本发明专利技术提供一种耐磨热电偶的生产工艺，该工艺包括基底预处理、抽真空、溅射清洗、沉积薄膜，步骤（1）中对单晶硅片进行了充分的清洗，去除了表面残留物，如果表面存在残留物会导致基底表面凹凸不平，从而影响薄膜的沉积，使之无法形成连续致密的薄膜，当沉积薄膜太厚时会导致薄膜龟裂，步骤（2）对真空室进行抽真空处理，避免了真空室内残留较多的杂质空气，不仅会严重影响溅射反应，而且残留的杂质气体会与Cu和CuNi发生反应，从而影响薄膜成份。工艺最后设置了冷却步骤，主要是因为刚溅射完毕的薄膜温度较高，放置在空气中会被氧化，及时冷却会避免了这种氧化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测温元件，特别是涉及一种耐磨热电偶的生产工艺。。
技术介绍
温度是工业生产和日常生活中一个非常重要的物理量，它作为一种信息在许 多场合被考察，尤其在机械加工、微机电系统和航空航天等许多领域都涉及到温度测 量。热电偶是温度测量仪表中常用的测温元件，它直接测量温度，并把温度信号转换成热电 动势信号，通过电气仪表转换成被测介质的温度。各种热电偶的外形常因需要而极不相同， 但是它们的基本结构却大致相同，通常由热电极、绝缘套保护管和接线盒等主要部分组成， 通常和显示仪表、记录仪表及电子调节器配套使用。
技术实现思路
本专利技术提供了一种耐磨热电偶的生产工艺，解决了一般工艺生产出的热电偶耐磨 性差、热容偏大、响应缓慢等问题。 一种耐磨热电偶的生产工艺，所述生产工艺步骤为： (1) 基底预处理：首先将单晶硅片放入盛有丙酮溶液的烧杯中，然后放入超声波清洗机 中清洗10-15min，然后再用去离子水对基底进行超声波清洗10-15min，备用； (2) 抽真空：将步骤（1)中备用的单晶硅片放入真空室中，打开循环冷却系统，然后开 启机械栗和预抽阀门，对真空室抽真空，当真空室的真空度为2-10Pa时，开启分子栗、电磁 阀和隔断阀，同时关闭预抽阀门，直到抽至实验要求的真空度为止； (3) 溅射清洗：向真空室内通入纯度为99. 99-99. 999%的Ar，通过减小隔断阀调高真空 室内的Ar气压，微波电子在磁场作用下加速回旋，从而引起共振，使Ar发生电离，产生大 量的等离子体，在电场作用下高速射向基底硅片，对硅片溅射清洗时间为7-10min ; (4) 沉积薄膜：将步骤（4)中溅射完毕的单晶硅片用不锈钢夹具固定在自转靶位上，继 续抽真空，待达到0. 5 X 10 3-l. 0X 10 3Pa后，通入纯度为99. 99-99. 999%的Ar，开启所需溅 射靶位上的电源，调节电源匹配器，在电磁场共同作用下，电离出的Ar离子高速轰击靶材， 溅射出来的Cu/CuNi离子在干净的基底表面，就形成了薄膜； (5) 样品冷却：将步骤（4)中镀膜完成的制品送去冷却炉中，冷却1-2h。 优选的，所述步骤（3)和步骤（4)中通入Ar气流量为13. 5-14. 7sccm。 优选的，所述步骤（2)中分子栗的转速控制在36000-45000转/分。 优选的，所述步骤（4)中溅射功率范围在30-80W。优选的，所述步骤（3)中Ar的气压稳定在1-1. 2Pa。优选的，所述步骤（4)中Ar的气压温度在0?8-lPa。有益效果：本专利技术提供一种耐磨热电偶的生产工艺，该工艺包括基底预处理、抽真 空、溅射清洗、沉积薄膜，步骤（1)中对单晶硅片进行了充分的清洗，去除了表面残留物，如 果表面存在残留物会导致基底表面凹凸不平，从而影响薄膜的沉积，使之无法形成连续致 密的薄膜，当沉积薄膜太厚时会导致薄膜龟裂，步骤（2)对真空室进行抽真空处理，避免了 真空室内残留较多的杂质空气，不仅会严重影响溅射反应，而且残留的杂质气体会与Cu和 CuNi发生反应，从而影响薄膜成份。工艺最后设置了冷却步骤，主要是因为刚溅射完毕的薄 膜温度较高，放置在空气中会被氧化，及时冷却会避免了这种氧化。【具体实施方式】 为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本专利技术。 