一种缓冲吸收电路、脉冲电源和静电除尘供电装置制造方法及图纸

技术编号:12541635 阅读:95 留言:0更新日期:2015-12-18 21:03
本申请公开了一种缓冲吸收电路、脉冲电源和静电除尘供电装置。该脉冲缓冲吸收电路包括单相导通的可控型开关器件、电容和电阻。其中,所述电容与所述电阻并联后与所述可控型开关器件串联。在闪络发生前,本实用新型专利技术可控型开关器件为断开状态,电容电压为零。而现有的缓冲吸收电路在闪络发生前电容电压为直流电源电压,因而当电容两端允许加载的电压和每次闪络缓冲吸收电路需要吸收的能量一定时,本实用新型专利技术所采用的电容的电容值更小,提高电容的放电速度,使脉冲电源能够承受更大频率的闪络。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及静电除尘领域,更具体地说,涉及一种缓冲吸收电路、脉冲电源和静电 除尘供电装置。
技术介绍
参见图1示出了一种现有脉冲电源电路图。在静电除尘系统中,脉冲电源的负载 时电除尘器电场,该负载可等效为电容Cwd和电阻Rwd的并联,该负载的最大特点时经常 发生闪络。 当闪络时,能量会通过脉冲变压器,由脉冲变压器二次侧耦合到一次侧,由于此时 脉冲电源内阻大幅降低,会在主回路上产生巨大的电流。此电流很容易导致主回路器件过 流损坏。为保护主回路器件,此时需要将IGBT关断,使电流流过缓冲吸收回路。 现有缓冲吸收回路由二极管R1、电容Q电阻L1组成,即常见的RCD缓冲吸收电 路。当闪络时产生的电流通过RCD缓冲吸收回路时,缓冲吸收电路的(^电压升高。此时 IGBT两端电压等于缓冲吸收回路Q的电压。为避免IGBT两端电压过高,Cu的电容值需 要非常大,进而导致(^放电较慢,造成脉冲电源无法承受更大频率的闪络。
技术实现思路
有鉴于此,本申请提供一种缓冲吸收电路、脉冲电源和静电除尘供电装置,以使脉 冲电源能够承受更大频率的闪络。 为了实现上述目的,现提出的方案如下: -种缓冲吸收电路,包括:单相导通的可控型开关器件、电容和电阻; 其中,所述电容与所述电阻并联后与所述可控型开关器件串联。 优选的,所述可控型开关器件为半控型开关器件。 优选的,所述可控型开关器件为全控型开关器件。 优选的,所述可控型开关器件为快速晶闸管。 -种脉冲电源,包括:以上内容中所述的缓冲吸收电路、IGBT和直流电源; 其中所述缓冲吸收电路、所述IGBT以及所述直流电源并联。 -种静电除尘供电装置,包括以上所述的脉冲电源以及与所述脉冲电源并联的直 流高压电源。 经由上述技术方案可知,本申请公开了一种缓冲吸收电路、脉冲电源和静电除尘 供电装置。该脉冲缓冲吸收电路包括单相导通的可控型开关器件、电容和电阻。其中,所述 电容与所述电阻并联后与所述可控型开关器件串联。,在闪络发生前,本技术可控型开 关器件为断开状态,电容电压为零。而现有的缓冲吸收电路在闪络发生前电容电压为直流 电源电压,因而当电容两端允许加载的电压和每次闪络缓冲吸收电路需要吸收的能量一定 时,本技术所采用的电容的电容值更小,提高电容的放电速度,使脉冲电源能够承受更 大频率的闪络。【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅 是本技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还 可以根据提供的附图获得其他的附图。 图1示出了一种现有脉冲电源电路图; 图2示出了本技术一个实施例公开的一种脉冲电源电路图。【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。 参见图2示出了本技术一个实施例公开的一种脉冲电源电路图。 由图2可知,该脉冲电源的缓冲吸收电路包括:单相导通的可控型开关器件T、电 容Q和电阻Rcl。 其中,所述电容Q与所述电阻1^并联后与所述可控型开关器件T串联。 与原电路相比,本技术有以下区别: 1、半导体器件由二极管改为半控或全控型开关器件,该开关器件只能单向导通, 且开通速度较快(<5us)。可选的,可采用快速晶闸管。 2、Rcl改为并联在Ccl两端。这样,在缓冲吸收电路未工作时,可以使(^两端电压 保持为OV。 该缓冲吸收电路的工作原理如下: 当检测到闪络后,可控开关器件T开通,Q1串联接入原串联谐振电路,形成新的串 联谐振回路。谐振周期正半周结束后,因开关器件只能单相导通,故Ccl不再参与谐振。原 串联谐振回路通过IGBT模块的反向二极管继续负半周谐振。 闪络后,谐振周期正半周结束后,Q1通过Rel放电。放电时间常数T=CyRmg 过3~5T(^完成放电,电压回归为0。 相比与原电路,本技术能大幅减小Q1的原因如下: 在闪络发生前,原电路中Q两端的电压等于直流电源DC两端电压,而本技术 中(^两端的电压等于0。当闪络发生时,假设每次闪络缓冲吸收电路都需要吸收的能量记 为E,直流电源DC电压为2500V,Cel两端允许最高电压为3000V。则原电路: 而本技术: 可见,改进后的电路Cd值可以减小非常多,同时,由于未发生闪络时,每个谐振周 期,1^上不再有损耗,Rd温升大幅减低,在发生闪络时,Rd可以承受更大的放电电流。这 样,Rd值也可以响应减小,放电时间常数T也大幅减小,从而使脉冲电源可承受更大的闪 络频率,从而可以应用于静电除尘电场。 需要说明的是,脉冲电源通常需要与另外一个直流高压电源(基础)一起并联给 电除尘器电场供电。这样电场电压=UB_+UPulM,其中UB_表示直流高压电源产生电压(基 础电压),Upulsf3表不脉冲电源产生电压(脉冲电压)。 为此,本技术还公开了一种静电除尘供电装置,该静电除尘供电装置包括上 述脉冲电源以及与脉冲电源并联的直流高压电源。 最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将 一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作 之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体 意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括 那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或 者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句"包括一个……"限定的要素,并 不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他 实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。 对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新 型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定 义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因 此,本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理 和新颖特点相一致的最宽的范围。【主权项】1. 一种缓冲吸收电路,其特征在于,包括:单相导通的可控型开关器件、电容和电阻; 其中,所述电容与所述电阻并联后与所述可控型开关器件串联。2. 根据权利要求1所述的缓冲吸收电路,其特征在于,所述可控型开关器件为半控型 开关器件。3. 根据权利要求1所述的缓冲吸收电路,其特征在于,所述可控型开关器件为全控型 开关器件。4. 根据权利要求1所述的缓冲吸收电路,其特征在于,所述可控型开关器件为快速晶 闸管。5. -种脉冲电源,其特征在于,包括:权利要求1至权利要求4任意一项权利要求中所 述的缓冲吸收电路、IGBT和直流电源; 其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲吸收电路,其特征在于,包括:单相导通的可控型开关器件、电容和电阻;其中,所述电容与所述电阻并联后与所述可控型开关器件串联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘振兴
申请(专利权)人:福建龙净环保股份有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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