本实用新型专利技术公开了一种delta形缺陷微带结构，缺陷微带结构的微带线上刻蚀有δ形缺陷结构。本实用新型专利技术通过在微带线上刻蚀δ形缺陷结构，形成δ形缺陷微带结构，再利用该δ形缺陷微带结构设计得到阻带滤波器，由于所述的δ形缺陷微带结构相对于M形、π形、U形或T形缺陷结构更小，因而设计所得的阻带滤波器可以更好的满足滤波器小型化的要求。此外，本实用新型专利技术中所述的δ形缺陷微带结构的带阻特性较好，利用该δ形缺陷微带结构设计所得的双频带带阻滤波器，在每一个阻带外都具有反射零点，从而有效提高了双频带带阻滤波器的选择特性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种缺陷微带结构，尤其是一种delta形缺陷微带结构。
技术介绍
众所周知，缺陷微带结构是通过在微带线上刻蚀缺陷结构扰乱微带线上的电流分布，从而使得微带线上的等效电容和等效电感增加，因此缺陷微带结构具有慢波特性和带阻特性，其中，慢波特性可以用来实现滤波器的小型化设计，带阻特性可以用来实现阻带滤波器设计；而缺陷微带结构的带阻特性又取决于缺陷结构的形状和大小。常用的缺陷微带结构有M形、形、U形及T形等，但是这些现有的缺陷微带结构的带阻特征仍然有待提高，同时采用现有的缺陷微带结构设计所得的阻带滤波器体积仍然较大，而且阻带滤波器的中心频率及带宽相互关联，调节其中一个中心频率时另一个中心频率也发生变化，调节其中一个带宽时另一个带宽也发生变化，无法实现独立调节；此外，利用现有的缺陷微带结构设计所得的带阻滤波器的选择特性也有待进一步提高，因此，需要研究人员进一步探索研究新的缺陷微带结构。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种delta形缺陷微带结构，它可以有效解决现有技术中存在的问题，尤其是采用现有的缺陷微带结构设计所得的阻带滤波器体积仍然较大，无法满足滤波器小型化要求的问题。为解决上述技术问题，本技术采用如下的技术方案:一种delta形缺陷微带结构，缺陷微带结构的微带线上刻蚀有S形缺陷结构。优选的，所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线，所述的B槽线的两端分别与A槽线和C槽线的一端连接，D槽线的两端分别与E槽线的一端及C槽线的另一端连接，F槽线的两端分别与G槽线的一端及E槽线的另一端连接；所述的A槽线、C槽线、E槽线和G槽线之间相互平行，D槽线分别与B槽线和F槽线平行；所述的B槽线分别与A槽线和C槽线垂直，D槽线分别与C槽线和E槽线垂直，F槽线分别与E槽线和G槽线垂直。利用该δ形缺陷微带结构最终制得的双频带带阻滤波器的选择特性较好，结构更紧凑，体积更小。更优选的，所述的A槽线、C槽线和E槽线的长度相同；Β槽线和F槽线的长度相同，从而可以使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小，选择性能较好，同时方便调节和分析。本技术中，所述的A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均相等，从而使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小，选择性能较好，同时方便调节和分析。前述的delta形缺陷微带结构中，所述的A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线的线宽均相同，通过调节微带线上的槽线线宽即可实现对阻带带宽的大小进行调节。更优选的，所述的微带线的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；所述的线宽为0.4mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线、C槽线或E槽线的长度为6_。从而可以制备得到性能优良的双频带带阻滤波器，且该双频带带阻滤波器在第一个阻带中，从3.19GHz到3.41GHz，插入损耗小于_20dB，回拨损耗大于-0.9dB ；在第二个阻带中，回拨损耗小于_30dB，回拨损耗大于-1dB ;而且有三个反射零点，分别位于3.09GHz, 4.65GHz和5.34GHz，因而选择性能非常好。与现有技术相比，本技术通过在微带线上刻蚀δ形缺陷结构，形成δ形缺陷微带结构，再利用该δ形缺陷微带结构设计得到阻带滤波器，由于所述的δ形缺陷微带结构相对于M形、形、U形或T形缺陷结构更小，因而设计所得的阻带滤波器可以更好的满足滤波器小型化的要求。此外，本技术中所述的S形缺陷微带结构的带阻特性较好，利用该S形缺陷微带结构设计所得的双频带带阻滤波器，在每一个阻带外都具有反射零点，从而有效提高了双频带带阻滤波器的选择特性；同时通过改变缺陷微带结构的长度(如图1中的al)可以实现独立调节两个阻带的中心频率(如图2所示)；通过改变缺陷微带结构的缝隙宽度(如图1中的Cl)可以实现独立调节两个带宽，从而使得该双频带带阻滤波器更适合实际应用；此外，本技术中，所述的微带线的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；所述的线宽为0.4mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.4mm, A槽线、C槽线或E槽线的长度为6mm。