本发明专利技术提供一种420GHz十次谐波混频器，包括依次连接的射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导-悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器，射频信号由射频输入波导输入，经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管；所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器，本振信号由本振输入波导输入，依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管，所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号；所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明专利技术采用十次谐波混频形式，大大降低了本振频率，同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及混频器，具体为一种420GHz十次谐波混频器。
技术介绍
太赫兹科学技术是近二十年来迅速发展的一个研究方向，太赫兹波是指频率在0.1?1THz之间的电磁波，在电磁波谱上位于微波和红外线之间，它的长波段与毫米波(亚毫米波)相重合，其发展主要依靠电子学科学技术；而它的短波段与红外线相重合，其发展主要依靠光子学科学技术，可见太赫兹波是宏观电子学向微观光子学过渡的频段，在电磁波频谱中占有很特殊的位置。THz科学技术综合了电子学与光子学的特色，涉及物理学、化学、光学、材料科学、微波毫米波电子学等学科，是一个典型的交叉前沿科学。在太赫兹通信、雷达、电子对抗、天文观测等应用系统中，所遇到的首要问题便是如何实现太赫兹信号的频率变换。超外差接收机的主要应用是实现频谱的向下搬移，即将较高频率的太赫兹信号经过非线性器件变换至较低频率的中频信号。混频器作为超外差接收机中的核心部件，其性能指标很大程度上决定了整个接收机系统的性能，因此太赫兹混频器对太赫兹接收机来讲至关重要。在太赫兹频段，由于基波混频器或分谐波混频器需要的高性能本振源成本高，技术难度大，使得其应用受到了限制。如何设计高性能、高可靠性的太赫兹谐波混频器是一个非常重要的课题，多年来一直是人们研究和探索的热门方向。太赫兹谐波混频器的核心器件是混频管。目前可实现太赫兹频段混频的混频管有肖特基二极管，SIS (超导体-绝缘体-超导体)混频管，以及HEB (热电子测热辐射)混频管。后两者均要求液氦实现低温工作环境，限制了其实际应用。因此，基于肖特基二极管的太赫兹波混频技术成为主流。长期以来的观测和实验证实，在频率0.2THz?0.3THz之间，电磁波的大气衰减比较低，但达到0.3THz波段后，大气衰减随着频率的升高迅速上升，只有中心频率0.34THz, 0.42THz, 0.67THz和0.86THz等附近有相对透明的大气窗口。因此太赫兹通信、雷达等应用都围绕在这些大气窗口频率附近开展。目前基于肖特基势皇二极管的低噪声太赫兹混频器主要采用基波混频或者分谐波混频器的设计形式，即本振频率与射频频率相同，或者本振频率是射频频率的二分之一，420GHz频率附近的混频器也大都采用分谐波混频型式，电路主要包括射频输入、二极管及其匹配电路、射频抑制滤波器、本振输入、中频滤波器、中频输出等。主体电路印制在一整块石英或砷化镓基片上，也有使用两块以上基片相互连接形成整体电路的形式，一般是使用另一块石英基片完成中频滤波器电路然后与其余电路连接，或者直接取消中频滤波器直接由单独基片引出中频信号，而不同基片的互联会引入装配误差。电路中的滤波器往往采用最简单的阶跃阻抗滤波器的形式，这种结构的滤波器长度较长，使整体电路变长；同时阶跃阻抗滤波器阻带较窄，所以如果谐波次数高，必然造成杂波信号的泄露，变相的会减少中频信号的输出能量。实际使用这些混频器都需要有一个工作于太赫兹频段的性能优良的本振信号源，而目前比较成熟的信号源大都在W波段以下，很难满足太赫兹混频器对本振的要求，所以一般都需自行设计相应的本振信号发生装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中的缺点提供一种420GHz十次谐波混频器，其特征在于:包括依次连接的射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导-悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器，射频信号由射频输入波导输入，经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管；所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器，本振信号由本振输入波导输入，依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管，所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号；所述射频抑制低通滤波器为9阶CMRC低通滤波器。本专利技术中，所述混频器中电路结构印制于一块石英基板上。所述射频波导-悬置微带过渡结构包括波导短路面、探针、悬置微带线信号输出端口及直流接地端，其中，波导短路面、探针与射频输入波导共同调节构成射频波导与悬置微带转换结构，而直流接地端作为中频接地端。本专利技术提供一种420GHz十次谐波混频器，采用十次谐波混频形式，大大降低了本振频率，仅为基波混频器本振频率的十分之一，使得工作中无需另外设计本振源；同时本专利技术采用9阶CMRC结构低通滤波器作为射频抑制低通滤波器，能够有效减短电路尺寸，且插损小、带外抑制度好；同时，该9阶CMRC低通滤波器通过不同单元对不同频段的阻带作用级联后有效拓宽滤波器阻带，形成一种宽阻带滤波器，反射了大部分谐波信号，而本振及中频信号则顺利的通过，达到了反射杂波信号以增强中频信号的目的。另外，本专利技术通过有效减小混频器的电路尺寸，使得整个混频器电路结构能够印制于一块石英基板上，避免了不同基片互联装配时产生的误差。【附图说明】图1为本专利技术420GHz十次谐波混频器结构示意图，其中，I为射频输入波导、2为射频波导-悬置微带过渡结构、3为二极管、4为射频抑制低通滤波器、5为本振波导-悬置微带过渡结构、6为本振输入波导、7为中频滤波器。图2为本专利技术射频端波导-悬置微带过渡结构示意图，其中，2-1为直流接地端、2-2为波导短路面、2-3为探针、2-4为悬置微带线信号输出端口。图3为本专利技术表面通道型平面肖特基反向并联二极管对模型示意图。图4为本专利技术射频抑制低通滤波器结构示意图。图5为本专利技术实施例中射频抑制低通滤波器S参数仿真曲线。图6为本专利技术实施例中射频抑制低通滤波器尺寸示意图。图7为本专利技术射频本振-中频双工器结构示意图。图8为本专利技术提供420GHz十次谐波混频器腔体结构示意图。图9为本专利技术实施例中混频器的变频损耗仿真曲线。【具体实施方式】下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。本实施例是一种工作于420GHz的十次谐波混频器，其结构如图1所示，从左到右分别为WR-2.2射频输入波导口 1，射频波导-悬置微带过渡探针2，二极管及其匹配电路3，射频抑制低通滤波器4，本振波导-悬置微带过渡探针5，本振输入波导6，中频滤波器7，采用一块完整的石英基片印制整个电路，避免不同基片互联装配时产生的误差，主体电路长约 9.2mm,宽 0.26mm。工作时，射频信号从WR-2.2射频输入当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种420GHz十次谐波混频器，其特征在于：包括依次连接的射频输入波导、射频波导‑悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导‑悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器，射频信号由射频输入波导输入，经过射频波导‑悬置微带过渡结构耦合馈入二极管；所述中频滤波器、本振波导‑微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振‑中频双工器，本振信号由本振输入波导输入，依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管，所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号；所述射频抑制低通滤波器为9阶CMRC低通滤波器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张波，钱骏，刘戈，司梦姣，纪东峰，杨益林，闵应存，牛中乾，李树丹，樊勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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