一种微小型射频继电器制造技术

本实用新型专利技术公开一种微小型射频继电器，主要由外壳、铁芯、小轴、线圈、导磁体、衔铁、推动器、触点、底座、引出杆、返簧和支撑盘组成。该支撑盘横置在线圈与铁芯的横向部；支撑盘的中部设有供铁芯的纵向部穿过的贯通孔；支撑盘的上表面与线圈可靠接触连接，支撑盘的下表面与铁芯可靠接触连接，支撑盘的侧边缘与导磁体连接。本实用新型专利技术通过增设支撑盘实现衔铁接地方式的改变，并使得衔铁的整个接地回路中避开了线圈产生的电磁场的主要回路，即防止了接地回路经过铁芯贯穿线圈的电磁场最集中部位，避免了电磁场对射频交变信号的干扰，防止衔铁接触不良产生天线效应，提高了射频继电器的传输频率，提高了触点间的隔离度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及继电器
，具体涉及一种微小型射频继电器。
技术介绍
T0-5继电器(T0是英文Transistor Outline缩写)是目前常用的一种晶体管外形封装的微小型继电器，外形标准封装尺寸为Φ 8.51mmX 7.1lmm或Φ 8.5ImmX9.53mm。T0-5射频继电器是T0-5继电器系列中的一种，两者的不同点是T0-5射频继电器可传输(1MHz?8GHz)的射频信号，其传输通道需满足阻抗匹配的要求。T0-5射频继电器的传输通道结构一般采用切换触点作为信号极，底座以及与底座连通的所有部件作为传输信号的接地极。信号极和接地极之间射频阻抗匹配值为50Ω或75Ω (根据需要定制，常规为50Ω，下同)，该阻抗值通过调节信号极与接地极之间的距离来实现。由于空间的限制，以T0-5射频继电器为代表的微小型射频继电器，其内部的电磁系统和传输通道间无法专门设置隔离屏蔽装置，因此电磁系统的线圈在通电情况下产生的电磁场会对传输通道传输的射频信号造成干扰或影响。随着系统高频化的发展，对器件的频率范围要求越来越高，很多系统已提出将T0-5射频继电器负载的频率提高至3GHz以上。然而，射频信号的频率越高，电磁干扰影响越大，频率为IGHz以下影响较小，频率达到3GHz影响剧烈，主要反应在驻波比和隔离度上。目前减小电磁场影响的方法是通过调节传输通道的阻抗匹配，使得阻抗匹配达到绝对理想的50 Ω，从而减小射频信号的驻波比和反馈损耗。该方法存在以下三个方面的不足:a)由于传输通道是非标准的微带线结构，传输路径复杂，互感和寄生电容较多，很难定量的模拟仿真，理想阻抗值50 Ω调节非常困难；b)传输通道中的部分特殊区域，由于结构的需要阻抗值无法匹配到理想的50 Ω，信号反馈严重；c)由于触点组布置紧密，无法布置隔离装置，触点组间和断开触点间的隔离度差，尤其是频率彡3GHz以上，隔离度降低严重。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题目前通过调节传输通道的阻抗匹配方式来减小电磁场影响的方法所存在的不足，提供一种微小型射频继电器，其可减小电磁场的干扰，对传输通道阻抗匹配要求降低。为解决上述问题，本技术是通过以下技术方案实现的:一种微小型射频继电器，主要由外壳、铁芯、小轴、线圈、导磁体、衔铁、推动器、触点、底座、引出杆和返簧组成；导磁体为中空的腔状体，导磁体罩于底座上，且导磁体的底部与底座连接；线圈、铁芯、小轴、衔铁、推动器、返簧和触点均置于导磁体与底座所围成的腔体中；线圈横置于导磁体与底座所围成的腔体的上部；铁芯整体呈倒T形，并由横向部和纵向部组成，其中铁芯的横向部位于线圈的下方，铁芯的纵向部穿过线圈与导磁体连接；小轴固定在铁芯的横向部上；衔铁架在铁芯上，由小轴定位，并限制其自由度；推动器与衔铁连接；返簧与底座连接，并始终与衔铁保持预压力；触点置于导磁体与底座所围成的腔体的下部；触点平行于底座上表面布置，并固定在引出杆的上部；引出杆的下部穿过底座；外壳与底座的裙边固定连接，并密封；还进一步包括一支撑盘，该支撑盘横置在线圈与铁芯的横向部；支撑盘的中部设有供铁芯的纵向部穿过的贯通孔；支撑盘的上表面与线圈可靠接触连接，支撑盘的下表面与铁芯可靠接触连接，支撑盘的侧边缘与导磁体连接。上述方案中，所述支撑盘的下表面与铁芯可靠接触连接的方式为以下三种之一，即:第一种是在支撑盘的下表面设有向下凸起，该向下凸起与铁芯接触导通；第二种是支撑盘与铁芯之间金属熔焊连接导通；第三种是在铁芯的横向部的上表面设有向上凸起，该向上凸起与支撑盘接触导通。