校正触控面板边缘的坐标值的方法与触控装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种校正触控面板边缘的一坐标的方法。该方法包含：计算发生在触控面板边缘的一近接事件所对应的一计算坐标与一投影面积以得出一电容变化总和的平方根；根据该计算坐标与电容变化总和的平方根，自一查找表所包含的多个第一线性函数当中选出一第一线性函数；以及根据该第一线性函数与该计算坐标得出一真实坐标；其中，该查找表包含对应到多个电容变化总和的平方根的该多个第一线性函数的斜率与起始点，以及该投影面积相关于该触控面板的至少一电容变化量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于触控面板，特别系关于校正触控面板边缘的坐标值的方法与装置。
技术介绍
触控面板是规模庞大的一项产业，各式各样的电子产品都使用触控面板作为人机接口的重要输出入装置。触控面板的性能，取决于感测电极与连接感测电极的逻辑电路。感测电极的设计与质量，会影响到触控面板的性能。一般来说，触控面板的感测电极形成在一透明基板上。显示装置所发出的光可以透过该透明基板显示给使用者观看。形成在透明基板上的感测电极包含多个电极，这些电极透过多个导线连接到逻辑电路。触控面板即透过侦测感测电极上的微弱电流，据以得知触控面板上所发生的近接(靠近与接触)事件。感测电极通常包含多个感测电极单元。在触控面板中央的每一个感测电极单元旁边都有其它的感测电极单元，因此触控面板的处理模块在使用某一种算法计算发生在触控面板中央的近接事件时，所计算出来的坐标结果与近接事件的真实坐标的误差不大。但是对于位在触控面板边缘的感测电极单元而言，由于其至少有一边没有其它的感测电极单元，如果套用同一种算法来计算发生在接近触控面板边缘的近接事件时，所计算出来的坐标结果与近接事件的真实坐标的误差就会变大。因此，迄需一种可以用来补偿算法误差的方法，使得触控面板得以较为正确地计算出发生在接近触控面板边缘的近接事件坐标。
技术实现思路
在本专利技术的一实施例中，提供一种校正触控面板边缘的一坐标值的方法。该方法包含:提供一查找表，其包含对应到多个电容变化总和的平方根的多个第一线性函数的斜率与起始点；计算发生在触控面板边缘的一近接事件所对应的一计算坐标与一电容变化总和的平方根；根据该计算坐标与电容变化总和的平方根，自该查找表所包含的多条第一线性函数当中选出一条第一线性函数；以及根据该条第一线性函数与该计算坐标计算出一真实坐标。在本专利技术的另一实施例中，提供一种可校正触控面板边缘的一坐标值的触控装置。该触控装置包含:一内存模块与一处理模块。该内存模块，包含一查找表，其包含对应到多个电容变化总和的平方根的多个第一线性函数的斜率与起始点。该处理模块连接至该触控面板与该内存模块，该处理模块用于执行下列步骤:计算发生在触控面板边缘的一近接事件所对应的一计算坐标与一电容变化总和的平方根；根据该计算坐标与电容变化总和的平方根，自该查找表所包含的多条第一线性函数当中选出一条第一线性函数；以及根据该条第一线性函数与该计算坐标计算出一真实坐标。总上所述，本专利技术的主要精神之一，系使用多个线性函数来逼近一条曲线，利用少量的计算来减少存储器的消耗，从而得到相似的校正值。【附图说明】图1为本专利技术一实施例的一触控装置的一示意图。图2为根据本专利技术一实施例的X轴坐标误差值的一示意图。图3A为根据本专利技术一实施例的电容变化总和的平方根的查找表。图3B为根据本专利技术一实施例的X轴误差值的查找表。图3C为根据本专利技术一实施的一 X轴真实坐标的查找表。图4A为根据本专利技术一实施例的X轴计算坐标对X轴真实坐标的一示意图。图4B为根据本专利技术一实施例的X轴计算坐标对投影面积的一示意图。图5A为根据本专利技术一实施例的存储器内容的一TJK意图。图5B为根据本专利技术一实施例的存储器内容的一TJK意图。图6为根据本专利技术一实施例的校正方法。图7A为根据本专利技术一实施例的校正X轴坐标的一不意图。图7B为根据本专利技术另一实施例的校正X轴坐标的一不意图。【具体实施方式】本专利技术将详细描述一些实施例如下。然而，除了所揭露的实施例外，本专利技术的范围并不受该些实施例的限定，乃以其后的申请专利范围为准。而为了提供更清楚的描述及使该项技艺的普通人员能理解本专利技术的
