本发明专利技术公开了一种像素电极及阵列基板,该像素电极划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。该像素电极显著地减少了像素单元内部的暗纹区域的面积,进而提升了像素的穿透率,有利于改善显示的画质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域,尤其涉及一种像素电极及阵列基板。
技术介绍
VA型液晶显示器以其大视野角、高对比度以及无须摩擦配向等优势,成为大尺寸TV用液晶显示设备的常见显示模式。VA型液晶显示器一般采用多畴结构来改善色偏,因此使液晶分子可靠并稳定的配向是VA型液晶显示器能够正确显示画面的基础。目前,液晶分子的配向主要利用电场与经过特殊设计的像素电极之间的相互配合来实现。图1为现有技术中一种普遍使用的VA型液晶显示器的像素电极的结构示意图。如图所示,该像素电极由十字形的躯干电极以及以一定角度与躯干电极相交的多条分支电极组成。躯干电极位于像素电极的中间位置,主要用于连接各分支电极,且躯干电极的宽度一般大于分支电极的宽度以保证结构的稳固。对该像素电极施加一定的灰阶电压后,液晶分子将在电场和像素电极的共同作用下沿各分支电极的方向,从像素电极的外围向指向像素电极的中心的方向偏转。由于像素电极上的各分支电极方向不同,因而可以形成不同的显示畴。但具有上述结构的像素电极的液晶显示器在显示画面时会出现暗纹。这是由于位于躯干电极处的液晶分子的偏转角度与上、下偏光片的偏转角度相同,因此躯干电极处的穿透率为0,进而在躯干电极周围区域出现暗纹,影响液晶显示器的显示效果。特别是采用曲面显示时,由于弯曲造成的上下基板错位,将导致暗纹变宽,像素单元的穿透率降低,宏观上表现为液晶显示屏上的某些区域出现暗团,画质下降。综上,亟需对像素电极的结构进行改进以减少暗纹的产生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题之一是对像素电极的结构进行改进以减少暗纹的产生。为了解决上述技术问题,本申请的实施例首先提供了一种像素电极,划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。优选地,沿水平方向的躯干电极设置于各配向区域之间的交界处。优选地,设置于各配向区域之间的交界处的躯干电极不多于两个。优选地,四个配向区域沿垂直方向排列。优选地,沿垂直方向的第一个配向区域与第二个配向区域的分支电极,以及第三个配向区域与第四个配向区域的的分支电极分别呈K形。优选地,躯干电极的宽度沿所述躯干电极的长度方向逐渐减小。优选地,分支电极以等间距相互平行设置。本申请的实施例还提供了一种阵列基板,排列有多个像素单元,每个像素单元内设置有一个像素电极,所述像素电极划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。优选地,所述躯干电极的宽度沿所述躯干电极的长度方向逐渐减小。优选地,当一沿水平方向的躯干电极的两端分别与沿垂直方向的躯干电极连接时,该沿水平方向的所述躯干电极的宽度在与沿垂直方向的所述躯干电极连接的位置较大,且该沿水平方向的所述躯干电极的宽度分别从两端向中间处逐渐减小。与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:通过将躯干电极优先设置于像素电极的边缘并适当增大躯干电极在垂直相交处的尺寸,显著地减少了像素单元内部的暗纹区域的面积,进而提升了像素的穿透率,有利于改善显示的画质。本专利技术的其他优点、目标,和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书,权利要求书,以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分。其中,表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,但并不构成对本申请技术方案的限制。图1为现有技术的VA型液晶显示器的像素电极的结构示意图;图2a-图2d为本申请实施例的像素电极的结构示意图;图3为本申请实施例的配向区域的结构示意图;图4a_图4b为暗纹的对比示意图,其中,图4a为各躯干电极无宽度变化时在像素电极的边缘处所产生的暗纹的示意图,图4b为采用本申请实施例的像素电极时在其边缘处所产生的暗纹的示意图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式,借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题,并达成相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征,在不相冲突前提下可以相互结合,所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如“上”、“下”、“左”、“右”等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。本申请实施例的像素电极的结构如图2a?图2d所示,该像素电极可以进一步划分为多个配向区域,配向区域的结构参见图3。如图3所示,配向区域30呈矩形,在其边缘处设置有两个躯干电极301,且两个躯干电极301垂直相交于矩形配向区域30的顶角的位置,用于支撑以及连接多个分支电极302。分支电极302从躯干电极301的垂直相交处呈放射状延伸,且不超过由两个躯干电极301所界定的矩形区域。可以理解的是,本专利技术并不限于图2中四个配向区域垂直排列的情况,还可以是多个配向区域以常见的其他组合形式进行组合。如图2a所示,在一个像素电极20中沿垂直方向排列有四个上述配向区域30。其中,各配向区域30从上至下依次邻接,即各配向区域30之间仅具有沿水平方向的邻接边界,而不具有沿垂直方向的邻接边界,各配向区域30沿垂直方向的边缘为其独立的边缘。进一步地,当相邻接的两个配向区域30的边缘处均设置有躯干电极301时,可以合并成一个躯干电极,如图2a中的躯干电极301a和301b,分别由第一个配向区域和第二配向区域,以及第三个配向区域和第四个配向区域的相邻接的躯干电极合并而成。各配向区域30采用上述排列后,能够使大部分的躯干电极301位于所组成的像素电极20的外围边缘处(即各配向区域的独立的边缘处),如图2a中的躯干电极301c、301b、30 Ie及30 If。根据前述分析可知,对于像素电极20,当相对较宽的躯干电极301大部分集中于像素电极20的外围边缘处时,由于分布于像素电极20内部的躯干电极301减少了,因而可以减少像素电极20内透射率为O的区域的面积,提高像素单元的开口率。当躯干电极301位于像素电极20的外围边缘处时,暗纹区域会向像素电极20的外围边缘处的躯干电极301偏移,减少像素电极20内部的暗纹的面积,有利于提升液晶显示器显示的画质。另外,从图2a中还可以看出,像素电极20沿垂直方向的尺寸(长度)大于其沿水平方向的尺寸(宽度),而在本申请实施例中,在像素电极20的内部不具有沿垂直方向的躯干电极301,因此能够更加有效地抑制暗纹。此外,还需要注意的是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素电极,划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭晋波,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。