二极管的模压工艺制造技术

本发明专利技术公开一种二极管的模压工艺，所述模压的具体步骤是：步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层；步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压；步骤c、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。本发明专利技术的制备方法合理，且制得的二极管不易产生分层现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二极管的模压工艺，属于半导体封装

技术介绍
随着社会的发展，社会对芯片的要求向更小、更薄发展。现有的二极管在制备过程中，在焊接步骤后需要进行模压成型成为最后成品；在已有技术中，焊接后的工件在模压过程中，是将绝缘胶直接包覆在二极管芯片以及引线框架的外周的，这样，制得的二极管因绝缘胶、引线框架(铜框架)和二极管芯片之间因各自的材料特性的差异，在二极管因长时间工作发热后，不同材料之间会产生分层现象，造成产品的电性能不可靠，严重时，不能正常使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是:提供一种不仅工艺合理，而且制得的二极管不易产生分层现象的二极管的模压工艺，以克服已有技术的不足。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是:一种二极管的模压工艺，以焊接有二极管芯片的引线框架为加工对象；其特征在于:所述模压的具体步骤是: 步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层； 步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压； 步骤C、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件自然冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。在上述技术方案中，所述步骤a中的导热硅脂的温度控制在15~25°C范围内。在上述技术方案中，所述步骤b中模具的温度控制在100~170°C范围内，且模具合模的时间控制在27~180s范围内。在上述技术方案中，所述步骤c中所述烘箱的温度控制在150~170°C范围内，烘燥的时间控制在5~9小时范围内。在上述技术方案中，所述步骤b中所用的绝缘胶是黑胶、或者是环氧树脂。在上述技术方案中，所述步骤c中形成的绝缘胶壳的厚度控制在l~10mm范围内。本专利技术所具有的积极效果是:本专利技术的所述模压工艺的具体步骤依次是:喷涂导热硅脂、模压和烘燥，本专利技术在实施模压步骤之前，先对焊接后的工件喷涂导热硅脂，使得导热硅脂依附在引线框架和二极管芯片的表面，由于导热硅脂有导热性和排水性，并且能与后续模压步骤中的绝缘胶相互渗透融合，因此，一方面，能够有效防止制备的二极管在长时间工作发热后其内部发生的分层现象，另一方面，制备的二极管也可有效防止水汽渗入，实现了本专利技术的目的。【附图说明】图1是本专利技术的制备的二极管的结构示意图。【具体实施方式】以下用给出的实施例，对本专利技术作进一步的说明，但不局限于此。如图1所示，一种根据本专利技术制得的二极管，包括第一引线1、第二引线2、二极管芯片3和绝缘胶壳4，所述第一引线I包括互为一体的第一贴片基岛1-1和第一引脚1-2，所述第二引线2包括互为一体的第二贴片基岛2-1和第二引脚2-2，所述第一贴片基岛1-1、第二贴片基岛2-1和芯片3均被包覆在绝缘胶壳4内。—种二极管的模压工艺，以焊接有二极管芯片的引线框架为加工对象；其特征在于:所述模压的具体步骤是: 步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层； 步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压； 步骤C、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件自然冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。本专利技术述步骤a中的导热硅脂的温度控制在15~25°C范围内。本专利技术所述步骤b中模具的温度控制在100~170°C范围内，且模具合模的时间控制在27?180s范围内。本专利技术所述步骤c中所述烘箱的温度控制在150~170°C范围内，烘燥的时间控制在5~9小时范围内。本专利技术所述步骤b中所用的绝缘胶是黑胶、或者是环氧树脂。本专利技术所述步骤c中形成的绝缘胶壳的厚度控制在l~10mm范围内。本专利技术所述喷涂设备、模压机和烘箱，均为企业常规使用的加工设备。本专利技术小试效果显示，采用本专利技术的模压工艺，不仅简单、合理，而且能够有效防止制备的二极管在长时间工作发热后其内部发生的分层现象，以及还可有效防止水汽渗入。【主权项】1.一种二极管的模压工艺，以焊接有二极管芯片的引线框架为加工对象；其特征在于:所述模压的具体步骤是: 步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层； 步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压； 步骤C、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件自然冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。2.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于:所述步骤a中的导热硅脂的温度控制在15~25°C范围内。3.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于:所述步骤b中模具的温度控制在100~170°C范围内，且模具合模的时间控制在27~180s范围内。4.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于:所述步骤c中所述烘箱的温度控制在150~170°C范围内，烘燥的时间控制在5~9小时范围内。5.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于:所述步骤b中所用的绝缘胶是黑胶、或者是环氧树脂。6.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于:所述步骤c中形成的绝缘胶壳的厚度控制在l~10mm范围内。【专利摘要】本专利技术公开一种二极管的模压工艺，所述模压的具体步骤是：步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层；步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压；步骤c、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。本专利技术的制备方法合理，且制得的二极管不易产生分层现象。【IPC分类】H01L21/56【公开号】CN105140137【申请号】CN201510457889【专利技术人】孙良 【申请人】常州银河世纪微电子有限公司【公开日】2015年12月9日【申请日】2015年7月30日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管的模压工艺，以焊接有二极管芯片的引线框架为加工对象；其特征在于：所述模压的具体步骤是：步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层；步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压；步骤c、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件自然冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32