一种单晶体制备烧结炉制造技术

一种单晶体制备烧结炉，包括机架、安瓿、炉体和控制装置，所述的机架立柱上设置丝杠和纵向导轨，所述的丝杠同轴连接丝杠电机，所述的纵向导轨与滑座动配合，滑座上设置炉体，所述的炉体内设置炉芯，所述的炉芯从上至下设置有低温恒温区、温度梯度区和高温恒温区，温度梯度区呈圆台形状，低温恒温区和高温恒温区均为圆柱形，高温恒温区底端设置有倒置圆台状的出料端，炉芯和炉体之间设置有硅酸铝保温层，炉芯内同轴连接炉膛，所述的炉体下方的机座之间设置安瓿控制装置，所述的安瓿控制装置上设置旋转电机和安瓿旋转轴，本实用新型专利技术结构简单，保温效果好，温度分布均匀，工作震动小，成品质量高，大大降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体烧结
，具体是一种单晶体制备烧结炉。
技术介绍
现有技术制备高纯晶体(比如蹄锌福单晶体)多采用安瓿容器方式，一般采用加热炉配合移动的安瓿容器形成单晶体生长环境。法国生产的晶体生长设备采取安瓿移动而加热炉静止的晶体生长方式，安瓿容器安装在一个纵横双向运动的连杆上。由于安瓿容器质量轻，双向运动部件的运动间隙导致安瓿容器运动中产生震动，震幅可达3?4微米，这种条件下非常不利于晶体的生长。另外，炉芯的保温效果不好，内部的温度极其不稳定，变化较大，导致晶体生成困难，成品率差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单，保温效果好，温度分布均匀，工作震动小，成品质量高的单晶体制备烧结炉，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案。—种单晶体制备烧结炉，包括机架、安瓿、炉体和控制装置，所述的机架立柱上设置丝杠和纵向导轨，所述的丝杠同轴连接丝杠电机，所述的纵向导轨与滑座动配合，滑座上设置炉体，所述的炉体内设置炉芯，所述的炉芯从上至下设置有低温恒温区、温度梯度区和高温恒温区，温度梯度区呈圆台形状，低温恒温区和高温恒温区均为圆柱形，高温恒温区底端设置有倒置圆台状的出料端，炉芯和炉体之间设置有硅酸铝保温层，炉芯内同轴连接炉膛，所述的炉体下方的机座之间设置安瓿控制装置，所述的安瓿控制装置上设置旋转电机和安瓿旋转轴，两者通过同步带连接，所述的安瓿旋转轴连接安瓿支杆，安瓿支杆顶端设置安瓿，安瓿同轴连接于炉膛中轴线上，炉体下端设置与安瓿支杆密封配合的炉体密封门，炉体上对应温度梯度区底部设置有贯穿炉体和硅酸铝保温层的观察透视孔。进一步的，所述的丝杠为精密滚珠丝杠。进一步的，所述的炉体为圆筒型双层结构。进一步的，所述的炉体与滑座铰接配合，炉体和滑座之间设置有角度调节机构。进一步的，所述的安瓿控制装置设置有水平移动和旋转控制机构。进一步的，所述的机架上设置支撑杆。进一步的，所述的丝杠电机、旋转电机、炉芯、炉体与自动控制装置电性连接；所述的自动控制装置设置遥控盒。与现有技术相比，本技术的有益效果是:采用加热炉体移动方式，精细平稳地控制安瓿的转动，有效减轻了安瓿的震动，使晶体处于更加平静的生成环境，更有助于烧结高品质的晶体；炉芯从上至下设置有低温恒温区、温度梯度区和高温恒温区，温度梯度区呈圆台形状，低温恒温区和高温恒温区均为圆柱形，高温恒温区底端设置有倒置圆台状的出料端，炉芯和炉体之间设置有硅酸铝保温层，分区精确控制炉芯的温度，不仅提高了炉膛内温度的均匀性，更有利于晶体的烧结，硅酸铝保温层确保了各个分区的温度保持稳定，变化幅度较小，从而有效有效地提高了成品的质量和成色，降低了生产成本和能源消耗。本技术结构简单，保温效果好，温度分布均匀，工作震动小，成品质量高，大大降低了生产成本。【附图说明】图1为一种单晶体制备烧结炉的结构示意图。图中:1-机架，2-丝杠电机，3-丝杠，4-滑座，5-纵向导轨，6-同步带，7-安瓿控制装置，8-机座，9-高温恒温区，10-炉膛，11-安瓿，12-炉体，13-安瓿支杆，14-支撑杆，15-旋转电机，16-安瓿旋转轴，17-出料端，18-观察透视孔，19-低温恒温区，20-温度梯度区，21-硅酸铝保温层。