基于芴-三苯胺共轭聚合物的存储器件的制备方法，它涉及一种有机电存储器件的制备方法。本发明专利技术所述的一种芴-三苯胺共轭聚合物电存储器件的制备方法：将ITO玻璃在水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，保存在无水乙醇中备用；将芴-三苯胺共轭聚合物溶解在甲苯中，配制成10mg/mL的聚合物溶液；通过匀胶机将聚合物溶液均匀的旋涂在ITO玻璃上，真空干燥除去溶剂；将具有大小分布均一孔洞的铜片覆盖在聚合物表面，利用真空蒸镀的方法将顶电极Al镀在聚合物上。利用本发明专利技术制备的有机电存储器件具工艺操作简单、成本低、工作电压低、开关电流比高的特点。在信息存储领域中具有良好的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电存储器新材料与
具体设及一种巧-=苯胺共辆聚合物电 存储材料及其电存储器件的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的飞速发展，电子数码产品快速更新，使得人们对电存储忍片的需 求日益增长。利用传统的无机半导体材料制备电存储器件的技术已经非常成熟，使其在各 信息领域得到充分应用。信息行业的不断进步使得小尺寸、高集成成为了电存储器件发展 的必然趋势。然而，忍片的尺寸不可能无限的缩小，高集成必将面临更多技术难题。因此， 发展高性能、低成本的新型电存储材料成为现阶段的发展方向。 最近，聚合物电存储器件作为有机电子学方面的新兴领域引起了人们的极大关 注。有机电存储器件是根据高、低电导率响应变化来储存数据，从而表现出双稳定性的。与 娃基存储器件不同，有机存储器件是通过编码的方式将大量电荷储存在单元中。 相对于小分子存储器件，聚合物基团具有很多优势，例如柔性好、易成膜、质量轻、易加工等 显著特点，受到研究人员的广泛关注，并且得到了全面快速的发展。此外，相对于无机电存 储器件材料，聚合物电存储器件材料最明显的优点是：通过聚合物=维堆叠能力可W指数 级的提高信息储存的密度；制备电存储器件的过程中避免了高溫、高真空的操作步骤，大大 降低了工艺成本，有利于有机电存储器件材料的推广使用。在不久的将来，极有可能取代传 统的无机电存储器件材料。 聚巧基团具有较高的载流子的迁移率，载流子沿其共辆主链传输，是很好的光电 材料。在聚巧中引入给电子基团能够提高HOMO能级，改善空穴传输性能。=苯胺是一种 典型的空穴传输材料，主链中引入=苯胺基团有利于增强聚合物的空穴传输能力和热稳定 性，同时降低了从ITO阳极注入空穴的能量障碍。
技术实现思路
阳〇化]本专利技术的目的在于提供一种巧苯胺共辆聚合物电存储材料W及用该共辆聚 合物作为活性材料的电存储器件的制备方法。本专利技术设及的巧苯胺共辆聚合物本身具 有良好的存储性能，可单独作为电存储器件的活性层而不需要添加其它电子受体。 本专利技术一方面提供了一种聚巧类共辆聚合物，其特征在于所述聚巧类共辆聚合物 分子式为：阳00引其中，Ri各自为含有1到16个碳的烷基，优选Ri各自为含有4到14个碳的烷基， 更优选Ri各自为含有6到12个碳的烷基，最优选RI各自为含有8到10个碳的烷基； 其中，Rz为含N的给电子基团，优选R2为；苯胺、巧挫基团； n为30到100的整数，n优选为50-80的整数，更优选为60-70的整数，或n为30 ，35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 100,。 进一步地，Ri为直链烷基或带支链的烷基，优选所述Ri为正辛基、正己基、正庚基。 进一步地，所述聚巧类共辆聚合物分子式为： 其中，n为30到100的整数，n优选为50-80的整数，更优选为60-70的整数。 本专利技术的另一方面提供了一种巧苯胺共辆聚合物的电存储器件，由衬底层 (1)、阴极层（2)、有机层（3)和阳极层（4)构成，其特征在于：所述有机层由前述的聚巧类 共辆聚合物构成。进一步地，所述衬底层（1)为玻璃，优选地，所述阴极层（2)为氧化铜锡（ITO)，更 优选地，所述顶电极层（4)为金属侣。 进一步地，所述巧-=苯胺共辆聚合物为传输空穴的P型有机半导体材料。 本专利技术第=个方面提供了前述的聚巧类共辆聚合物作为电储存器件的半导体材 料的用途。 本专利技术第四个方面提供了前述的电存储器件的制备方法，其包括如下步骤： 一、将切割好的包含阴极层的衬底层在有机试剂中超声清洗，然后保存在有机试 剂中，优选地，所述包含阴极层的衬底层为ITO玻璃； 二、通过Suzuki反应制备巧-S苯胺共辆聚合物，溶于甲苯得到浓度为3~15mg/ 血的溶液，优选地甲苯溶液浓度为5~12mg/mL =、将步骤二所得溶液滴加在步骤一切割好的包含阴极层的衬底层上，通过匀胶 机使其分散均匀，真空干燥除去有机试剂，得到厚度为20~IOOnm的聚合物薄膜，优选地， 厚度为40~SOnm; 四、通过真空蒸锻法将金属电极Al附着在聚合物上层；优选地，金属电极厚度和 面积分别为200~400皿、0. 25~511皿2,优选地，金属电极厚度和面积分别为250-350皿、 0. 5 ~SmfflZ. 最终得到Flash存储类型的夹层结构有机电存储器件。进一步地，步骤一中的清洗的有机溶剂为去离子水、无水乙醇、丙酬、无水乙醇、去 离子水，优选地，步骤一储存的有机溶剂为无水乙醇。 本专利技术制备的存储器件属于典型的S明治结构，具有W下特点：存储器件的制备 工艺简单、成本低，有利于普及到实际生活应用当中；其中，由【具体实施方式】屯所得的电存 储器件的工作电压仅为-1. 2V，开关电流比为1.OX104,可W有效地减小信息读入的错误 率。【附图说明】图1为【具体实施方式】屯制得的有机电存储器件的结构示意图； 图2为【具体实施方式】屯制得的有机电存储器件的电流-电压曲线；图3为【具体实施方式】屯制得的有机电存储器件的开/关电流比-电压曲线； 图4和图5为电存储器件的示意图。【具体实施方式】 本专利技术技术方案不局限于W下举例【具体实施方式】，还包括各【具体实施方式】间的任 意组合。【具体实施方式】 一：本实施方式一种基于巧-=苯胺共辆聚合物的存储器件的制备 方法按下列步骤实现： 步骤一、将ITO玻璃在试剂a中超声清洗，保存在无水乙醇中备用；当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种聚芴类共轭聚合物电存储材料，其特征在于所述聚芴类共轭聚合物分子式为：其中，R1各自为含有1到16个碳的烷基，优选R1各自为含有4到14个碳的烷基，更优选R1各自为含有6到12个碳的烷基，最优选R1各自为含有8到10个碳的烷基；其中，R2为含N的给电子基团，优选R2为三苯胺、咔唑基团；n为30到100的整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王淑红，虢德超，汪成，赵晓峰，孙治尧，徐来弟，侯艳君，常青，白续铎，马东阁，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。