一种电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置及其制造方法，该方法包括：提供一玻璃凹版，其包括凹陷部和凸起部，凸起部具有一预设宽度；将导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面并转移至凸起部的表面；填充树脂层于导电材料以及凹陷部的上方；形成塑胶基板于树脂层的上方；以及使树脂层与玻璃凹版相脱离从而形成图案化的树脂层，且导电材料位于图案化的树脂层的沟槽底部。相比于现有技术，本发明专利技术利用玻璃凹版的湿蚀刻制程形成预设宽度的凸起部，然后将导电材料转移至凸起部的表面，再通过压印转移将导电材料转移到树脂层上，如此一来，导电材料位于树脂层的沟槽底部且树脂层的沟槽宽度与凸起部的预设宽度相同，从而可得到小线宽的图案化的纳米导电材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种可应用于触控面板的电子装置及其制造方法。
技术介绍
在现有技术中，应用于透明导电电极(transparent conductive electrode)的纳米银线(Ag NW)图案化方法主要是使用湿式蚀刻法或激光蚀刻法。其中，湿式蚀刻法需先涂布整面的膜层，再经过黄光工艺，其不仅步骤繁复且浪费材料。此外，纳米银线较难被蚀亥IJ，在蚀刻过程中，很可能出现纳米银线的残留物。而对于激光蚀刻法来说，其在大面积上处理费时且成本昂贵。针对上述步骤繁琐或成本较高的不良情形，现有技术的一种解决方案是在于使用压印转移(imprint transfer)方法:首先运用刮墨技术(doctoring blade)，在玻璃凹版(cliche)的凹陷图案中刮入含有纳米银线的溶液，然后在140°C下进行热烤。之后，于涂布一层整面的UV树脂后，覆盖PET (polyethylene terephthalate，聚乙稀对苯二甲酸脂)层作为塑胶基板并进行压印(imprint)操作。接着，对覆盖有PET塑胶基板的UV树脂照射紫外光，使其固化(curing)。最后进行剥离(release)制程，将覆盖有PET塑胶基板的UV树脂与玻璃凹版的凹陷图案中的纳米银线一并自凹版剥离，从而得到具有图案化的纳米银线膜层的产品。然而，在上述压印转移制程中，玻璃凹版因使用氢氟酸(HF)湿蚀刻制程造成了各向同性蚀刻(isotropic wet etching)，这将无法做出线宽较小(诸如，3微米)的凹陷图案。举例来说，现有玻璃凹版的凹陷图案的宽度为10微米至1000微米，由于纳米银线位于该凹陷图案内，纳米银线的线宽与凹陷图案的宽度相一致，因此很难做出小线宽的图案化的纳米银线膜层。有鉴于此，如何设计一种可简化形成导电图案的工艺并节省制造成本的制造方法，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的压印转移制程很难做出小线宽的图案化的纳米银线膜层的这一缺陷，本专利技术提供了一种新颖的电子装置及其制造方法，以简化形成小线宽的图案化的纳米导电材料，用作诸如透明导电电极或触控传感器。依据本专利技术的一个方面，提供了一种电子装置的制造方法，包括以下步骤:提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，所述凸起部具有一预设宽度；将一导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面；滚动所述高分子膜层，以狭缝涂布方式将所述导电材料转移至所述凸起部的表面；填充一树脂层于所述导电材料以及所述凹陷部的上方，其中，该树脂层与该导电材料之间的黏着力大于该导电材料与该凸起部之间的黏着力；形成一塑胶基板于所述树脂层的上方，并利用紫外光对所述树脂层进行固化；以及通过一离型制程，使所述树脂层与所述玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的所述树脂层，且所述导电材料位于图案化的所述树脂层的沟槽底部。在其中的一实施例，所述导电材料的线宽等于所述预设宽度。在其中的一实施例，所述预设宽度为3微米。在其中的一实施例，所述导电材料为银楽(silver paste)、纳米银线(AgNW)、碳棒(Carbon)或石墨稀(graphene)。在其中的一实施例，所述树脂层的凸起高度等于所述玻璃凹版的凹陷部的深度。在其中的一实施例，上述提供玻璃凹版的步骤还包括:提供一玻璃基板；形成一钼薄膜层于所述玻璃基板的上方；利用光刻法(photolithography)对所述钼薄膜层进行图案化，以露出所述玻璃基板的一部分；以及对所述玻璃基板的露出部分进行各向同性的湿蚀刻，以形成所述玻璃凹版，其中，所述凸起部的预设宽度由湿蚀刻的蚀刻时间来控制。