一种石墨基座制造技术

本实用新型专利技术提出了一种石墨基座，解决了现有技术中多个尺寸的石墨晶片没办法在同一个基座上实现生长的缺陷。其包括石墨圆环和石墨衬底，所述石墨圆环设有内径和外径；且所述石墨圆环的厚度与所述石墨衬底的厚度相同，且所述石墨衬底设于所述石墨圆环内。本实用新型专利技术石墨圆环的设置，方便将不同尺寸的石墨衬底放置在石墨圆环内，故实现了在小尺寸的基座上同时生长多个不同尺寸的石墨晶片；另外，本实用新型专利技术的使用方法简单，简化了生产的流程，效率快，且节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及外延生长设备
，特别涉及一种石墨基座。
技术介绍
传统的6寸石墨基座只能用在生长6寸外延层的腔体，使用比较单一。由于在半导体领域涉及生产订单更换比较频繁，随着半导体技术的不断进步，大尺寸的外延片需求是市场所需，考虑到以后5寸外延片逐步淘汰，所需的5寸石墨基座也可能逐步淘汰，所以在做石墨备品备件时，由于石墨基座价格比$父昂贵，为了减少5寸石墨基座的米购量，需要用6寸石墨基座来代替使用。另外，为了应对不同尺寸石墨晶片的生长，通常采用更换小盘基座的方式进行。如德国Aixtron公司的2400或2800系列石墨外延炉，采用单独的3英寸小盘和4英寸小盘，即生长3英寸石墨晶片时使用对应的3英寸小盘，生长4英寸石墨晶片时采用4英寸小盘。由于每次小盘更换之后，都要进行设备的烘烤以除去表面附着的水汽等杂质，这给生产带来了很大的不便，同时也增加的生产的成本。另外，多种规格的小盘基座同时使用，也给设备维护带来很大的困难。因此，若能在同一个小盘上实现多尺寸兼容生长，将会给石墨外延生长带来极大的便利。
技术实现思路
本技术提出一种石墨基座，解决了现有技术中多个尺寸的石墨晶片没办法在同一个基座上实现生长的缺陷。本技术结构简单，操作方便，其实现了小尺寸的基座上同时生长多个不同尺寸的石墨晶片。本技术的技术方案是这样实现的:—种石墨基座，其包括石墨圆环和石墨衬底，所述石墨圆环设有内径和外径；且所述石墨圆环的厚度与所述石墨衬底的厚度相同，且所述石墨衬底设于所述石墨圆环内。优选的，所述内径为3英寸，所述外径为4英寸。优选的，所述石墨衬底的直径小于或等于所述内径。优选的，所述石墨圆环包括第一端面、第二端面和侧面，所述第一端面、所述第二端面均设于所述侧面两端；且所述第一端面、第二端面上均设有至少一个凹痕。优选的，所述凹痕设有一个。优选的，所述凹痕设有两个。优选的，所述凹痕设有四个。优选的，所述凹痕设有第一直径，所述第一直径大于所述内径，且所述第一直径小于所述外径。本技术与现有技术相比，具有如下有益效果:本技术石墨圆环的设置，方便将不同尺寸的石墨衬底放置在石墨圆环内，故实现了在小尺寸的基座上同时生长多个不同尺寸的石墨晶片；另外，本技术的使用方法简单，简化了生产的流程，效率快，且节省成本。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术石墨基座的分解不意图；图2是本技术石墨圆环的俯视图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参照图1至图2，一种石墨基座1，其包括石墨圆环2和石墨衬底3，所述石墨圆环2设有内径21和外径22 ;且所述石墨圆环2的厚度与所述石墨衬底3的厚度相同，且所述石墨衬底3设于所述石墨圆环2内。优选的，所述内径为3英寸，所述外径为4英寸。本技术将内径设为3英寸，外径设为4英寸，以配合3英寸以上的石墨晶片在本技术上进行生长，当然，本领域技术人员可以根据需要选择将内径和外径设置成其它的尺寸，只需达到可以同时供不同尺寸的石墨晶片在本技术上生长即可。优选的，所述石墨衬底的直径小于或等于所述内径。本技术石墨衬底的直径小于或等于内径，故石墨衬底可以安装在石墨圆环内。