一种光学膜片、背光模组及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光学膜片、背光模组及显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的匀光膜片发光不均匀的问题。一种光学膜片，包括一维纳米材料，所述一维纳米材料沿同一方向排列，且所述一维纳米材料的两端分别朝向所述光学膜片的两个底面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种光学膜片、背光模组及显示装置。
技术介绍
现有的液晶显示装置如图1所示，包括:液晶显示面板107、为液晶显示面板107提供背光的背光模组10。其中，图1所示的为一种侧入式背光模组，包括:背板101、胶框102、光源103、反射片104、导光板105以及勾光膜片106。其中，光源103位于导光板105的侧面，勾光膜片106 一般为量子点膜层，量子点不规则的分布在量子点膜层中。由于在形成量子点膜层时，量子点容易发生团聚，从而量子点膜层的发光不均匀。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种光学膜片、背光模组及显示装置，所述背光模组包括的光学膜片能够使光均匀发出。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面，本专利技术实施例提供了一种光学膜片，包括一维纳米材料，所述一维纳米材料沿同一方向排列，且所述一维纳米材料的两端分别朝向所述光学膜片的两个底面。可选的，所述一维纳米材料由半导体构成，用于在第一波长的光的激发下发出第二波长的光。可选的，所述一维纳米材料的结构包括:纳米线或纳米棒。可选的，所述一维纳米材料包括核体以及包围所述核体的侧壁的壳层，其中，形成所述核体和所述壳层的材料的晶格之差不大于5%。可选的，所述核体的材料为GaAs，所述壳层的材料为InGaAs。可选的，所述壳层包括:至少两个依次包覆的子层，形成所述两个子层的材料的晶格之差不大于10%。可选的，所述一维纳米材料包括核体、包围所述核体侧壁的第一子层以及包围所述第一子层侧壁的第二子层，其中，所述第二子层的材料与所述核体的材料相同。另一方面，本专利技术实施例提供了一种背光模组，包括:光源、导光板以及位于所述导光板出光侧的匀光膜片，所述匀光膜片为本专利技术实施例提供的任一所述的光学膜片，所述光学膜片的一侧底面朝向所述导光板。可选的，还包括:位于所述光学膜片和所述导光板之间的透明基板，所述光学膜片朝向所述导光板的底面与所述透明基板接触。另一方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的任一所述的背光模组。本专利技术的实施例提供一种光学膜片、背光模组及显不装置，其包括沿同一方向排列的一维纳米材料，相对于量子点而言，一维纳米材料不容易发生团聚，从而该光学膜片的发光较量子点膜层发光均匀。此外，一维纳米材料可以是相当于一个谐振腔的存在，其可以将一侧端面入射的光线从另一侧端面发出，从而提高出光均匀性。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的液晶显不装置不意图；图2为本专利技术实施例提供的一种光学膜片示意图；图3为本专利技术实施例中纳米线的出光示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种壳型结构的纳米线示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种壳型结构的纳米线示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种背光模组示意图。附图标记:10-背光模组；20_纳米线；30_透明基板；21_核体；22_壳层；101-背板；102_胶框；103-光源；104-反射片；105-导光板；106-匀光膜片；107-液晶显示面板；200_光学膜片；221_第一子层；222_第二子层。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要指出的是，除非另有定义，本专利技术实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。并且，本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。本领域技术人员还应当理解，由于本专利技术实施例所涉及的一维纳米材料非常微小，为了清楚起见，本专利技术实施例附图中各结构的尺寸、比例以及电极膜层的相对厚度均被放大，不代表实际尺寸。本专利技术实施例提供了一种光学膜片200，如图2所示，包括一维纳米材料(纳米线20)，一维纳米材料(纳米线20)沿同一方向排列，且一维纳米材料(纳米线20)的两端分别朝向光学膜片200的两个底面。需要说明的是，一维纳米材料又称为线性纳米材料，具有超细线性结构，其定义为径向方向的尺寸取值范围为Inm-lOOnm，轴向方向的尺寸为纳米至微米数量级。其中，在一维纳米材料中，一般将纵横比(即轴向方向的尺寸与径向方向的尺寸的比率)较小的称为纳米棒，纵横比较大的称为纳米线。纵横比的数值没有严格的标准，一般将长度(即轴向方向的尺寸)小于I μπι的称为纳米棒，长度大于I μπι的称为纳米线。本专利技术实施例中以一维纳米材料的结构包括纳米线或纳米棒为例进行详细说明。其中，对于纳米线而言，其径向方向的尺寸即为其截面线度，轴向方向的尺寸即为其线长。对于纳米棒而言，其径向方向的尺寸即为其截面直径，轴向方向的尺寸即为其棒长。图2中以一维纳米材料为纳米线为例进行详细说明。纳米线20沿同一方向排列，且纳米线20的两端分别朝向光学膜片200的两个底面。即纳米线20的轴向方向(201方向)与光学膜片200的厚度方向一致，纳米线20的长度等同于光学膜片200的厚度。本专利技术实施例提供的一种光学膜片，其包括沿同一方向排列的一维纳米材料，相对于量子点而言，一维纳米材料不容易发生团聚，从而该光学膜片的发光较量子点膜层发光均匀。此外，如图3所示，一维纳米材料(图3中以纳米线20为例)可以是相当于一个谐振腔的存在，其可以将一侧端面入射的光线从另一侧端面发出，从而提高出光均匀性。在制作过程中，不能完全保证一维纳米材料的轴向与光学膜片的厚度方向一致，本专利技术实施例中可选的一维纳米导体材料的轴向方向与光学膜片的底面呈夹角设置，夹角的取值范围为不大于30°。这里需要说明现有的一维纳米材料的制备。以纳米线为例，纳米线可以由悬置法、沉积法或者元素合成法等方法制得。现有生长的纳米线分为两种，分别为垂直于基底平面的纳米线和平行于基底平面的纳米线。本专利技术实施例中，一维纳米材料的两端分别朝向光学膜片的两个底面，则本专利技术实施例中的一维纳米材料为垂直于基底平面的纳米。以InGaN (铟氮化镓)纳米线为例具体说明其制备方法。示例的，可以将硅球均匀的洒在InGaN薄膜上，硅球充当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学膜片，其特征在于，包括一维纳米材料，所述一维纳米材料沿同一方向排列，且所述一维纳米材料的两端分别朝向所述光学膜片的两个底面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，孙拓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11