用于触摸屏的层电极制造技术

技术编号:12568511 阅读:96 留言:0更新日期:2015-12-23 11:26
本发明专利技术涉及用于触摸屏的层电极,特别是适于电容式触摸屏结构的一种层电极。在层电极内增长的像素数量的情况下,各种可能性被提出用于减少由于供电线到内部电极阵列的通道导致的外部电极阵列内的表面面积的损失。为此提出了改变电极阵列的形状、在电极阵列之间的电隔离形状,以及最后用于电极阵列的供电线的布置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于触摸屏的层电极,特别是适于电容式触摸屏结构的一种层电极。
技术介绍
这种层电极通常包括:接收器电极的第一和第二导电区域以及发射器电极的导电区域,其中接收器电极的第一和第二导电区域彼此相邻并且在一个平面上,但由电隔离彼此分隔开,发射器电极的导电区域同样彼此相邻并且在一个平面上,但由电隔离彼此分隔开。层电极特征在于两个电功能,在一方面的接收器功能和在另一方面的发射器功能,在一个平面中的基板表面上实现。相应的电极阵列覆盖触摸屏的整个可用表面,并且可通过捆束的、引导到相应控制电子装置的供电线接触。触摸屏的可用表面相应地划分成活动(active)电极阵列表面以及非活动(inactive)表面,其中活动电极阵列表面对应于用发射器和接收器电极阵列覆盖的表面;非活动表面用用于电极表面的相应供电线和在导电区域之间的电隔离覆盖。在层电极上的电极阵列的迄今已知的布置的缺点是它们对于在边缘区域中干扰信号的高敏感性,该干扰信号由供电线特别是由供电线束触发。
技术实现思路
因此本专利技术的目的在于克服现有技术水平的缺点,并且创建在层电极上的电极阵列的布置,在该电极阵列的布置中在边缘区域中干扰信号的数量被减少。该目的由在权利要求、说明书和附图中的本情况下示出的层电极上的接收器和发射器电极阵列及其供电线的布置来实现。由于在束中的所有电极阵列的供电线彼此电隔离,所以在具有相应更高数量的电极阵列的更大触摸屏的情况下,用供电线覆盖的非活动表面不再可忽略不计,而是在边缘区域中的所有之上,随着屏幕的尺寸增加发展成干扰因素。因此有意义创建在层电极上的接收器和发射器电极阵列的布置,该布置以尽可能少的表面面积的损失来起作用,该损失归因于在触摸屏的可用表面上供电线的覆盖。特别地,在具有大量接收器和发射器电极的大触摸屏的情况下,在可用表面上的活动与非活动表面的比率应通过电极阵列的布置来改变,以与已知布置相比有益于活动表面的大小。本专利技术人的总体发现在于存在用于触摸屏的层电极的布置或布局,该布置或布局分布了在层电极的整个边缘区域上方的供电线的接触,其中除了沿着在顶部和/或底部处的侧边的通常接触之外,该分布可同样存在于仅在层电极的另外侧边上提供的一个另外接触。本专利技术的主题因此在于一种用于触摸屏的层电极,其具有四个角和相应地也具有四个侧边,其中在每种情况下两个侧边位于彼此相对,并且因此在每种情况下在层电极内预定用于两个相对侧边的平行的行和列,其中在透明基板上,层电极具有可用表面,该可用表面被划分成活动表面,即用电极阵列覆盖,以及非活动表面,即用供电线或在电极阵列或供电线之间的电隔离覆盖,其中在边缘区域中即在最外列中和在最外行中的活动与非活动表面的比率至少是1,但有利地大于1,并且电极阵列、供电线和/或在其间的电隔离的布置被选择,以使得除了在可用表面的一个侧边上的供电线的接触之外,提供在至少一个另外侧边上的接触,以及特别是在层电极的可用表面的两个另外侧边上的接触。电极阵列是在触摸屏上的可用表面的导电透明区域。特别地,电极阵列是诸如同样在附图中更详细解释的实施例中发现的接收器或发射器电极阵列。根据本专利技术的层电极优选是用于在一个平面中形成的触摸屏的电极,其中所有的电极阵列即用于触摸传感器技术的功能的接收器和发射器电极阵列两者在一个平面中实现。优选地,层电极包括透明载体,该透明载体用一方面形成发射器电极阵列以及另一方面形成接收器电极阵列的导电阵列覆盖,所述发射器电极阵列和接收器电极阵列彼此电隔离但在形成透明载体表面的一个表面上彼此毗邻布置。在本情况下,用于在单层中形成的触摸屏中的电极称为层电极。层电极优选形成电容式触摸传感器阵列,在其中接收器和发射器电极布置在一个表面上。层电极优选是电容式触摸传感器,其中电极阵列布置在单个导电层中。将触摸传感器的电极划分成接收器和发射器电极,在本情况下该接收器和发射器电极被示为层电极,即在一个平面中。与具有用于电容式和/或电阻式耦合触摸传感器的两个或更多层的电极相比,在其中两个平面被提供用于两个电功能,在本情况下,虽然彼此隔离的两个电功能(接收器和发射器功能)在透明触摸传感器中实现,但是这不是在两个平面上,而是在一个平面上作为层电极。为此,在透明载体上的接收器和发射器电极当前仅由电隔离例如切口或缝隙分离。由电极和/或供电线的布置覆盖的表面将具有尽可能高的透明度,出于该理由,诸如ITO和/或从我们自己的申请DE 10 2009 014 757.8已知的导电透明膜的电极材料在此是优选的电极材料。在DE 10 2009 014 757.8中包含的公开随此全部命名为本申请的主题。