干法刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术涉及刻蚀领域，特别是涉及一种干法刻蚀设备，包括：腔室及阴极载体，腔室具有收容腔，阴极载体设置于收容腔中，干法刻蚀设备还包括设置于收容腔内的承载平台、第一阳极载体、第二阳极载体，第一旋转件及第二旋转件；第一旋转件及第二旋转件相互间隔地设置于承载平台上，第一阳极载体与第一旋转件连接，第二阳极载体与第二旋转件连接。上述干法刻蚀设备，当第一阳极载体刻蚀完成后，承载平台旋转带动第二阳极载体靠近阴极载体，并在第二旋转件的旋转作用下，使得第二阳极载体对准阴极载体进行刻蚀作业，从而提高基板的刻蚀效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及刻蚀领域，特别是涉及一种干法刻蚀设备。
技术介绍
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的气体活性自由基化学活性比常态下的气体时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。目前的干法刻蚀既可采用单独的化学反应方法进行刻蚀，又可采用化学刻蚀和物理轰击两种方式结合到一起的方法进行刻蚀。在TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display薄膜场效应晶体液晶显示管)生产过程中，干法刻蚀具有非常重要的作用，array段(TFT玻璃面板显示区)所有的非金属膜层的图形都是由干法刻蚀完成，刻蚀效果的好坏直接影响到TFT的性能。目前，在TFT生产过程中，需要对基板上的非金属层进行刻蚀，但现在的刻蚀方式均采用将基板固定在水平放置的下电极上进行刻蚀，采取此种方法，在刻蚀时灰尘较易落到基板上造成刻蚀残留，影响产品的合格率。此外，现有刻蚀腔室内只能放一块刻蚀基板，刻蚀完毕后需打开腔室更换下一块基板，这样基板从进到出所用时间较长，效率不高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种高良率及高效率的干法刻蚀设备。—种干法刻蚀设备，包括:腔室及阴极载体，所述腔室具有收容腔，所述阴极载体设置于所述收容腔中，所述干法刻蚀设备还包括设置于所述收容腔内的承载平台、第一阳极载体、第二阳极载体，第一旋转件及第二旋转件，所述承载平台邻近所述阴极载体旋转设置于所述腔室内；所述第一旋转件及所述第二旋转件相互间隔地设置于所述承载平台上，所述第一阳极载体与所述第一旋转件连接，所述第二阳极载体与所述第二旋转件连接，所述第一旋转件可带动所述第一阳极载体旋转并对准所述阴极载体以进行蚀刻作业，所述承载平台可旋转并带动所述第一阳极载体远离所述阴极载体，同时使所述第二阳极载体靠近所述阴极载体，所述第二旋转件可带动所述阳极载体旋转并对准所述阴极载体以进行刻蚀作业。在其中一个实施例中，所述第一阳极载体包括本体及阳极层，所述阳极层贴设于所述本体上；所述本体的边缘区域设置有护板及若干固定柱，所述若干固定柱围绕所述阳极层的周缘设置并抵接于所述阳极层上，所述护板设置于所述若干固定柱远离所述阳极层的一侧；所述阳极层上设置有若干第一顶针及至少一根第二顶针，所述若干第一顶针间隔设置于所述阳极层的边缘区域，至少一根所述第二顶针设置于所述阳极层的中部区域。在其中一个实施例中，所述承载平台、所述第一阳极载体的本体、所述旋转件分别开设有彼此连通的通气腔，所述腔室开设有排气口，所述排气口与所述承载平台的通气腔连通。在其中一个实施例中，还包括电机，所述电机与所述承载平台连接，用于转动所述承载平台。在其中一个实施例中，所述第一阳极载体还包括导电层，所述导电层设置于所述阳极层内，用于把基板吸附到阳极平台上。在其中一个实施例中，所述阳极层设置有八根所述第一顶针及一根所述第二顶针。在其中一个实施例中，所述阳极层设置有第一升降马达，若干所述第一顶针及至少一根所述第二顶针分别与所述第一升降马达连接，所述第一升降马达用于驱动若干所述第一顶针及至少一根所述第二顶针在相对所述阳极层上上升或者下降。