本实用新型专利技术公开了半导体检测设备内部净化装置，包括设备容腔、铝锂合金片、触动元件、反馈控制组件和收集板。所述铝锂合金片安装于所述设备容腔内部。所述触动元件连接所述铝锂合金片，并提供能源予铝锂合金片。所述反馈控制组件包括传感器和控制器，所述传感器安装于设备容腔内部，监测设备容腔内部状况，所述控制器分别连接传感器与触动元件，接收传感器反馈信息并控制触动元件。所述收集板设于设备容腔内并与铝锂合金片的位置相对。通过设置本实用新型专利技术可有效地缩短半导体检测设备维修时间和零部件清洁时间，增加半导体检测设备的可使用时间，从而增加半导体检测设备零部件使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及净化设备，具体涉及的是半导体检测设备内部净化装置。
技术介绍
随着工业制造往精细化发展，对生产环境和产品的洁净度要求越来越高，特别是半导体器件的制造，微米级的污染颗粒就能对半导体器件造成极大的伤害。相关技术中，常使用半导体检测仪器在真空状态检测半导体器件。为了防止污染半导体器件，半导体检测仪器需要保持内部的洁净，但是半导体检测仪器本身常重复使用，极易受到环境影响，沾染污染物，从而影响其洁净度和工作性能
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的是提供半导体检测设备内部净化装置，解决半导体检测仪器容易受到环境影响，内部沾染污染物，从而影响半导体检测仪器的洁净度和工作性能的技术问题。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是，半导体检测设备内部净化装置，包括设备容腔，还包括铝锂合金片、触动元件、反馈控制组件和收集板。所述铝锂合金片安装于所述设备容腔内部。所述触动元件连接所述铝锂合金片，并提供能源予铝锂合金片。所述反馈控制组件包括传感器和控制器，所述传感器安装于设备容腔内部，监测设备容腔内部状况，所述控制器分别连接传感器与触动元件，其接收传感器反馈信息并控制触动元件；所述收集板设于设备容腔内并与铝锂合金片的位置相对。作为优选，所述传感器包括检测残余微粒的残余物传感器和测量铝锂合金片温度的温度传感器。作为优选，所述半导体检测设备内部净化装置还包括冷却装置，所述冷却装置连接所述收集板。作为优选，所述半导体检测设备内部净化装置还包括可移动挡板，所述可移动挡板设置于铝锂合金片与收集板之间，关闭或开启铝锂合金片与收集板之间的通道。作为优选，所述设备容腔内部气压低于设备容腔外的大气压。作为优选，所述设备容腔还设有进气口和出气口，所述进气口与出气口设于设备容腔的表面，于设备容腔内部进气口与出气口之间形成气体流动通道；所述设备容腔外设有真空泵，通过进气口、出气口与气体流动通道控制设备容腔内部气压。本技术的有益效果：通过设置本技术可有效地缩短半导体检测设备维修时间和零部件清洁时间，增加半导体检测设备的可使用时间，从而增加半导体检测设备零部件使用寿命。另外由于半导体检测设备内部污染物的减少，半导体检测设备的工作性能得到优化，半导体检测设备前期重置时间减少，工作效率进一步提高。附图说明利用附图对技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。图1是半导体检测设备内部净化装置的结构示意图，此时挡板处于关闭位置。图2是图1另一视角的结构示意图。图3是半导体检测设备内部净化装置的结构示意图，此时挡板处于打开位置。图4是图3另一视角的结构示意图。附图标记：102、设备容腔，104、铝锂合金片，106、反馈控制组件，108、触动元件，108T、电热器，110、收集板，112、升华锂层，114、收集板表面，116、传感器，116R、残留物监测传感器，116T、温度传感器，118、控制器，120、计量器。122、调节器，146、电源，148、冷却装置，150、可移动挡板，154、真空泵，156、出气口，164、气体流动通道，168、进气口。具体实施方式结合以下实施例对本技术作进一步描述。半导体检测设备内部净化装置，包括设备容腔102，还包括铝锂合金片104、触动元件108、反馈控制组件106和收集板110。所述铝锂合金片104安装于所述设备容腔102内部，且所述铝锂合金片104为可拆卸且安装于所述设备容腔102内的金属板，方便随时更换。