特别地,随此参考用于导体迹线、导体迹线段和用于电隔离的间距,以及层厚度、导体迹线的直径和具有导电迹线的透明载体的表面覆盖而在那里指定的大小尺寸,以实现充分的导电率。具有导体迹线的透明膜的表面覆盖在I %至20%的范围中,并且特别优选地在从5%至10%的范围中。借助于发射器和接收器阵列,层电极产生用作触摸屏的输入元件的像素矩阵。输入元件被设计得越复杂,则在矩阵中的像素数量越高。除了形成矩阵的可用表面之外,层电极也包括接触表面,即在可用表面周围的边缘区域,在该可用表面处用于单独的传感器阵列的供电线和接触被捆束并且被接触。层电极的该边缘区域不必透明。根据有利的实施例,层电极的可用表面包括具有例如7X6像素,或8X6像素,或7X12像素,或8X12像素或10X 16像素或甚至16X25或更多像素的像素的矩阵。原则上,像素对应于行与列的相交。有利地,位于层电极的可用表面内侧的层电极的接收器和/或发射器电极表面的至少一些供电线被移位,以使得供电线在每种情况下沿着在相应电极表面的位置和层电极的可用表面的最近侧边之间的最短路径被移位。【附图说明】本专利技术参考示出所选实施例示例的附图在下文中更详细地解释:图1示出根据DE 10 2012 112 445.0的现有技术水平。图2示出用于电极阵列和/或供电线彼此的电隔离的设计的示例。图3a示出以触摸屏的输入元件为基础的4X6像素矩阵。图3b示出具有接收器电极阵列的覆盖,以便实现根据图3a的像素矩阵。图3c示出具有发射器电极阵列的覆盖,以便实现根据图3a的像素矩阵。图3d示出由根据图3a至3c的部分视图组成的层电极的所得半部。图4a示出4X6像素矩阵,图4b示出具有接收器电极阵列的覆盖,以便实现根据图4a的像素矩阵。图4c示出具有发射器电极阵列的覆盖,以便实现根据图4a的像素矩阵,以及图4d与图3d类似,示出从根据图4a至4c的部分视图组装的层电极的所得半部。图5a示出6X8像素矩阵,图5b示出在用于6X8像素的层电极上的接收器电极阵列的分布,图5c示出在用于6X8像素的层电极上的发射器电极阵列的分布,以及图5d与图4d和3d类似,示出组装的层电极。图6a再次示出具有7X6像素的像素矩阵,而图6b至6d相应地示出具有层电极的总体图片的接收器和发射器电极。图7a至7d相应地示出从图6a至6d的层电极半部的表示的合并。图8a至8d示出具有8X6像素的矩阵,以及具有供电线的层电极半部的相应表示,图9a至9d相应地示出来自图8的两个半部的合并。图1Ob至1d示出具有16X 10像素的层电极的实施例的相应表示。图1lb至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于触摸屏的层电极(30,40,50,60,70,90),其具有四个角和相应地也具有四个侧边(O,U,R,L),其中在每种情况下两个侧边(O,U和R,L)位于彼此相对,并且因此在每种情况下在所述层电极(30,40,50,60,70,90)内预定用于两个相对侧边的平行的行和列,其中所述层电极(30,40,50,60,70,90)具有可用表面,所述可用表面被划分成活动表面,即用电极阵列(1,2,3,a,b,c,d,e,e’,12,13,131,133,134)覆盖的表面,以及非活动表面,即用供电线(14,32,33,34,35,36,37,44,45,46,47,66,67,67’,82,82’,83,85,85’,86,87,87’,101,102,103,132)或在所述电极阵列(30,40,50,60,70,90)或所述供电线(14,32,33,34,35,36,37,44,45,46,47,66,67,67’,82,82’,83,85,85’,86,87,87’,101,102,103,132)之间的电隔离(137)覆盖的表面,其中在边缘区域中即在最外列中和在最外行中的活动与非活动表面的比率至少是1,但有利地大于1,并且所述电极阵列(1,2,3,a,b,c,d,e,e’,12,13,131,133,134)、所述供电线(14,32,33,34,35,36,37,44,45,46,47,66,67,67’,82,82’,83,85,85’,86,87,87’,101,102,103,132)和/或在其间的所述电隔离(137)的布置被选择,以使得除了在所述层电极(30,40,50,60,70,90)的一侧边上的供电线(14,32,33,34,35,36,37,44,45,46,47,66,67,67’,82,82’,83,85,85’,86,87,87’,101)的接触之外,提供在两个另外侧边(O,U,R,L)上的接触。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·乌尔曼M·瓦尔特
申请(专利权)人:波利IC有限及两合公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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