实施例1 一种耐磨热电偶的生产工艺，所述生产工艺步骤为： (1) 基底预处理：首先将单晶硅片放入盛有丙酮溶液的烧杯中，然后放入超声波清洗机 中清洗l〇min，然后再用去离子水对基底进行超声波清洗lOmin，备用； (2) 抽真空：将步骤（1)中备用的单晶硅片放入真空室中，打开循环冷却系统，然后开 启机械栗和预抽阀门，对真空室抽真空，当真空室的真空度为2Pa时，开启分子栗、电磁阀 和隔断阀，同时关闭预抽阀门，直到抽至实验要求的真空度为止； (3) 溅射清洗：向真空室内通入纯度为99. 99%的Ar，通过减小隔断阀调高真空室内的 Ar气压，微波电子在磁场作用下加速回旋，从而引起共振，使Ar发生电离，产生大量的等 离子体，在电场作用下高速射向基底娃片，对娃片派射清洗时间为7min ; (4) 沉积薄膜：将步骤（4)中溅射完毕的单晶硅片用不锈钢夹具固定在自转靶位上，继 续抽真空，待达到0. 5X 10 3Pa后，通入纯度为99. 99%的Ar，开启所需溅射靶位上的电源，调 节电源匹配器，在电磁场共同作用下，电离出的Ar离子高速轰击靶材，溅射出来的Cu/CuNi 离子在干净的基底表面，就形成了薄膜； (5) 样品冷却：将步骤（4)中镀膜完成的制品送去冷却炉中，冷却lh。 其中，所述步骤（3)和步骤（4)中通入Ar气流量为13. 5sccm，所述步骤（2)中分 子栗的转速控制在36000转/分，所述步骤（4)中溅射功率范围在30W，所述步骤（3)中Ar 的气压稳定在IPa，所述步骤（4)中Ar的气压温度在0. 8Pa。 实施例2 一种耐磨热电偶的生产工艺，所述生产工艺步骤为： (1) 基底预处理：首先将单晶硅片放入盛有丙酮溶液的烧杯中，然后放入超声波清洗机 中清洗12min，然后再用去离子水对基底进行超声波清洗12min，备用； (2) 抽真空：将步骤（1)中备用的单晶硅片放入真空室中，打开循环冷却系统，然后开 启机械栗和预抽阀门，对真空室抽真空，当真空室的真空度为6Pa时，开启分子栗、电磁阀 和隔断阀，同时关闭预抽阀门，直到抽至实验要求的真空度为止； (3) 溅射清洗：向真空室内通入纯度为99. 995%的Ar，通过减小隔断阀调高真空室内的 Ar气压，微波电子在磁场作用下加速回旋，从而引起共振，使Ar发生电离，产生大量的等 离子体，在电场作用下高速射向基底娃片，对娃片派射清洗时间为8min ; (4) 沉积薄膜：将步骤（4)中溅射完毕的单晶硅片用不锈钢夹具固定在自转靶位上，继 续抽真空，待达到0. 7X 10 3Pa后，通入纯度为99. 995%的Ar，开启所需溅射靶位上的电源， 调节电源匹配器，在电磁场共同作当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种耐磨热电偶的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺步骤为：（1）基底预处理：首先将单晶硅片放入盛有丙酮溶液的烧杯中，然后放入超声波清洗机中清洗10‑15min，然后再用去离子水对基底进行超声波清洗 10‑15min，备用；（2）抽真空：将步骤（1）中备用的单晶硅片放入真空室中，打开循环冷却系统，然后开启机械泵和预抽阀门，对真空室抽真空，当真空室的真空度为2‑10Pa时，开启分子泵、电磁阀和隔断阀，同时关闭预抽阀门，直到抽至实验要求的真空度为止；（3）溅射清洗：向真空室内通入纯度为99.99‑99.999%的Ar，通过减小隔断阀调高真空室内的Ar气压 ，微波电子在磁场作用下加速回旋，从而引起共振，使Ar发生电离，产生大量的等离子体，在电场作用下高速射向基底硅片，对硅片溅射清洗时间为7‑10min；（4）沉积薄膜：将步骤（4）中溅射完毕的单晶硅片用不锈钢夹具固定在自转靶位上，继续抽真空，待达到0.5×10‑3‑1.0×10‑3Pa后，通入纯度为99.99‑99.999%的Ar，开启所需溅射靶位上的电源，调节电源匹配器，在电磁场共同作用下，电离出的Ar离子高速轰击靶材，溅射出来的Cu/CuNi离子在干净的基底表面，就形成了薄膜；（5）样品冷却：将步骤（4）中镀膜完成的制品送去冷却炉中，冷却1‑2h。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁桂华，
申请(专利权)人：西派集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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