本实用新型专利技术公开了一种n型硅双面太阳能电池，其特征在于，包括依次叠加在n型硅正面的增透膜和银铝电极，以及依次叠加在n型硅背面的钝化膜和银电极；其中所述增透膜和钝化膜上刻蚀有露出n型硅片的点状或条状结构；所述银铝电极通过所述增透膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触；所述银电极通过所述钝化膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触。本实用新型专利技术在太阳能电池的膜体上采用刻蚀方法，刻蚀掉局部膜体，然后在局部刻蚀的膜体上印刷导电浆料烧结形成电极，实现电极与n型硅直接电接触，而保留尽量多的膜体在导电浆料高温烧结时不被破坏，增加了太阳能电池的开路电压，减小了接触电阻，从而提高了太阳能电池的转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池，具体涉及一种局部电接触η型娃双面太阳能电池。
技术介绍
近年来，光伏电池产量年增长速度十分快，太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体。目前晶体硅电池是光伏电池的主体，未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池或其它新型电池的发展等原因而下降，但其主导地位仍不会根本改变。η型硅片为目前常用的用于制造晶体硅太阳能电池的基体，η型硅片通常载流子寿命较长，电池效率可以做得更高，同时光致衰减小，电池的总发电量也高。η型硅片制备太阳能电池一般正面使用烧穿正面银浆，丝网印刷在增透膜和钝化膜上，在快速烧结过程中烧穿绝缘的增透膜和钝化膜，在硅上形成电接触。在此过程中，为了减小载流子在表面的复合以提高电池的转换效率，采用的方法是表面钝化技术，目前通过高质量的表面钝化技术提高太阳能电池的转化效率已在生产中广泛应用。现有的钝化技术有PECVD沉积的SiNx，热氧化法生长的Si02，SiNx和S12两种薄膜的叠层，Al 203钝化膜等，沉积的钝化膜同时能够起减反射膜(增透膜)的作用。但是，这些钝化膜都是绝缘体，阻挡了金属在硅上的电接触，尽管目前的烧穿正银可较好地烧穿SiNx形成较好的电接触，在太阳能电池正面形成栅极电极，但实际的栅极电极接触电阻率也往往大于ImΩ.cm2，导致开路电压(Voc)偏低和串阻较高，并且需要较高的烧结温度才能将钝化膜烧穿。而金属直接在硅上电接触可形成〈0.0lmn.cm2的接触电阻率，这说明若金属直接在娃上形成电接触，所需要的接触面积要比烧穿SiNx形成的电接触的接触面积小得多，从而可保留较大钝化膜面积，进一步减小载流子在表面的复合，提高电池的开路电压(Voc)和短路电流(Isc)。
技术实现思路
本技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。本技术还有一个目的是提供一种η型硅双面太阳能电池，该电池的电极与η型硅形成局部电接触，能够增加太阳能电池的开路电压，减小接触电阻，从而提高太阳能电池的转换效率。为了实现根据本技术的这些目的和其它优点，提供了一种η型硅双面太阳能电池，包括依次叠加在η型硅正面的增透膜和银铝电极，以及依次叠加在η型硅背面的钝化膜和银电极；其中所述增透膜和钝化膜上刻蚀有露出η型硅片的点状或条状结构；所述银铝电极通过所述增透膜上的点状或条状结构形成与η型硅的局部电接触；所述银电极通过所述钝化膜上的点状或条状结构形成与η型硅的局部电接触。优选的是，所述点状结构的直径为10?60微米；所述条状结构的宽度为10?60微米。优选的是，所述增透膜为先用热氧化法沉积一层S1J莫，然后采用等离子体增强化学气相沉积技术在S1J莫上沉积一层SiN J莫。优选的是，所述S1J莫的膜厚为2?10纳米；所述SiN J莫的膜厚为40?100纳米。优选的是，所述钝化膜为先用热氧化法沉积一层S1J莫，然后采用等离子体增强化学气相沉积技术在S1J莫上沉积一层SiN J莫。优选的是，所述S1J莫的膜厚为2?10纳米；所述SiN J莫的膜厚为40?100纳米。优选的是，所述S12膜可用Al 203膜代替。优选的是，所述Al2O3膜的膜厚为2?20纳米。优选的是，所述η型硅正面与增透膜之间还设置有P掺杂层；所述η型硅背面与钝化膜之间还设置有η+掺杂层。优选的是，所述增透膜表面沉积一层石墨烯导电膜，所述石墨烯导电膜的厚度为50?100纳米。本技术至少包括以下有益效果:在太阳能电池的膜体上采用刻蚀方法，刻蚀掉局部膜体，然后在局部刻蚀的膜体上印刷导电浆料烧结形成电极，实现电极与η型硅直接电接触，而保留尽量多的膜体在导电浆料高温烧结时不被破坏，增加了太阳能电池的开路电压，减小了接触电阻，从而提高了太阳能电池的转换效率。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。【附图说明】图1为本技术的一个实施例中η型硅双面太阳能电池的结构示意图；图2为本技术的另一个实施例中通过激光刻蚀方法蚀掉局部沉积膜，形成点状结构的示意图；图3为本技术的另一个实施例中通过激光刻蚀方法蚀掉局部沉积膜，形成条状结构的示意图；图4为本技术的一个实施例中η型硅双面太阳能电池的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。如图1、图2所示，本技术一种η型硅双面太阳能电池，包括依次叠加在η型硅I正面的增透膜2和银铝电极3，以及依次叠加在η型硅I背面的钝化膜4和银电极5 ;其中所述增透膜2和钝化膜4上刻蚀有露出η型硅片的点状6或条状结构7 ;所述银铝电极3通过所述增透膜2上的点状6或条状结构7形成与η型硅I的局部电接触；所述银电极5通过所述钝化膜4上的点状6或条状结构7形成与η型硅I的局部电接触；在上述技术方案中，在太阳能电池的膜体上采用刻蚀方法，刻蚀掉局部膜体，然后在局部刻蚀的膜体上印刷导电浆料烧结形成电极，实现电极与η型硅直接电接触，而保留尽量多的膜体在导电浆料高温烧结时不被破坏，增加了太阳能电池的开路电压，减小了接触电阻，从而提高了太阳能电池的转换效率。在另一种实施例中所述点状结构的直径为10?60微米，所述条当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种n型硅双面太阳能电池，其特征在于，包括依次叠加在n型硅正面的增透膜和银铝电极，以及依次叠加在n型硅背面的钝化膜和银电极；其中所述增透膜和钝化膜上刻蚀有露出n型硅片的点状或条状结构；所述银铝电极通过所述增透膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触；所述银电极通过所述钝化膜上的点状或条状结构形成与n型硅的局部电接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李运钧，尹天平，曾国平，杨墨熹，李昕，
申请(专利权)人：四川银河星源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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