一种纯正弦波逆变器后级保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2HO端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。本实用新型专利技术纯正弦波逆变器后级保护电路用最简洁的电路、最低的成本解决泄放栅极毛刺电压，解决了上下两个场效应管不同时导通，保证了逆变器安全、可靠、稳定运行。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种保护电路，具体是一种纯正弦波逆变器后级保护电路。
技术介绍
现有的都是用驱动芯片直接驱动场效应管或IGBT，没有对栅极毛刺电压做泄放处理，这样很容易会使上下两管同时导通，无缘无故的炸管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种安全稳定的纯正弦波逆变器后级保护电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:—种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2H0端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术纯正弦波逆变器后级保护电路用最简洁的电路、最低的成本解决泄放栅极毛刺电压，解决了上下两个场效应管不同时导通，保证了逆变器安全、可靠、稳定运行。【附图说明】图1为使用了本技术纯正弦波逆变器后级保护电路的逆变器的电路图；图2为现有的没有纯正弦波逆变器后级保护电路的逆变器的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2H0端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。本技术的工作原理是:请参阅图1，驱动芯片的2H0端信号高电平过来，在上场效应管V2开通期间，驱动信号使三极管Q4导通，把三极管Q3基极电压拉到0.7V以下，三级管Q3截止，驱动芯片的2H0端信号正常驱动场效应管，场效应管处于导通状态，接着驱动芯片的2H0端信号满满变成低电平，就是上场效应管关断期间，三极管Q4截止，驱动芯片的VB2端高电平使三极管Q3导通，这样由于密勒效应产生的电流将从三极管Q3中流过，把场效应管的栅极上的毛刺电压减小到0.7V以下，完全关断场效应管导通，从而避免了上下桥臂同时导通现象的出现，避免了炸管现象。本技术是要对逆变器后级全桥电路4个场效应管或IGBT进行保护，为了方面讲解只是对单个场效应管周边的保护电路做讲解，里面的场场效应管也可以是IGBT，对场效应管和IGBT都具有同样的保护效果，本保护电路要应用在整体逆变器后级全桥电路中才可以体现本技术方案的技术和构思，脱离了这个整体全桥电路，这个专利技术方案构思就没有意义，要理解这个专利技术的内涵要结合整体电路去分析才才能体现本技术的意义，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而是整体技术方案的构思，这一点是技术的要点、专利技术的所在，本领域其他技术人员在不背离本技术技术方案构思和整体技术框架范围内，没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和技术方案构思一样，都属于本技术保护的范围。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见。【主权项】1.一种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，其特征在于，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2H0端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。【专利摘要】本技术公开了一种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2HO端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。本技术纯正弦波逆变器后级保护电路用最简洁的电路、最低的成本解决泄放栅极毛刺电压，解决了上下两个场效应管不同时导通，保证了逆变器安全、可靠、稳定运行。【IPC分类】H02M7/5387, H02M1/38, H02M1/32【公开号】CN204886683【申请号】CN201520624891【专利技术人】上官光信 【申请人】上官光信【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年8月19日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纯正弦波逆变器后级保护电路，包括场效应管V2、二极管D2、电阻R5、三极管Q3和三极管Q4，其特征在于，所述场效应管V2的G极分别连接二极管D2正极、电阻R5、电阻R7和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接三极管Q4集电极和电阻R40，三极管Q4基极连接电阻R41，电阻R40另一端连接驱动芯片的VB2端，二极管D2负极和连接电阻R5另一端和驱动芯片的2HO端，场效应管V2的S极分别连接电阻R7另一端、三极管Q3发射极、三极管Q4发射极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：上官光信，
申请(专利权)人：上官光信，
类型：新型
国别省市：浙江;33