在本实施例中，所述铝锂合金片104安装位置靠近所述设备容腔10内壁，使得拆除部分所述设备容腔102内壁即可带动所述铝锂合金片104脱离所述设备容腔102。所述触动元件108连接所述铝锂合金片104，并提供能源予铝锂合金片104，使得铝锂合金片104上的锂升华。所述触动元件108可以为电热器、加热灯、激光器等，在本实施例中，所述触动元件108为电热器，所述电热器安装于所述设备容腔102内并与铝锂合金片104相接触，且所述电热器还连接设于设备容腔102外部的电源146。所述收集板110设于设备容腔102内并与铝锂合金104片的位置相对，铝锂合金片104的锂升华后于所述收集板110上聚集，所述收集板110表面形成升华锂层112，所述升华锂层112与设备容腔102中的残留物或者流入设备容腔102内气体中的污染物反应。所述反馈控制组件106包括传感器116和控制器118，所述传感器116安装于设备容腔102内部，监测设备容腔102内部状况，并发送信号至所述控制器118。所述控制器118分别连接传感器116与触动元件108，其接收传感器116反馈信息调控所述触动元件108，从而控制铝锂合金片104中锂的升华速度。所述控制器118包括计量器120和调节器122，所述计量器120接收传感器116传送的信号并进行分析，所述计量器120内设有阈值，若超过阈值，则启动调节器122，传输电流至铝锂合金片104。具体实施中，所述传感器116检测残余微粒的残余物传感器116R和测量铝锂合金片温度的温度传感器116T。具体实施中，所述半导体检测设备内部净化装置还包括冷却装置148，所述冷却装置148连接所述收集板110。具体实施中，所述半导体检测设备内部净化装置还包括可移动挡板150，所述可移动挡板150设置于铝锂合金片104与收集板110之间，关闭或开启铝锂合金片104与收集板110之间的通道。具体实施中，所述设备容腔102内部气压低于设备容腔102外的大气压。具体实施中，所述设备容腔102还设有进气口168和出气口156，所述进气口168与出气口156设于设备容腔102的表面，于设备容腔102内部进气口168与出气口156之间形成气体流动通道165。所述设备容腔102外设有真空泵154，通过进气口168、出气口156与气体流动通道165控制设备容腔102内部气压。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术创造技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
半导体检测设备内部净化装置，包括设备容腔，其特征在于，还包括铝锂合金片、触动元件、反馈控制组件和收集板；所述铝锂合金片安装于所述设备容腔内部；所述触动元件连接所述铝锂合金片，并提供能源予铝锂合金片；所述反馈控制组件包括传感器和控制器，所述传感器安装于设备容腔内部，监测设备容腔内部状况，所述控制器分别连接传感器与触动元件，其接收传感器反馈信息并控制触动元件；所述收集板设于设备容腔内并与铝锂合金片的位置相对。
【技术特征摘要】
1.半导体检测设备内部净化装置，包括设备容腔，其特征在于，还包括铝锂合金片、触动元
件、反馈控制组件和收集板；所述铝锂合金片安装于所述设备容腔内部；所述触动元件连接
所述铝锂合金片，并提供能源予铝锂合金片；所述反馈控制组件包括传感器和控制器，所述
传感器安装于设备容腔内部，监测设备容腔内部状况，所述控制器分别连接传感器与触动元
件，其接收传感器反馈信息并控制触动元件；所述收集板设于设备容腔内并与铝锂合金片的
位置相对。
2.根据权利要求1所述半导体检测设备内部净化装置，其特征在于，所述传感器包括检测残
余微粒的残余物传感器和测量铝锂合金片温度的温度传感器。
3.根据权利要求1所述半导体检测设备内部净化装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，
申请(专利权)人：张帆，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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