从而可以制备得到性能优良的双频带带阻滤波器，且该双频带带阻滤波器在第一个阻带中，从3.19GHz到3.41GHz，插入损耗小于_20dB，回拨损耗大于-0.9dB ;在第二个阻带中，回拨损耗小于_30dB，回拨损耗大于-1dB ;而且有三个反射零点，分别位于3.09GHz, 4.65GHz和5.34GHz，因而选择性能非常好。【附图说明】图1是δ形缺陷微带结构的示意图；图2是不同长度al对应的缺陷微带结构的插入损耗仿真结果示意图。附图标记:1_微带线，101-A槽线，102-B槽线，103-C槽线，104-D槽线，105-E槽线，106-F槽线，107-G槽线。下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步的说明。【具体实施方式】本技术的实施例1:一种delta形缺陷微带结构，如图1所示，缺陷微带结构的微带线上刻蚀有S形缺陷结构。所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线101、Β槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107，所述的B槽线102的两端分别与A槽线101和C槽线103的一端连接，D槽线104的两端分别与E槽线105的一端及C槽线103的另一端连接，F槽线106的两端分别与G槽线107的一端及E槽线105的另一端连接；所述的A槽线101、C槽线103、Ε槽线105和G槽线107之间相互平行，D槽线104分别与B槽线102和F槽线106平行；所述的B槽线102分别与A槽线101和C槽线103垂直，D槽线104分别与C槽线103和E槽线105垂直，F槽线106分别与E槽线105和G槽线107垂直。所述的A槽线101、C槽线103和E槽线105的长度相同槽线102和F槽线106的长度相同。所述的A槽线101与C槽线103之间的垂直距离、G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离、C槽线103与G槽线107之间的垂直距离以及G槽线107与E槽线105之间的垂直距离均相等。所述的A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107的线宽均相同。所述的微带线的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；所述的线宽为0.4mm，A槽线101与C槽线103之间的垂直距离、G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离、C槽线103与G槽线107之间的垂直距离以及G槽线107与E槽线105之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度为6mm。实施例2:—种delta形缺陷微带结构，如图1所示，缺陷微带结构的微带线上刻蚀有S形缺陷结构。所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种delta形缺陷微带结构，其特征在于，缺陷微带结构的微带线上刻蚀有δ形缺陷结构；所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线（101）、B槽线（102）、C槽线（103）、D槽线（104）、E槽线（105）、F槽线（106）和G槽线（107），所述的B槽线（102）的两端分别与A槽线（101）和C槽线（103）的一端连接，D槽线（104）的两端分别与E槽线（105）的一端及C槽线（103）的另一端连接，F槽线（106）的两端分别与G槽线（107）的一端及E槽线（105）的另一端连接；所述的A槽线（101）、C槽线（103）、E槽线（105）和G槽线（107）之间相互平行，D槽线（104）分别与B槽线（102）和F槽线（106）平行；所述的B槽线（102）分别与A槽线（101）和C槽线（103）垂直，D槽线（104）分别与C槽线（103）和E槽线（105）垂直，F槽线（106）分别与E槽线（105）和G槽线（107）垂直。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：喇东升，贾守卿，马雪莲，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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