一种双电源隔离电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双电源隔离电路，包括第一MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，且所述第一MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端。采用本实用新型专利技术实施例，在保证隔离供电的前提下，减少电源供电的压降和电路发热量，提高电源供电系统稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，具体涉及一种双电源隔离电路。
技术介绍
在电子电路设计时，常常需要两个电源同时或分别给某一功能模块供电，为了防止这两个电源相互倒灌电流，必须对这两个电源进行隔离。一般地，如图1所示，在两电源的输出端分别串联一个二极管Dl和D2，二极管具有反向截止的功能，可以防止这电源A与电源B相互倒灌电流，且当两电源电压不一致时，电压高的电源正常输出，电压低的电源因二极管反向截止断开输出，即，正常工作时，只有电压高的电源输出。但是此电路存在两个缺陷:1、二极管导通时，两端有电压差，约0.3V，需要提高Power_A和Power_B的输入电压；2、二极管效率低，有部分电流会转换为热能，会造成二极管发热严重，二极管容易损坏，影响电源供电稳定性。
技术实现思路
本技术的目的是，提供一种双电源隔离电路，在保证隔离供电的前提下，减少电源供电的压降和电路发热量，提高电源供电系统稳定性。为解决以上技术问题，本技术实施例提供一种双电源隔离电路，包括第一 MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二 MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；所述第二 MOS管的源极与所述第一 MOS管的源极连接，且所述第一 MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一 MOS管的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二 MOS管的栅极连接。进一步地，所述双电源隔离电路还包括第三MOS管；则，所述第二 MOS管的源极与所述第一 MOS管的源极连接，具体为:所述第二 MOS管的源极通过所述第三MOS管与所述第一 MOS管的源极连接，且所述第二 MOS管的源极与所述第三MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一 MOS管的源极连接；所述第二栅极控制端还与所述第三MOS管的栅极连接。具体地，所述第一栅极控制端通过输出高低压给所述第一 MOS管栅极来控制所述第一 MOS管的截止或导通；所述第二栅极控制通过输出高低压给所述第二 MOS管栅极或所述第三MOS管栅极来控制其截止或导通。进一步地，所述第一 MOS管、所述第二 MOS管和所述第三MOS管均为P沟道MOS管。进一步地，所述双电源隔离电路还包括第一电阻和第二电阻；所述第一栅极控制端通过所述第一电阻与所述第一 MOS管的源极连接；所述第二栅极控制端通过所述第二电阻与所述第二 MOS管的源极连接。所述第一电阻为所述第一 MOS管的栅源两端提供压差；所述第二电阻为所述第二 MOS管和所述第三MOS管的栅源两端提供压差。进一步地，所述切换控制模块还包括第一开关管、第二开关管和第三开关管；所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第一开关管的第二端为所述切换控制模块的第一栅极控制端，所述第一开关管的第三端接地；所述第二开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第二开关管的第二端与所述第三开关管的第一端连接，且所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，所述第三开关管的第二端为所述控制模块的第二栅极控制端，所述第二开关管的第三端接地，所述第三开关管的第三端接地。所述第一开关管控制所述第一 MOS管的导通或截止；所述第二开关管和所述第三开关管的连接控制所述第二 MOS管或所述第三MOS管的导通或截止。进一步地，所述切换控制模块还包括第三电阻、第四电阻和第五电阻；则，所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，具体为:所述第一开关管的第一端通过第三电阻与所述切换控制模块的输入控制端连接，且所述第一开关管的第一端通过所述第四电阻与地连接；则，所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，具体为:所述第二开关管的第二端通过所述第五电阻与直流电源或所述第二电源输入端连接。所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻均具有分压或限流的作用。进一步地，所述切换控制模块还包括第六电阻；则，所述第二开关管的第一端还通过所述第六电阻与地连接。所述第六电阻具有分压或限流作用。进一步地，所述第一开关管为N沟道MOS管或NPN型三极管。具体地，所述第一开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应。进一步地，所述第二开关管和所述第三开关管均为N沟道MOS管或NPN型三极管。具体地，所述第二开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应；所述第三开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应。相比于现有技术，本技术的一种的有益效果在于:本技术提供的双电源隔离电路，采用MOS管替代二极管，实现电源隔离供电的前提下，当双电源正常供电时，优先输出一路电源的MOS管处于饱和导通状态，MOS管导通电阻只有几毫欧姆，而现有技术的二极管极限电流压降一般为0.4V，在几十安的大电流供电场合下，MOS管的导通压降明显比二极管的压降小，能有效地减少电源供电的压降。在长时间工作状态下由于MOS管的热损耗相对较低，减少电路的发热量，并且MOS管不易热损坏，从而提1?供电系统的稳定性D【附图说明】图1是现有技术的一种双电源隔离电路的结构示意图；图2是本技术实施例一的一种双电源隔离电路的结构示意图；图3是本技术实施例二的一种双电源隔离电路的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一请参阅图2，其是本技术实施例一的一种双电源隔离电路的结构示意图。本技术实施例所提供的一种双电源隔离电路，包括第一 MOS管Ql、第二 MOS管Q2和切换控制模块101 ;所述第一 MOS管Ql的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二 MOS管Q2的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；所述第二 MOS管Q2的源极与所述第一 MOS管Ql的源极连接，且所述第一 MOS管Ql的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；所述切换控制模块101具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一 MOS管Ql的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二 MOS管Q2的栅极连接。在本实施例中，所述切换控制模块101由于与所述第一电源输入端连接，故本实施例的双电源隔离电路，通过第一电源输入端所输入的电源控制本电路的电源输出端所输出的电源。另外，所述切换控制模块101分别与第一 MOS管Ql的栅极、第二 MOS管Q2的栅极连接，通过控制第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的栅源压差是否满足阈值电压，来控制第一M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双电源隔离电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，且所述第一MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二MOS管的栅极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍东建，蒋伟，郑广宇，陈星宇，王淼，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44