技术实现思路
，图示内各部分并没有依照其相对的尺寸进行绘图，某些尺寸或其它相关尺度的比例可能被凸显出来而显得夸张，且不相关的细节部分并没有完全绘出，以求图示的简洁。请参考图1所示，其为本专利技术一实施例的一触控装置100的一示意图。该触控装置100包含一触控面板110。该触控面板110包含一基板与形成于该基板的多个感测电极组120。该多个感测电极组120连接到一处理模块130。该处理模块130内包含必要的电路并且连接到一内存模块140。该内存模块140内包含了必要的程序代码与数据，可供该处理模块130执行与运用，以便实作某一种算法。该种算法系根据该多个感测电极组120所侦测到的某一些电性，据以计算出发生在该触控面板110上近接事件的坐标。本领域的普通技术人员可以理解至IJ，该多个感测电极组120的设计有多种形式，而上述的算法对应至该多个感测电极组120的设计。换言之，当多个感测电极组120的设计改变时，算法即有可能必须做相应的修改。本专利技术也不限定上述处理模块130与内存模块140的连接方式与其实作方法。在一实施例中，该处理模块130与内存模块140可以位于同一芯片当中。但在另一实施例中，该处理模块130可以透过其它的电路或控制器存取位于不同芯片上的内存模块140。请参考图2所示，其为根据本专利技术一实施例的X轴坐标误差值暨补偿值的一示意图。假设在图1所示的触控面板110上，以平行于X轴的方向199产生连续的近接事件，则图2标出的曲线200A与200B系经过处理模块130使用算法之后所得到的X轴计算坐标的误差值，与相应的近接事件的X轴真实坐标的关系。曲线200A与曲线200B系分别对应至同一位置的近接事件的不同边缘区块大小。可以观察到曲线200A与200B，在越接近触控面板110的边缘，则误差值也就越大。在一实施例中，该多个感测电极组120包含有沿着X轴排列的多个感测电极单元，用以感测该触控面板的多个电容变化量，其算法的误差值会产生如图2所示的关系。在某些实施例中，当触控装置100为电容式时，电容变化量相关于投影面积。处理模块130首先透过电容变化量计算出投影面积以及校正前的X轴坐标值，并透过事先建立的查找表查找出电容变化总和的平方根(capsum)，亦即外部导电物体靠近或接触感测电极组120所导致的电容变化量的总和的平方根。由于感测电极组120的设计形式，使得同一投影面积的近接事件在触控面板110中间所影响的电容变化总和的平方根，不同于在触控面板110边缘处所影响的电容变化总和的平方根。因此，当处理模块130计算完上述的投影面积之后，还得根据近接事件所发生的位置，亦即X轴坐标值查找出电容变化总和的平方根。但本专利技术并不限定该感测电极组120的设计形式，以及其所使用的算法，只要有图2所示的曲线关系，就可以适用本专利技术。在一实施例中，内存模块140内包含了两个查找表，一个查找表用于根据近接事件的X轴坐标值来查找出上述的电容变化总和的平方根，另一个查找表则用于根据电容变化总和的平方根回过头来校正近接事件的X轴坐标值。请参考图3A所示，其为根据本专利技术一实施例的电容变化总和的平方根查找表。图3A所示的查找表的横轴可以表示某一近接事件的当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正触控面板边缘的坐标值的方法，包含：计算发生在触控面板边缘的近接事件所对应的计算坐标与投影面积以得出电容变化总和的平方根；根据该计算坐标与电容变化总和的平方根，自查找表所包含的多个第一线性函数当中选出第一线性函数；以及根据该第一线性函数与该计算坐标得出真实坐标；其中，该查找表包含对应到多个电容变化总和的平方根的该多个第一线性函数的斜率与起始点，以及该投影面积相关于该触控面板的至少一电容变化量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子维，
申请(专利权)人：晨星半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71