上述方案中，支撑盘的上表面与线圈可靠接触连接的方式为在支撑盘的上表面设有向上凸起，该向上凸起与线圈接触导通。上述方案中，衔铁的大面与底座上表面平行，或衔铁的大面与底座上表面之间存在小于或等于10°的斜交角。与现有技术相比，本技术具有如下特点:1、通过增设支撑盘来改变衔铁接地方式:衔铁与铁芯接触连通，铁芯与支撑盘连通，支撑盘与导磁体连通，导磁体与底座(外壳)连通，形成接地回路。衔铁的整个接地回路中避开了线圈产生的电磁场的主要回路，即防止了接地回路经过铁芯贯穿线圈的电磁场最集中部位，避免了电磁场对射频交变信号的干扰，防止衔铁接触不良产生天线效应，提高了射频继电器的传输频率，提高了触点间的隔离度；2、衔铁放置于电磁系统和传输通道之间，并与接地极导通，起到屏蔽电磁场的作用，足够大的衔铁表面(投影面覆盖传输通道的触点)，类似于标准微带线结构的接地极，可作为调节阻抗匹配的调整环，从而降低阻抗匹配调试难度；3、支撑盘与铁芯的连接方式采用凸起的方式，结构简单，接触可靠，便于工艺实现；4、特别适合在频率彡3GHz的T0_5射频继电器中使用。【附图说明】图1为一种微小型射频继电器的正剖视图；图2为图1所示一种微小型射频继电器的侧剖视图。图3为一种微小型射频继电器的正剖视图；图4为图3所示一种微小型射频继电器的侧剖视图。图5为一种微小型射频继电器的正剖视图；图6为图5所示一种微小型射频继电器的侧剖视图。图中标号:1、铁芯；2、小轴；3、线圈；4、导磁体；5、衔铁；6、推动器；7、触点(静合触点、动合触点和转换触点)；8、底座；9、引出杆；10、返簧；11、支撑盘。【具体实施方式】—种微小型射频继电器，其主要由密封外壳、以及置于密封外壳内的电磁系统和接触系统构成。电磁系统在密封外壳置于接触系统的上方。上述电磁系统包括线圈3、铁芯1、衔铁5、小轴2、导磁体4、推动器6和支撑盘11。上述接触系统包括返簧10、触点7、底座8和引出杆9。导磁体4为中空的腔状体，导磁体4罩于底座8上，且导磁体4的底部与底座8连接；线圈3、铁芯1、小轴2、衔铁5、推动器6、返簧10和触点7均置于导磁体4与底座8所围成的腔体中。线圈3横置于导当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微小型射频继电器，主要由外壳、铁芯(1)、小轴(2)、线圈(3)、导磁体(4)、衔铁(5)、推动器(6)、触点(7)、底座(8)、引出杆(9)和返簧(10)组成；导磁体(4)为中空的腔状体，导磁体(4)罩于底座(8)上，且导磁体(4)的底部与底座(8)连接；线圈(3)、铁芯(1)、小轴(2)、衔铁(5)、推动器(6)、返簧(10)和触点(7)均置于导磁体(4)与底座(8)所围成的腔体中；线圈(3)横置于导磁体(4)与底座(8)所围成的腔体的上部；铁芯(1)整体呈倒T形，并由横向部和纵向部组成，其中铁芯(1)的横向部位于线圈(3)的下方，铁芯(1)的纵向部穿过线圈(3)与导磁体(4)连接；小轴(2)固定在铁芯(1)的横向部上；衔铁(5)架在铁芯(1)上，由小轴(2)定位，并限制其自由度；推动器(6)与衔铁(5)连接；返簧(10)与底座(8)连接，并始终与衔铁(5)保持预压力；触点(7)置于导磁体(4)与底座(8)所围成的腔体的下部；触点(7)平行于底座(8)上表面布置，并固定在引出杆(9)的上部；引出杆(9)的下部穿过底座(8)；外壳与底座(8)的裙边固定连接，并密封；其特征在于：还进一步包括一支撑盘(11)，该支撑盘(11)横置在线圈(3)与铁芯(1)的横向部；支撑盘(11)的中部设有供铁芯(1)的纵向部穿过的贯通孔；支撑盘(11)的上表面与线圈(3)可靠接触连接，支撑盘(11)的下表面与铁芯(1)可靠接触连接，支撑盘(11)的侧边缘与导磁体(4)连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周哲锋，唐钰杰，赵毅，程贤科，罗福彪，
申请(专利权)人：桂林航天电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广西;45