在其中一个实施例中，所述护板包括相连接的第一护板及第二护板，所述第二护板设置于所述本体上，所述第一护板邻近所述第二护板设置于所述本体上。在其中一个实施例中，所述护板包括八个陶瓷板，其中第一护板有四个，第二护板有四个。在其中一个实施例中，所述本体上设置有第二升降马达，若干所述固定柱与所述第二升降马达连接，所述第二升降马达用于驱动若干所述固定柱相对所述本体上升或者下降。在其中一个实施例中，所述第一护板垂直设置于所述第二护板上，并且所述第一护板高度大于所述固定柱的高度。上述干法刻蚀设备，通过承载平台设置有第一阳极载体和第二阳极载体，旋转承载平台以使得第一阳极载体靠近阴极载体，并在第一旋转件的旋转作用下，使得第一阳极载体对准阴极载体进行刻蚀作业，当第一阳极载体刻蚀完成后，承载平台旋转带动第二阳极载体靠近阴极载体，并在第二旋转件的旋转作用下，使得第二阳极载体对准阴极载体进行刻蚀作业，从而提高基板的刻蚀效率。【附图说明】图1为本技术一实施例干法刻蚀设备的结构示意图；图2为一实施例干法刻蚀设备的俯视结构示意图；图3为一实施例承载平台与第一阳极载体和第二阳极载体的连接结构示意图；图4为一实施例第一阳极载体的俯视结构不意图。【具体实施方式】为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。现对本实施例涉及的专有名词解释如下，MFC:气体质量流量计，主要用来控制气体流量。RF:高频电源，主要用来提供使特气解离成等离子体的能量。pin:即顶针，可以升降，上面有真空吸附孔，主要用来把基板放到电极上。静电吸附:通过异性电荷吸附的方式把基板固定到阳极平台上。特气:用于刻蚀的特殊气体，包含CL2，SF6等。等离子体:特气在高频电源作用下解离所成，主要包括电子、正离子和活性自由基。同向性刻蚀:单位时间内活性自由基对膜层各个方向的刻蚀速率相同。请参阅图1，其为本技术一实施例干法刻蚀设备的结构示意图，干法刻蚀设备10包括:腔室110、阴极载体120、承载平台130、第一阳极载体140、第二阳极载体150、第一旋转件160及第二旋转件170。腔室110具有收容腔111，阴极载体120设置于收容腔111中。承载平台130邻近阴极载体120旋转设置于腔室110内。第一旋转件160及第二旋转件170相互间隔地设置于承载平台130上。第一阳极载体140与第一旋转件160连接，第二阳极载体150与第二旋转件170连接，第一旋转件160可带动第一阳极载体140旋转并对准阴极载体120以进行蚀刻作业，承载平台130可旋转并带动第一阳极载体140远离阴极载体120，同时使第二阳极载体150靠近阴极载体120，第二旋转件170可带动阳极载体旋转并对准阴极载体120以进行刻蚀作业。例如，干法刻蚀设备还包括电机190，电机190与承载平台130连接，用于转动承载平台130。例如，承载平台130设置有旋转位131，电机190的转轴与旋转位131连接，如此，电机190工作时，转轴带动承载平台130沿水平方面做圆周旋转。在其它实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干法刻蚀设备，包括：腔室及阴极载体，所述腔室具有收容腔，所述阴极载体设置于所述收容腔中，其特征在于，所述干法刻蚀设备还包括设置于所述收容腔内的承载平台、第一阳极载体、第二阳极载体、第一旋转件及第二旋转件，所述承载平台邻近所述阴极载体旋转设置于所述腔室内；所述第一旋转件及所述第二旋转件相互间隔地设置于所述承载平台上，所述第一阳极载体与所述第一旋转件连接，所述第二阳极载体与所述第二旋转件连接，所述第一旋转件可带动所述第一阳极载体旋转并对准所述阴极载体以进行蚀刻作业，所述承载平台可旋转并带动所述第一阳极载体远离所述阴极载体，同时使所述第二阳极载体靠近所述阴极载体，所述第二旋转件可带动所述阳极载体旋转并对准所述阴极载体以进行刻蚀作业。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张正洋，邓泽新，黄伟东，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44