优选的，所述石墨圆环2包括第一端面(未图示)、第二端面(未图示)和侧面23，所述第一端面、所述第二端面均设于所述侧面两端；且所述第一端面、第二端面上均设有至少一个凹痕24。本技术凹痕的设置，方便将石墨晶片放置在石墨圆环上时，凹痕对石墨晶片起到定位作用，使其不易移动；本技术中凹痕的形状可以根据本领域技术人员根据石墨晶片的形状来设定，可以是圆形、方形或者其它形状，只需达到配合石墨晶片的放置在石墨圆环上，且对其定位即可。优选的，所述凹痕设有一个。本技术将凹痕设置一个，以配合其中一个石墨晶片放置在石墨圆环上，且对该石墨晶片进行定位。优选的，所述凹痕设有两个。本技术将凹痕设置两个，以配合其中两个不同尺寸的石墨晶片放置在石墨圆环上，且对该两个石墨晶片进行定位。优选的，所述凹痕设有四个。本技术将凹痕设置四个，以配合其中四个不同尺寸的石墨晶片放置在石墨圆环上，且对该四个石墨晶片进行定位。本领域技术人员根据实际需要，或者根据石墨晶片的数量，来设定凹痕的数量，使其更好的对石墨晶片进行定位。优选的，所述凹痕24设有第一直径241，所述第一直径241大于所述内径21，且所述第一直径小于所述外径22。本技术凹痕的第一直径与石墨晶片的直接保持一致，使得石墨晶片刚好放置在凹痕内，不易移动。以采用4英寸石墨外延炉的小盘基座，同时兼容生长3英寸和4英寸石墨晶片为例。为了在4英寸小盘基座上生长3英寸石墨晶片，设计加工石墨圆环，圆环的外径为4英寸，内径为3英寸，圆环的厚度与石墨衬底的厚度相当。这样当生长3英寸石墨晶片时，就只需将石墨圆环放置在3英寸石墨晶片的外围，使其在尺寸上等效于4英寸石墨晶片，从而可当作4英寸晶片放置于4英寸小盘基座上进行外延生长，如图1所示。生长3英寸石墨晶片的使用方法为:第一步:选取4英寸的小盘基座放置于大盘基座上；第二步:将石墨圆环放置在4英寸小盘基座上；第三步:将3英寸的石墨衬底放置于石墨圆环内。生长4英寸石墨晶片的使用方法为:第一步:选取上述4英寸的小盘基座放置于大盘基座上；第二步:直接将4英寸的石墨衬底放置在小盘基座上。同时生长3英寸和4英寸石墨晶片的使用方法为:第一步:选取4英寸的小盘基座放置于大盘基座上；第二步:对于4英寸的石墨衬底，直接放置在小盘基座上；第三步:对于3英寸的石墨衬底，连同石墨圆环一起放置于小盘基座上。由于石墨外延炉可实现多晶片的同时外延生长，采用本技术可实现多尺寸晶片的混合生长。本技术与现有技术相比，具有如下有益效果:本技术石墨圆环的设置，方便将不同尺寸的石墨衬底放置在石墨圆环内，故实现了在小尺寸的基座上同时生长多个不同尺寸的石墨晶片；另外，本技术的使用方法简单，简化了生产的流程，效率快，且节省成本。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种石墨基座，包括石墨圆环和石墨衬底，所述石墨圆环设有内径和外径；且所述石墨圆环的厚度与所述石墨衬底的厚度相同，且所述石墨衬底设于所述石墨圆环内，所述内径为3英寸，所述外径为4英寸，所述石墨衬底的直径小于或等于所述内径，其特征在于，所述石墨圆环包括第一端面、第二端面和侧面，所述第一端面、所述第二端面均设于所述侧面两端；且所述第一端面、第二端面上均设有至少一个凹痕。2.如权本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨基座，包括石墨圆环和石墨衬底，所述石墨圆环设有内径和外径；且所述石墨圆环的厚度与所述石墨衬底的厚度相同，且所述石墨衬底设于所述石墨圆环内，所述内径为3英寸，所述外径为4英寸，所述石墨衬底的直径小于或等于所述内径，其特征在于，所述石墨圆环包括第一端面、第二端面和侧面，所述第一端面、所述第二端面均设于所述侧面两端；且所述第一端面、第二端面上均设有至少一个凹痕。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林前锋，
申请(专利权)人：林前锋，
类型：新型
国别省市：福建;35