本实用新型专利技术公开了一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一金层、钯层和金层也成波浪形。应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及IC封装领域，具体涉及一种钯金IC封装凸块。
技术介绍
驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金，成本高，目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块，可以有效降低成本，鉴于黄金的成本，在镍层上的金层有3um厚，短时间内溅渡的连接性尚好，如在潮湿环境中过久，透过金层的疏孔，会使镍层氧化腐蚀，进而导致金层表面渐渐失去连接性，而且镍层中常含有的还原剂磷、硼将造成镍层与金层的粘结力下降，性能可靠性低；钯金IC封装凸块是一种利用钯耐蚀、耐磨、耐变色性好、化学稳定性高的优点，确保与金层之间粘结力，以克服铜镍金IC封装凸块的缺陷，但是由于不同金属的膨胀系数不一样，在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，因此这种钯金IC封装凸块也存在可靠性低的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种钯金IC封装凸块，可以解决现有钯金IC封装凸块在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，导致可靠性差的问题。本技术通过以下技术方案实现:—种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和第二金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一金层、钯层和第二金层也成波浪形。本技术的进一步方案是，所述载体为硅片。本技术的进一步方案是，所述导电层为铝垫。本技术的进一步方案是，所述绝缘层为PSV绝缘材料。本技术的进一步方案是，所述应力缓冲块均匀分布于部分导电层的表面。本技术与现有技术相比的优点在于:应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】如图1所示的一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛钨层4、第一金层5、钯层6和第二金层7，所述绝缘层3上设有孔，露出部分导电层21，所述部分导电层21的表面均匀溅镀有至少一个聚乙烯应力缓冲块9，所述聚乙烯应力缓冲块9的横断面可以是矩形、三角形或弧形，所述钛钨层4贴合部分导电层21、应力缓冲块9以及绝缘层3的表面成波浪形，所述第一金层5、钯层6和第二金层7也成波浪形。【主权项】1.一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛钨层(4)、第一金层(5)、钯层(6)和第二金层(7)，所述绝缘层(3)上设有孔，露出部分导电层(21)，其特征在于:所述部分导电层(21)的表面至少设有一个应力缓冲块(9)，所述应力缓冲块(9)为聚乙烯制品，所述钛钨层(4)贴合部分导电层(21)、应力缓冲块(9)以及绝缘层(3 )的表面成波浪形，所述第一金层(5 )、钯层(6 )和第二金层(7 )也成波浪形。2.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于:所述载体(I)为硅片。3.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。4.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。5.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于:所述应力缓冲块(9)均匀分布于部分导电层(21)的表面。【专利摘要】本技术公开了一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一金层、钯层和金层也成波浪形。应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性。【IPC分类】H01L23/485【公开号】CN204885142【申请号】CN201520658446【专利技术人】周义亮 【申请人】周义亮【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年8月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体（1）、导电层（2）、绝缘层（3）、钛钨层（4）、第一金层（5）、钯层（6）和第二金层（7），所述绝缘层（3）上设有孔，露出部分导电层（21），其特征在于：所述部分导电层（21）的表面至少设有一个应力缓冲块（9），所述应力缓冲块（9）为聚乙烯制品，所述钛钨层（4）贴合部分导电层（21）、应力缓冲块（9）以及绝缘层（3）的表面成波浪形，所述第一金层（5）、钯层（6）和第二金层（7）也成波浪形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周义亮，
申请(专利权)人：周义亮，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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