一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够减小由于跳变电压导致的TFT-LCD显示画面中出现的闪烁现象，提高显示质量。该像素单元包括：像素电极；第一开关管，第一开关管的栅极、源极、漏极分别与栅线、第一数据线、像素电极电联接；第二开关管，第二开关管的栅极、源极、漏极分别与栅线、第二数据线、像素电极电联接；其中，第一跳变电压与第二跳变电压的差值在-0.5伏特至0.5伏特的范围内，第一跳变电压为第一开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压，第二跳变电压为第二开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显 示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断进步，目前，如图1所示，薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)中的像素单元 100 通常是由一 个薄膜晶体管（TFT)、存储电容（Cst)、以及用于向液晶分子施加电压的像素电极构成。 上述像素单元的信号波形图如图2所示。其中，采用现有技术的像素单元结构进 行显示时，首先在薄膜晶体管的栅线上施加一定的高电平电压Vgh，使得薄膜晶体管的源极 和漏极导通，数据线的信号会被传送到液晶电容Clc和存储电容Cst上。当完成一个扫描 周期后，栅线上的电压变为低电平电压Vgl，低电平电压通常为0,此时薄膜晶体管处于截 止状态，液晶电容Clc和存储电容Cst维持工作负载，而液晶像素上的电压在保证薄膜晶体 管关断时发生了一个跳变，即在保证薄膜晶体管由导通状态转换到截止状态时，液晶两端 的电压产生了跳变，通常称之为跳变电压（Vp)，通常，AVp通过下述公式进行计算： 其中，Vgh、Vgl分别为施加在栅线上用于驱动薄膜晶体管的高电平电压和低电平 电压，Cgs、Clc、以及Cst分别为薄膜晶体管的栅源电容、液晶电容以及存储电容。 由于跳变电压的存在，导致TFT-IXD显示画面中出现闪烁现象（Flicker)，不仅降 低了显示质量，而且导致观看者长时间观看后出现眼睛疲劳甚至头晕等问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显示装置，能够减 小由于跳变电压导致的TFT-LCD显示画面中出现的闪烁现象，提高显示质量。 为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案： 本专利技术实施例提供一种像素单元，包括： 像素电极； 第一开关管，所述第一开关管的栅极、源极、漏极分别与栅线、第一数据线、所述像 素电极电联接； 第二开关管，所述第二开关管的栅极、源极、漏极分别与所述栅线、第二数据线、所 述像素电极电联接； 其中，第一跳变电压与第二跳变电压的差值在-0. 5伏特至0. 5伏特的范围内，所 述第一跳变电压为所述第一开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压，所述第 二跳变电压为所述第二开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压。 可选的，所述第一跳变电压Λ Vl等于： CN 105185348 A 兄明 2/6 页 其中，Cgsl为所述第一开关管的栅源电容，C :。为液晶电容，Cst为存储电容，Vghl为 施加在栅线上用于驱动所述第一开关管的高电平电压，Vgll为施加在栅线上用于驱动所述 第一开关管的低电平电压； 所述第二跳变电压Λ V2等于： 其中，Cgs2为所述第二开关管的栅源电容，C :。为液晶电容，Cst为存储电容，Vgh2为 施加在栅线上用于驱动所述第二开关管的高电平电压，Vgl2为施加在栅线上用于驱动所述 第二开关管的低电平电压。 可选的，所述第一跳变电压与所述第二跳变电压的差值为0。 可选的，所述存储电容Cst的取值范围在IOfF至400fF的范围内。 可选的，所述存储电容Cst为10fF。 可选的，所述第一开关管的源极和第一开关管的漏极之间的寄生电容与所述第一 开关管的源极和所述第二开关管的漏极之间的寄生电容相等，所述第二开关管的源极和第 一开关管的漏极之间的寄生电容与所述第二开关管的源极和所述第二开关管的漏极之间 的寄生电容相等。 本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：阵列排布的具有上述任一特征的所述多 个像素单元，以及多条交叉设置栅线和数据线； 其中，每个所述像素单元与一条所述栅线连接，与两条所述数据线连接。 可选的，与同一像素单元连接的两条数据线分别位于该像素单元的两侧。 可选的，沿所述栅线排列的每相邻两个像素单元共用位于所述相邻两个像素单元 之间的一条数据线。 本专利技术实施例提供一种显示装置，包括具有上述任一特征的阵列基板。 本专利技术实施例还提供一种像素单元的驱动方法，应用于具有上述任一特征的所述 像素单元中，所述像素单元的驱动方法包括： 栅线输入信号，用于逐行开启第一开关管和第二开关管； 第一数据线输入信号，用于当所述第一开关管开启时，通过所述第一开关管的漏 极向像素电极供电； 第二数据线输入信号，用于当所述第二开关管开启时，通过所述第二开关管的漏 极向像素电极供电； 其中，像素单元是根据所述第一开关管的驱动电压和所述第二开关管的驱动电压 的差来进行驱动的。 本专利技术实施例提供的一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显示装置，像素单 元包括：像素电极；第一开关管，所述第一开关管的栅极、源极、漏极分别与栅线、第一数据 线、所述像素电极电联接；第二开关管，所述第二开关管的栅极、源极、漏极分别与所述栅 线、第二数据线、所述像素电极电联接；其中，第一跳变电压与第二跳变电压的差值在-0. 5 伏特至0. 5伏特的范围内，所述第一跳变电压为所述第一开关管由导通状态转换到截止状 态时产生的跳变电压，所述第二跳变电压为所述第二开关管由导通状态转换到截止状态 时产生的跳变电压。基于上述实施例的描述，由于第一跳变电压与第二跳变电压的差值 在-0. 5伏特至0. 5伏特的范围内，降低第一跳变电压与第二跳变电压对显示装置中液晶的 影响，从而减弱了 TFT-LCD显示画面中出现的闪烁现象，提高显示质量。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有技术提供的一种像素单元的等效电路图； 图2为现有技术提供的一种像素单元的信号波形图； 图3为本专利技术实施例提供的一种像素单元的俯视结构示意图； 图4为本专利技术实施例提供的一种像素单元的等效电路图； 图5为本专利技术实施例提供的另一种像素单元的等效电路图； 图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一； 图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二； 图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三； 图9为本专利技术实施例提供的一种像素单元充电时的极性反转示意图；【附图说明】 ： 1-像素单元；10-像素电极；11-第一开关管；12-栅线；13-第一数据线；14-第二 开关管；15-第二数据线。【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术实施例提供一种像素单元1，该像素单元1的俯视图如图所示，包括： 像素电极10。 第一开关管11 (如图中虚线框所标注的部分），所述第一开关管11的栅极、源极、 漏极分别与栅线12、第一数据线13、所述像素电极10电联接。 第二开关管14(如图中虚线框所标注的部分），所述第二开关管14的栅极、源极、 漏极分别与所述栅线12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，其特征在于，包括：像素电极；第一开关管，所述第一开关管的栅极、源极、漏极分别与栅线、第一数据线、所述像素电极电联接；第二开关管，所述第二开关管的栅极、源极、漏极分别与所述栅线、第二数据线、所述像素电极电联接；其中，第一跳变电压与第二跳变电压的差值在‑0.5伏特至0.5伏特的范围内，所述第一跳变电压为所述第一开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压，所述第二跳变电压为所述第二开关管由导通状态转换到截止状态时产生的跳变电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朴求铉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11