一种阵列基板及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，解决了现有的公共电极和公共电极线连接的过孔深，公共电极与公共电极线的连接容易断裂的问题。一种阵列基板，包括：衬底基板；第一信号传输层，第一信号传输层包括：公共电极线；第一绝缘层，第一绝缘层覆盖第一信号传输层，且在对应公共电极线的位置处具有第一过孔；第一电极层，第一电极层位于第一绝缘层上，包括：连接电极，连接电极位于第一过孔位置处；第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一电极层，且在对应连接电极的位置处具有第二过孔；第二电极层，第二电极层包括公共电极，公共电极覆盖第二过孔；其中，连接电极分别与公共电极线、公共电极接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
技术介绍
TFT-1XD因其体积小、重量轻、功耗低且无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据主导地位。TFT-LCD显示屏一般包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。TFT-LCD显示屏形成有几十万到上百万阵列排布的显示单元，每个显示单元通过TFT的控制来显示图像。示例的，如图1所示，为现有的TFT-1XD显示屏阵列基板上对应一个显示单元的示意图，阵列基板上形成有多条栅线121和数据线16，栅线121和数据线16交叉定义一个显示单元。图2为图1所示的a-a'示意图，如图2所示，阵列基板包括:衬底基板11 ;形成在衬底基板11上的栅极(栅线121的部分)、公共电极线122 ;覆盖栅极121和公共电极线122的栅绝缘层13 ;形成在栅绝缘层13上的有源层14以及源极161和漏极162 ;钝化层15以及形成在钝化层15上的像素电极17 ;平坦层18以及形成在平坦层18上的公共电极19。其中，公共电极19通过平坦层18、钝化层15以及栅绝缘层13上的过孔I与公共电极线122连接，像素电极17通过钝化层15上的过孔2与漏极162连接。专利技术人发现，现有的阵列基板上，如图2所示，由于过孔I贯穿平坦层18、钝化层15以及栅绝缘层13，过孔I较深，公共电极19与公共电极线122的连接容易出现断裂，出现显示不良，降低产品良率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板上的公共电极通过多层导电层与公共电极线连接，避免过孔太深导致连接不良。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板；第一信号传输层，所述第一信号传输层包括:公共电极线；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一信号传输层，且在对应所述公共电极线的位置处具有第一过孔；第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层上，包括:连接电极，所述连接电极位于所述第一过孔位置处；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一电极层，且在对应所述连接电极的位置处具有第二过孔；第二电极层，所述第二电极层包括公共电极，所述公共电极覆盖所述第二过孔；其中，所述连接电极分别与所述公共电极线、公共电极接触。可选的，所述第二过孔位于对应所述第一过孔的位置处；或者，所述连接电极从所述第一过孔伸出形成在所述第一绝缘层的上表面；所述第二绝缘层在对应所述连接电极伸出于所述第一过孔的位置处具有第二过孔。可选的，所述第一电极层包括:第一电极子层，所述第一电极子层包括像素电极，以及位于所述第一过孔位置处的第一连接电极；第二电极子层，所述第二电极子层包括位于所述第一过孔位置处的第二连接电极，且所述第二电极子层位于所述第一电极子层上。可选的，形成所述第一电极子层的材料为铟氧化锡，形成所述第二电极子层的材料为金属。可选的，所述第二子层包括两层钼金属层以及位于所述两层钼金属层之间的铝金属层。可选的，所述第一信号传输层还包括:栅线以及栅极；所述阵列基板还包括:栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述第一信号传输层，其中，所述栅绝缘层在对应所述公共电极线的位置处具有第一子过孔；有源层，所述有源层位于所述栅绝缘层上；第二信号传输层，所述第二信号传输层包括数据线、源极和漏极；钝化层，所述钝化层在对应所述第一子过孔的位置处具有第二子过孔，且在对应所述漏极的位置处具有第三过孔，所述像素电极在所述第三过孔处与所述漏极连接；所述第一电极层位于所述钝化层上，所述第一绝缘层包括栅绝缘层以及钝化层，所述第二电极子层还包括辅助电极，所述辅助电极至少在对应所述第三过孔的位置处与所述像素电极连接。可选的，所述阵列基板包括透光区域和不透光区域，所述辅助电极在所述不透光区域与所述像素电极连接。