本发明专利技术公开一种低衰减架空式四芯用户引入电缆，包括4根铜镁合金导体，此铜镁合金导体外表面包覆有聚乙烯层形成导线，4根所述导线两两绞合形成第一绞线对、第二绞线对，一铝箔绕包于所述绞线对外表面；所述铜镁合金导体由以下重量份的组分组成：铜80~90份、镁0.5~2份、锌1.5~3份、硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01-0.02份；所述稀土元素由镧、铈和钪组成，且所述镧、铈和钪按照10：4：1重量份比例混合形成所述稀土元素。本发明专利技术低衰减架空式四芯用户引入电缆金属组织结构明显好转，经过生产试验以及后续拉丝时抗拉强度、伸长率大大改善。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种电话线的线忍，尤其设及一种低衰减架空式四忍用户引入电缆。
技术介绍
现有的电话线有二忍和四忍，忍线直径分别有0.4~1.0mm，其结构一般是二根或 者四根忍线外包裹聚乙締，常见的忍线材料有铜包钢、铜包侣、全铜等。现有的电话线结构 决定其拉伸强度有限，当需要长距离安装时，需要专口设置钢缆进行加强，否则容易拉断， 特别是在一些交通不便的地区如山区安装时，专口设置钢缆极大的增加了施工的难度，并 且容易损坏。
技术实现思路
本专利技术提供一种低衰减架空式四忍用户引入电缆，此低衰减架空式四忍用户引入 电缆其铜儀合金导体导电率>65%IACS，导体抗拉强度>700Mpa;延伸率0. 5%~2%金属组 织结构明显好转，经过生产试验W及后续拉丝时抗拉强度、伸长率大大改善，宏观晶粒度可 达6~8级别。 为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种低衰减架空式四忍用户引入电 缆，包括4根铜儀合金导体，此铜儀合金导体外表面包覆有聚乙締层形成导线，4根所述导 线两两绞合形成第一绞线对、第二绞线对，一侣锥绕包于所述绞线对外表面，一聚氯乙締层 包覆于所述侣锥外表面，一聚乙締护套层包覆于所述聚氯乙締层外表面； 所述铜儀合金导体由W下重量份的组分组成： 铜 80~90份， 儀 0. 5~2份， 锋 1. 5~3份， 娃 0. 04~0. 06份， 铁 1~1. 3份， 铜 0. 18~0. 28份， 稀±元素 0. 08~0.1份， 棚 0. 015~0. 03 份， 铁 0.Ol~0. 02份， 被 0.Ol~0. 02份； 所述稀±元素由铜、姉和筑组成，且所述铜、姉和筑按照10 :4 :1重量份比例混合形成 所述稀±元素。 上述技术方案中进一步改进的技术方案如下： 1、上述方案中，所述儀合金导体通过W下工艺获得，此工艺包括W下步骤： 步骤一、将儀0. 5~2份投入烙炉中，加热使之烙化并在780~820°C下保溫，并调整真空 度为0. 1~0. 3Pa，然后加入铜80~90份和锋1. 5~3份，迅速升溫至1250°C~1280°C，充分烙 化并充分揽拌均匀，揽拌时间> 30min，静置保溫，获得合金烙体； 步骤二、将溫度降至1150°C~1180°C，将娃0. 04~0. 06份、铁1~1. 3份、铜0. 18~0. 28份、 稀±元素0. 08~0. 1份、棚0. 015~0. 03份、铁0.Ol~0. 02份、被0.Ol~0. 02份投入烙炉中，加 热使之烙化后，在并在115(TC~118(TC下保溫，并调整真空度为0. 1~0. 3化，静置保溫，获得 合金烙体； 步骤=、将结晶器直接伸入合金烙体中，采用上引连铸的方法，将合金烙体上引连铸成 铜儀合金杆，上引连铸时采用木炭隔氧，水隔套冷却； 步骤四、连接挤压和多道次拉拔，将铜儀合金杆进行连接挤压和多道次拉拔，形成铜儀 合金单丝巧料； 步骤五、拉丝，采用拉丝机将铜儀合金单丝巧料进行多道次拉丝，制成规定尺寸的铜儀 合金单丝； 步骤六、绞线，将多根铜儀合金单丝绞制成铜儀合金绞线。2、上述方案中，所述步骤二中稀±元素由铜、姉和筑组成，且所述铜、姉和筑按照 10 :4 :1重量份比例混合形成所述稀±元素。3、上述方案中，所述四根导线两两绞合分别形成第一绞线对、第二绞线对，此第一 绞线对、第二绞线对的绞合节距为3~5cm。