在其中的一实施例，所述高分子膜层为聚二甲基娃氧烧(Polydimethylsi1xane,PDMS)材质。依据本专利技术的另一个方面，提供了一种电子装置，包括:一塑胶基板；—树脂层，位于所述塑胶基板上，其中该树脂层具有间隔设置的一凸起部以及一沟槽；以及—导电材料，位于所述树脂层的沟槽底部。在其中的一实施例，所述导电材料的线宽为3微米。在其中的一实施例，所述导电材料为银楽(silver paste)、纳米银线(AgNW)、碳棒(Carbon)或石墨稀(graphene)。采用本专利技术的电子装置及其制造方法，首先提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，该凸起部具有一预设宽度，然后将导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面，滚动高分子膜层以狭缝涂布方式将导电材料转移至凸起部的表面，接着填充一树脂层于导电材料以及凹陷部的上方，然后形成一塑胶基板于树脂层的上方并利用紫外光对树脂层进行固化，最后通过一离型制程，使树脂层与玻璃凹版相脱离从而形成图案化的树脂层，且导电材料位于图案化的树脂层的沟槽底部。相比于现有技术，本专利技术利用玻璃凹版的湿蚀刻制程形成预设宽度的凸起部(即，相邻凹陷部之间的距离)，然后使用狭缝涂布方式将导电材料转移至凸起部的表面，再通过压印转移将导电材料转移到树脂层上，如此一来，导电材料位于树脂层的沟槽底部且树脂层的沟槽宽度与凸起部的预设宽度相同，从而可得到小线宽的图案化的纳米导电材料。【附图说明】读者在参照附图阅读了本专利技术的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图1(a)示出在压印转移制程中，以刮墨技术将纳米银线的溶液刮入玻璃凹版的状态不意图；图1(b)示出在压印转移制程中，涂布UV树脂层以及塑胶基板的状态示意图；图1 (c)示出在压印转移制程中，对所涂布的UV树脂层进行固化的状态示意图；图1⑷示出在压印转移制程中，将塑胶基板和UV树脂层从玻璃凹版剥离之后的状态不意图；图2(a)示出在形成玻璃凹版的制程中，于玻璃基板上形成钼薄膜层的示意图；图2(b)示出对钼薄膜层进行图案化的示意图；图2(c)示出对图案化的钼薄膜层进行湿蚀刻的示意图；图2(d)示出移除钼薄膜层从而形成玻璃凹版的示意图；图2(e)示出图2(c)中的虚线圆圈的放大示意图；图3示出依据本专利技术的一实施方式，用于形成小线宽的图案化的纳米导电材料的制造方法的流程框图；图4示出在图3的制造方法中，形成具有预设宽度的玻璃凹版的凸起部的示意图；图5(a)示出在图3的制造方法中，将导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面的示意图；图5(b)示出在图3的制造方法中，以狭缝涂布方式将导电材料转移至凸起部的表面的不意图；图5(c)示出在图3的制造方法中，固化该树脂层的示意图；图5(d)示出在图3的制造方法中，将树脂层和塑胶基板从玻璃凹版相剥离的示意图；图5(e)示出在图3的制造方法中，从玻璃凹版剥离之后的图案化的树脂层的示意图；以及图6(a)和图6(b)分别示出采用本专利技术的制造方法前后，将软性电路板与图案化的树脂层贴合时的状态对比示意图。【具体实施方式】为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。图1 (a)?图1⑷示出采用压印转移制程将塑胶基板和UV树脂层从玻璃凹版剥离的分解示意图。参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，所述凸起部具有一预设宽度；将一导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面；滚动所述高分子膜层，以狭缝涂布方式将所述导电材料转移至所述凸起部的表面；填充一树脂层于所述导电材料以及所述凹陷部的上方，其中，该树脂层与该导电材料之间的黏着力大于该导电材料与该凸起部之间的黏着力；形成一塑胶基板于所述树脂层的上方，并利用紫外光对所述树脂层进行固化；以及通过一离型制程，使所述树脂层与所述玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的所述树脂层，且所述导电材料位于图案化的所述树脂层的沟槽底部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴怡君，郭胜安，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71