可选的，所述第二信号传输层还包括位于所述第一过孔位置处的第三连接电极。另一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上形成第一信号传输层，所述第一信号传输层包括:公共电极线；在所述衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一信号传输层，且在对应所述公共电极线的位置处具有第一过孔；在所述衬底基板上形成第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层上，包括:连接电极，所述连接电极位于所述第一过孔位置处；在所述衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一电极层，且在对应所述连接电极的位置处具有第二过孔；在所述衬底基板上形成第二电极层，所述第二电极层包括公共电极，所述公共电极覆盖所述第二过孔；其中，所述连接电极分别与所述公共电极线、公共电极接触。可选的，所述第二绝缘层在对应所述连接电极位置处具有第二过孔具体包括:所述连接电极层在对应所述第一过孔的位置处具有第二过孔；或者，所述连接电极从所述第一过孔伸出形成在所述第一绝缘层的上表面，所述第二绝缘层在对应所述连接电极伸出于所述第一过孔的位置处具有第二过孔。可选的，所述在所述衬底基板上形成第一电极层具体包括:在所述衬底基板上形成覆盖所述第一电极层的第一导电薄膜、第二导电薄膜和光刻胶；其中，所述第一导电薄膜和所述第二导电薄膜覆盖所述第一过孔；利用半灰阶掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影；所述半灰阶掩膜板包括透光区域、半透光区域和不透光区域，其中，所述不透光区域对应所述第一过孔，所述半透光区域对应像素电极；显影后对应透光区域的光刻胶完全去除露出所述第二导电薄膜，对应半透光区域的光刻胶部分去除；刻蚀对应透光区域的第二导电薄膜以及第一导电薄膜；对所述光刻胶进行灰化处理，对应半透光区域的光刻胶完全去除露出所述第二导电薄膜，对应不透光区域的光刻胶部分保留；刻蚀对应半透光区域的第二导电薄膜；将所述光刻胶剥离。可选的，形成所述第一导电薄膜的材料为铟氧化锡，形成所述第二导电薄膜的材料为金属。可选的，所述在所述衬底基板上形成覆盖所述第一电极层的第一导电薄膜、第二导电薄膜和光刻胶具体包括:在所述第一绝缘层上形成第一导电薄膜；在所述第一导电薄膜上形成第二导电薄膜，包括:依次形成钼金属薄膜、铝金属薄膜以及钼金属薄膜；在所述第二导电薄膜上形成光刻胶。可选的，所述第一信号传输层还包括栅线和栅极；所述在所述衬底基板上形成覆盖所述第一信号传输层的第一绝缘层具体包括:在所述衬底基板上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述第一信号传输层，且在对应所述公共电极线的位置处具有第一子过孔；在所述衬底基板上形成有源层；在所述衬底基板上形成第二信号传输层，所述第二信号传输层包括数据线、源极和漏极；在所述衬底基板上形成钝化层，所述钝化层在对应所述公共电极线的位置处具有第二子过孔，且在对应所述漏极的位置处具有第三过孔，所述像素电极在所述第三过孔处与所述漏极连接；所述第一绝缘层包括栅绝缘层以及钝化层，所述第二电极子层还包括辅助电极，所述辅助电极至少在对应所述第三过孔的位置处与所述像素电极连接。可选的，在所述栅绝缘层上形成第二信号传输层之后，且在所述第二信号传输层上形成钝化层之前，所述方法还包括:对所述源极和漏极之间的区域进行等离子体表面处理。另一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的任一所述的阵列基板。本专利技术的实施例提供一种阵列基板及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第一信号传输层，所述第一信号传输层包括：公共电极线；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一信号传输层，且在对应所述公共电极线的位置处具有第一过孔；第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层上，包括：连接电极，所述连接电极位于所述第一过孔位置处；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一电极层，且在对应所述连接电极的位置处具有第二过孔；第二电极层，所述第二电极层包括公共电极，所述公共电极覆盖所述第二过孔；其中，所述连接电极分别与所述公共电极线、公共电极接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王守坤，袁剑峰，郭会斌，冯玉春，李梁梁，郭总杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11