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点： 本专利技术低衰减架空式四忍用户引入电缆，其铜80~90份、儀0. 5~2份、锋1. 5~3份中 含有由铜、姉和筑组成的稀±元素在指定范围内铁和稀±的协同作用，可W提高合金杆的 延展性、优化铜液体成分，细化晶粒、去渣、增加耐腐蚀性能，去除铜合金中的气体和有害 杂质，减少铜合金的裂纹源，从而大大提高了铜儀合金线的强度，改善加工性能，还能改善 铜合金的耐热性、可塑性及可锻性，提高硬度、增加强度和初性；其次，所述铜、姉和筑按照 10 :4 :1重量份比例混合形成所述稀±元素与棚协同作用，使得产品在诱铸过程中提高铜 的流动性，减小铜中其他元素的不利影响，形成核质点，从而形成非自发形核，起到细化晶 粒的作用，宏观晶粒度在可W达到5-6级，提高了抗拉强度；添加的棚元素在一定范围内， 和上述铜能合理搭配，能够降低电阻率6~10%，大大改善了导电率；再次，铁元素：由于铜基 体中存在上述有益元素后，再加入铁元素，可W在金属晶粒组织中起到明显作用，将铁元素 控制在本专利技术的范围内，宏观晶粒度达到6-8级。【附图说明】 附图1为本专利技术架空型铜儀合金用户电缆结构示意图。W上附图中：1、铜儀合金导体；2、聚乙締层；3、导线；41、第一绞线对；42、第二绞 线对；5、侣泊；6、聚氯乙細层；7、聚乙細护套层。【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术作进一步描述： 实施例1~3 : -种低衰减架空式四忍用户引入电缆，包括4根铜儀合金导体1，此铜儀 合金导体1外表面包覆有聚乙締层2形成导线3,4根所述导线3两两绞合形成第一绞线对 41、第二绞线对42, 一侣锥5绕包于所述绞线对4外表面，一聚氯乙締层6包覆于所述侣锥 5外表面，一聚乙締护套层7包覆于所述聚氯乙締层6外表面； 所述铜儀合金导体1由W下重量份的组分组成，如表1所示： 表1所述稀±元素由铜、姉和筑组成，且所述铜、姉和筑按照10 :4 :1重量份比例混合形成 所述稀±元素。 上述铜儀合金导体1通过W下工艺获得，此工艺包括W下步骤： 步骤一、将儀0. 5~2份投入烙炉中，加热使之烙化并在780~820°C下保溫，并调整真空 度为0. 1~0. 3Pa，然后加入铜80~90份和锋1. 5~3份，迅速升溫至1250°C~1280°C，充分烙 化并充分揽拌均匀，揽拌时间> 30min，静置保溫，获得合金烙体； 步骤二、将溫度降至1150°C~1180°C，将娃0. 04~0. 06份、铁1~1. 3份、铜0. 18~0. 28份、 稀±元素0. 08~0. 1份、棚0. 015~0. 03份、铁0.Ol~0. 02份、被0.Ol~0. 02份投入烙炉中，加 热使之烙化后，在并当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低衰减架空式四芯用户引入电缆，其特征在于：包括4根铜镁合金导体（1），此铜镁合金导体（1）外表面包覆有聚乙烯层（2）形成导线（3），4根所述导线（3）两两绞合形成第一绞线对（41）、第二绞线对（42），一铝箔（5）绕包于所述绞线对（4）外表面，一聚氯乙烯层（6）包覆于所述铝箔（5）外表面，一聚乙烯护套层（7）包覆于所述聚氯乙烯层（6）外表面；所述铜镁合金导体（1）由以下重量份的组分组成：铜 80~90份，镁 0.5~2份，锌 1.5~3份，硅 0.04~0.06份，铁 1~1.3份，铜 0.18~0.28份，稀土元素 0.08~0.1份，硼 0.015~0.03份，钛 0.01~0.02份，铍 0.01~0.02份；所述稀土元素由镧、铈和钪组成，且所述镧、铈和钪按照10：4：1重量份比例混合形成所述稀土元素。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆春良，王存良，张跃，涂家莉，宋小月，孙媛媛，金妹，
申请(专利权)人：江苏亨通线缆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。