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种单晶体制备烧结炉，包括机架1、安瓿11、炉体12和控制装置，所述的机架I立柱上设置丝杠3和纵向导轨5，所述的丝杠3同轴连接丝杠电机2，所述的纵向导轨5与滑座4动配合，滑座4上设置炉体12，所述的炉体12内设置炉芯，所述的炉芯从上至下设置有低温恒温区19、温度梯度区20和高温恒温区9，温度梯度区20呈圆台形状，低温恒温区19和高温恒温区9均为圆柱形，高温恒温区9底端设置有倒置圆台状的出料端17，炉芯和炉体12之间设置有硅酸铝保温层21，炉芯内同轴连接炉膛10，所述的炉体12下方的机座8之间设置安瓿控制装置7，所述的安瓿控制装置7上设置旋转电机15和安瓿旋转轴16，两者通过同步带6实现动力传动，所述的安瓿旋转轴16连接安瓿支杆13，安瓿支杆13顶端设置安瓿11，安瓿11同轴连接于炉膛10中轴线上，炉体12下端设置与安瓿支杆13密封配合的炉体密封门，炉体12上对应温度梯度区20底部设置有贯穿炉体12和硅酸铝保温层21的观察透视孔18。实施例中，所述的丝杠3为精密滚珠丝杠。实施例中，所述的炉体12为圆筒型双层结构，外层可沿圆周滑动开启或闭合。实施例中，所述的炉体12与滑座4铰接配合，炉体12和滑座4之间设置有角度调节机构。实施例中，所述的安瓿控制装置7设置有水平移动和旋转控制机构。实施例中，所述的机架I上设置支撑杆14，以提高机架I的稳定性，从而帮助进一步减小炉体12移动时产生的震动。实施例中，所述的丝杠电机2、旋转电机15、炉芯9、炉体12与自动控制装置电性连接，所述的自动控制装置设置遥控盒。本技术的工作原理是:采用加热炉体12移动方式，精细平稳地控制安瓿11的转动，有效减轻了安瓿11的震动，使晶体处于更加平静的生成环境，更有助于烧结高品质的晶体；炉芯从上至下设置有低温恒温区19、温度梯度区20和高温恒温区9，温度梯度区20呈圆台形状，低温恒温区19和高温恒温区9均为圆柱形，高温恒温区9底端设置有倒置圆台状的出料端17，炉芯和炉体12之间设置有硅酸铝保温层21，分区精确控制炉芯的温度，不仅提高了炉膛10内温度的均匀性，更有利于晶体的烧结，硅酸铝保温层21确保了各个分区的温度保持稳定，变化幅度较小，从而有效有效地提高了成品的质量和成色，降低了生产成本和能源消耗。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种单晶体制备烧结炉，包括机架、安瓿、炉体和控制装置，其特征在于，所述的机架立柱上设置丝杠和纵向导轨，所述的丝杠同轴连接丝杠电机，所述的纵向导轨与滑座动配合，滑座上设置炉体，所述的炉体内设置炉芯，所述的炉芯从上至下设置有低温恒温区、温度梯度区和高温恒温区，温度梯度区呈圆台形状，低温恒温区和高温恒温区均为圆柱形，高温恒温区底端设置有倒置圆台状的出料端，炉芯和炉体之间设置有硅酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶体制备烧结炉，包括机架、安瓿、炉体和控制装置，其特征在于，所述的机架立柱上设置丝杠和纵向导轨，所述的丝杠同轴连接丝杠电机，所述的纵向导轨与滑座动配合，滑座上设置炉体，所述的炉体内设置炉芯，所述的炉芯从上至下设置有低温恒温区、温度梯度区和高温恒温区，温度梯度区呈圆台形状，低温恒温区和高温恒温区均为圆柱形，高温恒温区底端设置有倒置圆台状的出料端，炉芯和炉体之间设置有硅酸铝保温层，炉芯内同轴连接炉膛，所述的炉体下方的机座之间设置安瓿控制装置，所述的安瓿控制装置上设置旋转电机和安瓿旋转轴，两者通过同步带连接，所述的安瓿旋转轴连接安瓿支杆，安瓿支杆顶端设置安瓿，安瓿同轴连接于炉膛中轴线上，炉体下端设置与安瓿支杆密封配合的炉体密封门，炉体上对应温度梯度区底部设置有贯穿炉体和硅酸铝保温层的观察透视孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志高，
申请(专利权)人：福建鑫磊晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35