基底。其中，所述碳源气体优选为CH4、C2H2、或者两者的混合气体；碳源气体的质量流量为10-200sccm ;所述生长温度为550_850°C ;所述生长时间为l_120min。在上述实施例的基础上，在所述导电基底上沉积催化剂层之前，还包括如下操作:在所述导电基底上沉积多个金属层。具体的，所述多个金属层采用锑、铜、铝、金、银、钼、和钨等单一金属材料，以及锑、铜、铝、金、银、钼和钨的任意合金、氮化锑、氧化锌或二氧化硅中的一种或几种依次沉积而成。例如，多个金属层可以为Ti (10nm)/Cu (20nm)/Al (1nm)/Fe (2nm)。所述多个金属层的厚度为10_500nm，所述多个金属层的个数为1_5个；相应的，催化剂层采用铁、钴、镍、或铁钴镍的合金或含有铁钴镍的有机化合物材料沉积而成。在导电基底上沉积多个金属层可以提高碳纳米管和导电基底的粘合性、以及保证导电基底的导电性。图5a示出了本专利技术实施例一提供的一种光致电子发射源的结构示意图，应用上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光致电子发射源的制造方法，其特征在于，包括：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李振军，李驰，白冰，戴庆，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11
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